能使雙面顯示基板正常透光顯示。柵電極層500采用雙層導(dǎo)電材料結(jié)構(gòu)，即柵電極層500的底層采用透明導(dǎo)電材料，上層采用金屬導(dǎo)電材料，這能使柵電極層500的電阻率減小，導(dǎo)電率提高，從而使柵電極層500能正常傳輸用于顯示的電信號(hào)。另外，柵電極層500的上層采用金屬導(dǎo)電材料還能使該層的柔韌性加強(qiáng)，從而使柵電極層500不易出現(xiàn)斷裂等不良，進(jìn)而提尚了雙面顯不基板的良率和顯不質(zhì)量。
[0055]其中，透明導(dǎo)電材料可以為金屬氧化物透明導(dǎo)電材料，如氧化銦錫、氧化鋅等。金屬導(dǎo)電材料如銅、銀、鋁或各自的合金等。需要說明的是，柵電極層500的上層也可以采用透明導(dǎo)電材料。
[0056]本實(shí)施例中，在像素區(qū)域以外的信號(hào)走線區(qū)，信號(hào)走線7采用與柵電極層500相同的結(jié)構(gòu)。其中，信號(hào)走線7包括數(shù)據(jù)信號(hào)走線71、掃描信號(hào)走線72以及綁定連接走線，綁定連接走線的結(jié)構(gòu)與數(shù)據(jù)信號(hào)走線71或掃描信號(hào)走線72的結(jié)構(gòu)相同。信號(hào)走線7采用與柵電極層500相同的結(jié)構(gòu)，由于金屬導(dǎo)電材料具有良好的延展性和較大的導(dǎo)電率，所以不僅能使信號(hào)走線7在過孔區(qū)不易出現(xiàn)斷裂等不良情況，從而確保了雙面顯示基板的良率和顯示質(zhì)量，而且能降低信號(hào)走線7的電阻率，提高信號(hào)走線7的導(dǎo)電率，從而使信號(hào)走線7的信號(hào)傳輸效果更好。
[0057]另外需要說明的是，本實(shí)施例中也可以是對應(yīng)正面發(fā)光層I的第一公共電極層41與柵電極層500同層設(shè)置，具體結(jié)構(gòu)與圖2中雙面顯示基板的結(jié)構(gòu)相同，此處不再贅述。
[0058]基于上述雙面顯示基板的結(jié)構(gòu)，本實(shí)施例還提供一種該雙面顯示基板的制備方法，包括在襯底6上形成驅(qū)動(dòng)晶體管5、正面發(fā)光層1、反面發(fā)光層2、像素電極層3和公共電極層4，正面發(fā)光層I和反面發(fā)光層2分別形成于與其對應(yīng)的像素電極層3和公共電極層4之間，反面發(fā)光層2對應(yīng)的公共電極層4與驅(qū)動(dòng)晶體管5的柵電極層500采用一次構(gòu)圖工藝同時(shí)形成。
[0059]上述雙面顯不基板的具體制備步驟為:
[0060]步驟S1:在襯底6上依次制備有源區(qū)501和柵絕緣層502并沉積柵電極層膜，其中，柵電極層膜包括采用透明導(dǎo)電材料形成的底層膜5001和采用金屬導(dǎo)電材料形成的上層膜5002，如圖3所示。
[0061]步驟S2:在完成步驟S I的襯底6上涂抹光刻膠，并采用半色調(diào)掩模板對光刻膠進(jìn)行曝光顯影工藝，在對應(yīng)形成柵電極層500的區(qū)域和對應(yīng)形成信號(hào)走線7的區(qū)域保留厚度較大的光刻膠層81，在對應(yīng)形成第二公共電極層42的區(qū)域保留厚度較小的光刻膠層82，將對應(yīng)柵電極層500、信號(hào)走線7和第二公共電極層42以外區(qū)域的光刻膠去除，如圖4所不O
[0062]步驟S3:對完成步驟S2的襯底6進(jìn)行刻蝕處理，去除沒有光刻膠保護(hù)的區(qū)域的柵電極層膜，即將沒有光刻膠保護(hù)區(qū)域的底層膜5001和上層膜5002全部去除，如圖5所示。
[0063]步驟S4:對完成步驟S3的襯底6上的光刻膠進(jìn)行灰化處理，去除對應(yīng)形成第二公共電極層42的區(qū)域的厚度較小的光刻膠82，部分去除對應(yīng)形成柵電極層500的區(qū)域和對應(yīng)形成信號(hào)走線7的區(qū)域的厚度較大的光刻膠81，即在對應(yīng)形成柵電極層500的區(qū)域和對應(yīng)形成信號(hào)走線7的區(qū)域光刻膠還保留有一定厚度，如圖6所示。
[0064]步驟S5:對完成步驟S4的襯底6進(jìn)行刻蝕處理，去除沒有光刻膠保護(hù)的區(qū)域內(nèi)的柵電極層膜中的上層膜5002 (即金屬導(dǎo)電材料層)，保留該區(qū)域內(nèi)的柵電極層膜中的底層膜5001 (即透明導(dǎo)電材料層)，至此，第二公共電極層42的圖形形成，如圖7所示。
[0065]步驟S6:去除完成步驟S5的襯底6上剩下的光刻膠，形成柵電極層500的圖形和信號(hào)走線7的局部圖形，如圖8所示。
[0066]使襯底6上的第二公共電極層42僅保留柵電極層膜中的底層膜5002(即透明導(dǎo)電層)，在其它區(qū)域，柵電極層膜為完整的兩層結(jié)構(gòu)。需要說明的是，在其它區(qū)域，也可以選擇性地去除柵電極層膜中的上層不透明的金屬導(dǎo)電材料，但由于這些區(qū)域的柵電極層膜不起顯示作用，大多僅為傳輸電信號(hào)，因此，本實(shí)施例中優(yōu)選除第二公共電極層42之外的其他區(qū)域保留完整的柵電極層膜，以達(dá)到減小電阻率，避免出現(xiàn)信號(hào)失真的不良情況。
[0067]步驟S7:在完成步驟S6的襯底6上沉積形成第一絕緣層503，通過光刻工藝去除第二公共電極層42上方對應(yīng)的第一絕緣層503，形成第一開口區(qū)域504 ;并去除驅(qū)動(dòng)晶體管5漏極上方對應(yīng)的第一絕緣層503和柵絕緣層502，形成第一過孔505 ;同時(shí)去除驅(qū)動(dòng)晶體管5源極上方對應(yīng)的第一絕緣層503和柵絕緣層502，形成第四過孔508 ;去除信號(hào)走線7上方對應(yīng)的第一絕緣層503，形成第五過孔509，如圖9-圖10所示。
[0068]步驟S8:在完成步驟S7的襯底6上制備反面發(fā)光層2，反面發(fā)光層2與第二公共電極層42的位置相對應(yīng)且接觸連接，如圖11所示。
[0069]步驟S9:在完成步驟S8的襯底6上制備形成像素電極層3和數(shù)據(jù)電極層9的結(jié)構(gòu)，如圖12所示。
[0070]其中，像素電極層3對應(yīng)形成在反面發(fā)光層2上方并與反面發(fā)光層2相接觸并連接；像素電極層3與數(shù)據(jù)電極層9可以采用相同的材料在一次構(gòu)圖工藝中制備形成，也可以分別制備；像素電極層3與數(shù)據(jù)電極層9之間也可以存在別的膜層結(jié)構(gòu)，但只要保證像素電極層3要與反面發(fā)光層2相接觸并連接即可。數(shù)據(jù)電極層9通過第四過孔508與驅(qū)動(dòng)晶體管5的源極連接。另外，在對應(yīng)數(shù)據(jù)信號(hào)走線71的上方也形成有數(shù)據(jù)電極層9，數(shù)據(jù)電極層9通過第五過孔509與數(shù)據(jù)信號(hào)走線71連接，從而便于測試信號(hào)的引入。為簡化工藝制備難度，本發(fā)明技術(shù)方案優(yōu)選像素電極層3與數(shù)據(jù)電極層9采用相同材料同時(shí)制備。
[0071]步驟SlO:在完成步驟S9的襯底6上形成第二絕緣層506，通過光刻工藝去除像素電極層3上方對應(yīng)的第二絕緣層506，形成第二開口區(qū)域507，并去除信號(hào)走線7上方對應(yīng)的第二絕緣層506，形成第六過孔600，如圖13-圖14所示。
[0072]步驟Sll:在完成步驟SlO的襯底6上制備形成正面發(fā)光層1，正面發(fā)光層I與像素電極層3的位置相對應(yīng)并相接觸連接，如圖15所示。
[0073]其中，正面發(fā)光層I與反面發(fā)光層2可以采用相同材料制備，也可以根據(jù)設(shè)計(jì)需要采用不同材料，制備工藝在此不限。
[0074]步驟S12:在完成步驟Sll的襯底6上形成第一公共電極層41 ;第一公共電極層41在對應(yīng)數(shù)據(jù)信號(hào)走線71的位置通過第六過孔600與數(shù)據(jù)電極層9連接；第一公共電極層41在對應(yīng)掃描信號(hào)走線72的位置通過第五過孔509和第六過孔600與柵電極層500連接，如圖2所示。
[0075]如此設(shè)置，能夠降低第一公共電極層41在過孔區(qū)出現(xiàn)斷裂等不良情況的出現(xiàn)。其中，第一公共電極層41采用透明導(dǎo)電材料制備；第一公共電極層41與第二公共電極層42可以采用相同或不同的材料制備；但為簡化工藝，節(jié)約生產(chǎn)成本，第一公共電極層41與第二公共電極層42采用相同材料，即都采用透明導(dǎo)電材料制備。
[0076]至此，雙面顯示基板制備完畢。
[0077]實(shí)施例2:
[0078]本實(shí)施例提供一種雙面顯示基板，與實(shí)施例1不同的是，如圖16所示，子像素單元包括用于控制正面發(fā)光層I發(fā)光的第一驅(qū)動(dòng)晶體管51和用于控制反面發(fā)光層2發(fā)光的第二驅(qū)動(dòng)晶體管52，第一驅(qū)動(dòng)晶體管51和第二驅(qū)動(dòng)晶體管52共用同一柵電極層500 ;像素電極層3包括對應(yīng)正面發(fā)光層I的第一像素電極層31和對應(yīng)反面發(fā)光層2的第二像素電極層32，正面發(fā)光層I和反面發(fā)光層2共用同一公共電極層4，公共電極層4與柵電極層500同層設(shè)置。
[0079]如此設(shè)置，能使第一驅(qū)動(dòng)晶體管51和第二驅(qū)動(dòng)晶體管52分別對正面發(fā)光層I和反面發(fā)光層2的發(fā)光進(jìn)行控制，從而實(shí)現(xiàn)該雙面顯示基板正面和反面能分別顯示不同內(nèi)容，也可以實(shí)現(xiàn)該雙面顯示基板正面和反面能同時(shí)顯示相同內(nèi)容，進(jìn)而使該雙面顯示基板的顯示更加靈活。
[0080]本實(shí)施例中，在雙面顯示基板的的垂直于其顯示面的縱切面上，第一驅(qū)動(dòng)晶體管5和第二驅(qū)動(dòng)晶體管52的位置相對應(yīng)，正面發(fā)光層1、反面發(fā)光層2、第一像素電極層31、第二像素電極層32和公共電極層4的位置相對應(yīng)。正面發(fā)光層I和第一像素電極層31依次設(shè)置在公共電極層4的遠(yuǎn)離反面發(fā)光層2的一側(cè)，反面發(fā)光層2和第二像素電極層32依次設(shè)置在公共電極層4的遠(yuǎn)離正面發(fā)光層I的一側(cè)