耦接至互連件326，從而使第一半導體管芯304和第二半導體管芯306的信號能夠電耦接至互連件326。
[0075]封裝材料352覆蓋第一半導體管芯304、第二半導體管芯306、接合線330、互連件328及第一絕緣層316。封裝材料352可以是相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員已知的任何合適類型的封裝材料(高級、中級或低級)。在一個實施方式中，封裝材料352可以包括高級材料(例如，具有小于20微米的最大填充物尺寸和/或具有低α粒子發(fā)射率的材料)。
[0076]第二半導體封裝件302Β和第三半導體封裝件302C可以以與第一半導體封裝件302Α類似的方式配置。因而，為了便于說明，不分開詳細描述封裝件302Β和封裝件302C的結(jié)構(gòu)。應注意，第一半導體封裝件302Α、第二半導體封裝件302Β及第三半導體封裝件302C的每個可以包括具有變化的尺寸和/或功能的任意數(shù)量的半導體管芯。另外，第一半導體封裝件302Α、第二半導體封裝件302Β和第三半導體封裝件302C可以各自包括不同的特征。例如，如圖3Α中所示，第三半導體封裝件302C包括電磁干擾(ΕΜΙ)屏蔽層358。ΕΜΙ屏蔽層358可以包括金屬(例如，銅、鎳、金、銀、鈾、鈷、鈦、絡(luò)、錯、鉬、舒、給、媽、錸和/或類似物)。在封裝件302C的示例中，ΕΜΙ屏蔽層358包圍封裝件基板的頂表面上的一對堆疊的管芯。以這種方式，ΕΜΙ屏蔽層358執(zhí)行關(guān)于在操作過程中從一個或兩個管芯中發(fā)出的輻射和/或關(guān)于在操作過程中保護一個或多個管芯免受在封裝件302C外部的源產(chǎn)生的ΕΜΙ的ΕΜΙ屏蔽。
[0077]如上所述，半導體封裝件302Α、半導體封裝件302Β和半導體封裝件302C放置為側(cè)向鄰近于彼此。例如，半導體封裝件302Α、半導體封裝件302Β和半導體封裝件302C可以放置為使得第一半導體封裝件302Α的基板308基本上與第二半導體封裝件302Β的基板共面，并且使得第二半導體封裝件302Β的基板基本上與第三半導體封裝件302C的基板共面。
[0078]根據(jù)實施方式，步驟202還可以包括將第一半導體封裝件的第一表面和第二半導體封裝件的第一表面附接至粘合材料層。例如，如圖3Β中所示，第一半導體封裝件302Α的第一表面336、第二半導體封裝件302Β的第一表面354和第三半導體封裝件302C的第一表面356附接至粘合材料層340。粘合材料層340可以是具有粘合材料(樹脂、粘膠劑等，能夠暫時施加(apply，涂覆)粘合材料層340，并且隨后從封裝件去除粘合材料層340)在其表面上的片或者帶(例如，紙張、塑料等)。
[0079]根據(jù)另一實施方式，步驟202還可以包括將其他半導體封裝件放置為緊鄰半導體封裝件302A、半導體封裝件302B和半導體封裝件302C以形成條半導體封裝件(例如，單個縱列)或者板半導體封裝件(例如，多維陣列)。這些其他半導體封裝件可以用于形成其他一個或多個多芯片模塊。
[0080]例如，圖3F至圖3G示出了根據(jù)實施方式的可以包括半導體封裝件組的條和板的示例。具體地，圖3F示出了在粘合材料層340上布置為條格式的半導體封裝件的第一組370A、半導體封裝件的第二組370B、半導體封裝件的第三組370C和半導體封裝件的第四組370D。第一組370A、第二組370B、第三組370C和第四組370D的每個可以包括多個半導體封裝件(例如，第一半導體封裝件302A、第二半導體封裝件302B和第三半導體封裝件302C，如圖3A至圖3B所示)。圖3G示出了在粘合材料層340上布置為板格式的第一組半導體封裝件370A、第二組半導體封裝件370B、第三組半導體封裝件370C、第四組半導體封裝件370D、第五組半導體封裝件370E和第六組半導體封裝件370F。如圖3G中所示，第一組370A、第二組370B、第三組370C、第四組370D、第五組370E和第六組370F可以布置成基本上統(tǒng)一的橫行和/或縱列，但是實施方式的范圍在這方面不受限制。
[0081]根據(jù)另一實施方式，第一半導體封裝件和第二半導體封裝件可以通過一個或多個互連件機械并電氣地耦接。例如，如圖3C中所示，第一半導體封裝件302A和第二半導體封裝件302B通過互連件342機械并電氣地耦接，并且第二半導體封裝件302B和第三半導體封裝件302C通過互連件344機械并電氣地耦接?；ミB件342和互連件344可以使來自位于第一半導體封裝件302A的半導體管芯的信號能夠在位于第二半導體封裝件302B和/或第三半導體封裝件302C的半導體管芯之間被傳送。例如，互連件342和互連件344的每個可以耦接至各自的半導體封裝件(例如，半導體封裝件302A、半導體封裝件302B和半導體封裝件302C)的各自的第一導電層(例如，第一導電層320)。例如，互連件342和互連件344中的每個可以耦接至第三導電層(例如，第三導電層334)，該第三導電層包括在各個半導體封裝件的第二絕緣層(例如，第二絕緣層318)中。第三導電層通過通孔(例如，通孔332)耦接至第一導電層。
[0082]互連件342和互連件344可以包括一個或多個接合線、一個或多個無源組件(例如，一個或多個電阻器)和/或類似物?；ミB件342和互連件344可以以任何方式(包括通過拾取和放置裝置、引線接合裝置等)來施加。雖然互連件342和344在圖3C中示出為各自耦接第一封裝件至第二封裝件，但是可以存在任意數(shù)量的互連件以耦接具體的封裝件至一個或多個其他封裝件，任意數(shù)量的互連件包括幾個、幾十個、數(shù)百個、乃至數(shù)千個的許多互連件。
[0083]回到圖2，在步驟204，第一半導體封裝件和第二半導體封裝件至少部分在封裝材料中被封裝。根據(jù)實施方式，第一半導體封裝件和第二半導體封裝件可以使用膜輔助模制工藝、插入模制工藝(例如，橡膠插入模制工藝)和/或類似物至少部分地在封裝材料中被封裝。例如，圖3D示出了膜輔助模制工藝，其中，一層或多層膜346可以在第一半導體封裝件302A、第二半導體封裝件302B和第三半導體封裝件302C的互連件326上被施加。例如，膜346可以是與互連件326 —致的和/或可以在壓力或者壓縮下保持鄰近于互連件326的彈性材料的塑料或者其他層。此后，在膜346與粘合材料層340之間的第一半導體封裝件302A、第二半導體封裝件302B、和第三半導體封裝件302C的一側(cè)(如通過箭頭364示出的)施加封裝材料348。封裝材料348可以是如相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員已知的任何合適的封裝材料。在實施方式中，封裝材料348可以包括低級材料(例如，具有40微米至50微米的最大填充物尺寸和/或具有比較高的α粒子放射率(例如，大于0.02 α粒子/小時.cm2)的材料)。
[0084]在注入并對封裝材料348進行固化之后，將一層或多層膜346從互連件326去除和/或?qū)⒄澈喜牧蠈?40從第一半導體封裝件302A的第一表面336、第二半導體封裝件302B的第一表面354和第三半導體封裝件302C的第一表面356去除，從而形成包括部分暴露的互連件326的多芯片模塊。
[0085]根據(jù)其中其他半導體封裝件放置為緊鄰條格式或者板格式的半導體封裝件302A、半導體封裝件302B和半導體封裝件302C的實施方式(例如，如圖3F至圖3G所示)，步驟204可以包括在封裝材料348中至少部分地封裝條半導體封裝件或者板半導體封裝件。
[0086]例如，圖3H至圖31示出了根據(jù)實施方式的可以包括半導體封裝件組的封裝的條和板的示例。具體地，圖3H示出了在封裝材料348中封裝第一組半導體封裝件370A、第二組半導體封裝件370B、第三組半導體封裝件370C和第四組半導體封裝件370D的封裝的條380。圖31示出了在封裝材料348中封裝第一組半導體封裝件370A、第二組半導體封裝件370B、第三組半導體封裝件370C、第四組半導體封裝件370D、第五組半導體封裝件370E和第六組半導體封裝件370F的封裝板382。如圖3H至圖31的每個所示，包括在第一組370A、第二組370B、第三組370C、第四組370D、第五組370E和/或第六組370F的每個中的半導體封裝件(例如，如圖3E中所示的第一半導體封裝件302A、第二半導體封裝件302B和第三半導體封裝件302C)的互連件326部分被暴露，使得互連件326從封裝材料348突出。
[0087]返回至圖2，在步驟206中，封裝的第一半導體封裝件和第二半導體封裝件與條或者板分離(singulate，單一化)以形成多芯片模塊。例如，根據(jù)其中其他半導體封裝件以條格式或者板格式(例如，如圖3F至圖3G所示)放置為緊鄰半導體封裝件302A、半導體封裝件302B和半導體封裝件302C并且隨后通過封裝材料348封裝(如以上關(guān)于步驟204的描述，并且如圖3H至圖31中示出)的實施方式，流程圖200可以選擇性地包括將半導體封裝件組(例如，第一組370A、第二組370B、第三組370C、第四組370D、第五組370E和/或第六組370F，如圖3H至圖31所示)的條或者板分離為不同的多芯片模塊的步驟206。半導體封裝件可以以相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員已知的任何合適的方式被分離，以物理分開半導體封裝件組與其他半導體封裝件組。例如，半導體封裝件可以通過鋸、刨槽機、激光器或者根據(jù)任何其他分離技術(shù)來分離。
[0088]圖3E示出了產(chǎn)生的多芯片模塊300。如圖3E中所示，通過封裝材料348部分封裝第一半導體封裝件302A、第二半導體封裝件302B和第三半導體封裝件302C的每個。具體