這些新的實(shí)施方式能以其他各種方式進(jìn)行實(shí)施，在不 脫離發(fā)明要點(diǎn)的范圍內(nèi)能進(jìn)行各種省略、置換、改變。這些實(shí)施方式極其變形包含在發(fā)明的 范圍和要點(diǎn)內(nèi)，且包含在權(quán)利要求書所記載的發(fā)明及其均等的范圍內(nèi)。 【實(shí)施例】
[0074] 在本實(shí)施例中，對(duì)永磁體的具體例進(jìn)行說(shuō)明。此外，在本實(shí)施例中，對(duì)包含Zr作為 Μ元素的永磁體進(jìn)行說(shuō)明。
[0075] (實(shí)施例1、實(shí)施例2) 在以規(guī)定比率來(lái)秤量用于永磁體的各原料并進(jìn)行混合后，在Ar氣體氣氛中進(jìn)行電弧 熔解，以制作合金鑄塊。將上述合金鑄塊在1170°C下保持16小時(shí)以進(jìn)行熱處理，然后，對(duì)合 金鑄塊實(shí)施粗粉碎并利用噴射磨來(lái)實(shí)施粉碎，以調(diào)制作為磁體的原料粉末的合金粉末。將 所獲得的合金粉末在磁場(chǎng)中進(jìn)行沖壓成形，以制作壓縮成形體。
[0076] 接著，將合金粉末的壓縮成形體配置于燒結(jié)爐腔體內(nèi)，在使腔體內(nèi)形成真空狀態(tài) 之后，使得室溫升溫至1175 °C并在到達(dá)溫度下保持20分鐘，然后，導(dǎo)入Ar氣體，在Ar氣氛 中使得升溫至1220Γ，在到達(dá)溫度下保持4小時(shí)來(lái)進(jìn)行燒結(jié)。接著，如表2所示，在1190°C 下保持6小時(shí)，從而進(jìn)行高質(zhì)化處理。接著，以4. 0°C /分鐘的冷卻速度緩慢冷卻至1170°C， 在到達(dá)溫度下將燒結(jié)體保持12小時(shí)以進(jìn)行溶體化處理，然后，冷卻至室溫。此外，將溶體化 處理后的冷卻速度設(shè)為170°C /分鐘。
[0077] 接著，將溶體化處理后的燒結(jié)體升溫至750°C，在到達(dá)溫度下保持2小時(shí)之后，以 1. 5°C /分鐘的冷卻速度緩慢冷卻至350°C。接著，作為時(shí)效處理，升溫至835°C，在到達(dá)溫 度下保持30分鐘。然后，以1. 0°C /分鐘的冷卻速度緩慢冷卻至550°C，在到達(dá)溫度下保持 4小時(shí)。然后，以1. 0°C /分鐘的冷卻速度緩慢冷卻至400°C，在到達(dá)溫度下保持1小時(shí)。然 后，爐冷至室溫，從而獲得磁體。
[0078] 另外，利用感應(yīng)親合發(fā)光等離子體（Inductively Coupled Plasma :ICP)法來(lái)實(shí)施 磁體的組成分析。此外，通過(guò)以下步驟利用ICP法來(lái)進(jìn)行組成分析。首先，用研缽將從所述 測(cè)定部位所采集的試料進(jìn)行粉碎，量取一定量的粉碎試料，將其倒入石英制燒杯。然后，將 混合酸（包含硝酸和鹽酸的酸）倒入燒杯，在熱壓機(jī)上加熱至140°C左右，使燒杯中的試料 完全溶解。進(jìn)一步在冷卻后，轉(zhuǎn)移并定容至PFA制量瓶，以形成試料溶液。
[0079] 此外，利用ICP光譜分析裝置，通過(guò)標(biāo)定曲線法來(lái)對(duì)上述試料溶液的含有成分進(jìn) 行定量。作為ICP光譜分析裝置，使用SII Nano Technology公司制、SPS4000。所獲得的 磁體的組成如表1所示。另外，對(duì)富Cu-M相的Cu濃度和Μ濃度、富Cu-M相的直徑、晶粒的 平均粒徑、矩形比、矯頑力、以及殘留磁化進(jìn)行測(cè)定。其結(jié)果如表3所示。此外，在各實(shí)施例 及比較例中，作為測(cè)定裝置，使用日立高新技術(shù)公司制HD2300。
[0080] (實(shí)施例3、實(shí)施例4、實(shí)施例5) 在以規(guī)定比率來(lái)秤量各原料并進(jìn)行混合后，在Ar氣體氣氛中進(jìn)行高頻熔解，以制作合 金鑄塊。在對(duì)合金鑄塊實(shí)施粗粉碎后，在1180°C下實(shí)施8小時(shí)的熱處理，通過(guò)急速冷卻來(lái)冷 卻至室溫。接著，實(shí)施粗粉碎并利用噴射磨來(lái)實(shí)施粉碎，以調(diào)制作為磁體的原料粉末的合金 粉末。進(jìn)一步將上述合金粉末在磁場(chǎng)中進(jìn)行沖壓成形，以制作壓縮成形體。
[0081] 接著，將合金粉末的壓縮成形體配置于燒結(jié)爐的腔體內(nèi)，使腔體內(nèi)形成真空度為 8. 5X 10 3Pa的真空狀態(tài)，之后，使得升溫至1170°C，在到達(dá)溫度下保持20分鐘后，將Ar氣 體導(dǎo)入腔體內(nèi)。將處于Ar氣氛中的腔體內(nèi)的溫度升溫至1190°C，在到達(dá)溫度下保持5小時(shí) 來(lái)進(jìn)行燒結(jié)。接著，如表2所示，在1160°C下保持2小時(shí)，從而進(jìn)行高質(zhì)化處理。接著，以 4. 0°C /分鐘的冷卻速度緩慢冷卻至1140°C，在到達(dá)溫度下將燒結(jié)體保持16小時(shí)以進(jìn)行溶 體化處理，然后，冷卻至室溫。此外，將溶體化處理后的冷卻速度設(shè)為150°C /分鐘。
[0082] 接著，將溶體化處理后的燒結(jié)體升溫至700°C，在到達(dá)溫度下保持2小時(shí)后，作為 后續(xù)的時(shí)效處理，升溫至815°C，在到達(dá)溫度下保持50小時(shí)。然后，以0. 6°C /分鐘的冷卻 速度緩慢冷卻至450°C，在到達(dá)溫度下保持4小時(shí)。然后，以0. 5°C /分鐘的冷卻速度緩慢 冷卻至380°C，在到達(dá)溫度下保持1小時(shí)。然后，爐冷至室溫，從而獲得磁體。
[0083] 此外，利用上述ICP光譜分析裝置，通過(guò)標(biāo)定曲線法來(lái)對(duì)上述試料溶液的含有成 分進(jìn)行定量。所獲得的磁體的組成如表1所示。另外，與其它實(shí)施例相同，對(duì)富Cu-M相的 Cu濃度和Μ濃度、富Cu-M相的直徑、晶粒的平均粒徑、矩形比、矯頑力、以及殘留磁化進(jìn)行測(cè) 定。其結(jié)果如表3所不。
[0084] (實(shí)施例6、實(shí)施例7) 在以規(guī)定比率來(lái)秤量各原料并進(jìn)行混合后，在Ar氣體氣氛中進(jìn)行高頻熔解，以制作合 金鑄塊。在對(duì)合金鑄塊實(shí)施粗粉碎后，在1180°C下實(shí)施8小時(shí)的熱處理，通過(guò)急速冷卻來(lái)冷 卻至室溫。接著，實(shí)施粗粉碎并利用噴射磨來(lái)實(shí)施粉碎，以調(diào)制作為磁體的原料粉末的合金 粉末。進(jìn)一步將上述合金粉末在磁場(chǎng)中進(jìn)行沖壓成形，以制作壓縮成形體。
[0085] 接著，將合金粉末的壓縮成形體配置于燒結(jié)爐的腔體內(nèi)，使腔體內(nèi)形成真空度為 7. 5X 10 3Pa的真空狀態(tài)后，使得升溫至1160°C，在到達(dá)溫度下保持30分鐘后，將Ar氣體 導(dǎo)入腔體內(nèi)。將處于Ar氣氛中的腔體內(nèi)的溫度升溫至1180°C，在到達(dá)溫度下保持5小時(shí) 來(lái)進(jìn)行燒結(jié)。接著，如表2所示，在1150°C下保持10小時(shí)，從而進(jìn)行高質(zhì)化處理。接著，以 4. 0°C /分鐘的冷卻速度緩慢冷卻至1120°C，在到達(dá)溫度下將燒結(jié)體保持12小時(shí)以進(jìn)行溶 體化處理，然后，冷卻至室溫。此外，將溶體化處理后的冷卻速度設(shè)為220°C /分鐘。
[0086] 接著，將溶體化處理后的燒結(jié)體升溫至670°C，在到達(dá)溫度下保持1小時(shí)后，作為 后續(xù)的時(shí)效處理，升溫至840°C，在到達(dá)溫度下保持45小時(shí)。然后，以0. 6°C /分鐘的冷卻 速度緩慢冷卻至500°C，在到達(dá)溫度下保持1小時(shí)。然后，以0. 5°C /分鐘的冷卻速度緩慢 冷卻至400°C，在到達(dá)溫度下保持1小時(shí)。然后，爐冷至室溫，從而獲得磁體。
[0087] 與其它實(shí)施例相同，利用ICP法來(lái)確認(rèn)上述各磁體的組成。所獲得的磁體的組成 如表1所示。另外，與其它實(shí)施例相同，對(duì)富Cu-M相的Cu濃度和Μ濃度、富Cu-M相的直徑、 晶粒的平均粒徑、矩形比、矯頑力、以及殘留磁化進(jìn)行測(cè)定。其結(jié)果如表3所示。
[0088] (實(shí)施例8) 在以規(guī)定比率來(lái)秤量各原料并進(jìn)行混合后，在Ar氣體氣氛中進(jìn)行高頻熔解，以制作合 金鑄塊。在對(duì)上述合金鑄塊實(shí)施粗粉碎后，在1165°C下實(shí)施12小時(shí)的熱處理，通過(guò)急速冷 卻來(lái)冷卻至室溫。接著，實(shí)施粗粉碎并利用噴射磨來(lái)實(shí)施粉碎，以調(diào)制作為磁體的原料粉末 的合金粉末。進(jìn)一步將上述合金粉末在磁場(chǎng)中進(jìn)行沖壓成形，以制作壓縮成形體。
[0089] 接著，將合金粉末的壓縮成形體配置于燒結(jié)爐的腔體內(nèi)，使腔體內(nèi)形成真空度為 9. 0 X 10 3Pa的真空狀態(tài)后，使得升溫至1160°C，在到達(dá)溫度下保持30分鐘后，將Ar氣體導(dǎo) 入腔體內(nèi)。將處于Ar氣氛中的腔體內(nèi)的溫度升溫至1190°C，在到達(dá)溫度下保持4小時(shí)來(lái)進(jìn) 行燒結(jié)。接著，如表2所示，在1160°C下保持6小時(shí)，從而進(jìn)行高質(zhì)化處理。接著，以5°C/ 分鐘的冷卻速度緩慢冷卻至1120Γ，在到達(dá)溫度下將燒結(jié)體保持12小時(shí)以進(jìn)行溶體化處 理，然后，冷卻至室溫。此外，將溶體化處理后的冷卻速度設(shè)為170°C /分鐘。
[0090] 接著，將溶體化處理后的燒結(jié)體升溫至710°C，在到達(dá)溫度下保持4小時(shí)后，作為 后續(xù)的時(shí)效處理，升溫至830°C，在到達(dá)溫度下保持45小時(shí)。然后，以0. 8°C /分鐘的冷卻 速度緩慢冷卻至600°C，在到達(dá)溫度下保持4小時(shí)。然后，以0. 5°C /分鐘的冷卻速度緩慢 冷卻至400°C，在到達(dá)溫度下保持1小時(shí)。然后，爐冷至室溫，從而獲得磁體。
[0091] 與其它實(shí)施例相同，利用ICP法來(lái)確認(rèn)上述各磁體的組成。所獲得的磁體的組成 如表1所示。另外，與其它實(shí)施例相同，對(duì)富Cu-M相的Cu濃度和Μ濃度、富Cu-M相的直徑、 晶粒的平均粒徑、矩形比、矯頑力、以及殘留磁化進(jìn)行測(cè)定。其結(jié)果如表3所示。
[0092] (實(shí)施例9至實(shí)施例13) 將與實(shí)施例8相同組成的合金粉末用于原料，在磁場(chǎng)中進(jìn)行沖壓成形來(lái)制作壓縮成 形體。接著，將合金粉末的壓縮成形體配置于燒結(jié)爐的腔體內(nèi)，使腔體內(nèi)形成真空度為 9. 0 X 10 3Pa的真空狀態(tài)后，使得升溫至1160°C，在到達(dá)溫度下保持30分鐘后，將Ar氣體導(dǎo) 入腔體內(nèi)。將處于Ar氣氛中的腔體內(nèi)的溫度升溫至1190°C，在到達(dá)溫度下保持4小時(shí)來(lái)進(jìn) 行燒結(jié)。
[0093] 接著，進(jìn)行高質(zhì)化處理和溶體化處理。如表2所示，在實(shí)施例9中，在1180°C下保 持6小時(shí)，從而進(jìn)行高質(zhì)化處理。接著，以5°C /分鐘的冷卻速度緩慢冷卻至1120Γ，在到 達(dá)溫度下將燒結(jié)體保持12小時(shí)以進(jìn)行溶體化處理，然后，冷卻至室溫。此外，將溶體化處理 后的冷卻速度設(shè)為170°C /分鐘。
[0094] 在實(shí)施例10中，在1130°C下保持6小時(shí)，從而進(jìn)行高質(zhì)化處理。接著，以5°C /分 鐘的冷卻速度緩慢冷卻至1120°C，在到達(dá)溫度下將燒結(jié)體保持12小時(shí)以進(jìn)行溶體化處理， 然后，冷卻至室溫。此外，將溶體化處理后的冷卻速度設(shè)為170°C /分鐘。
[0095] 在實(shí)施例11中，在1160°C下保持10小時(shí)，從而進(jìn)行高質(zhì)化處理。接著，以5°C/分 鐘的冷卻速度緩慢冷卻至1120°C，在到達(dá)溫度下將燒結(jié)體保持12小時(shí)以進(jìn)行溶體化處理， 然后，冷卻至室溫。此外，將溶體化處理后的冷卻速度設(shè)為170°C /分鐘。
[0096] 在實(shí)施例12中，在1160°C下保持2小時(shí)，從而進(jìn)行高質(zhì)化處理。接著，以5°C /分 鐘的冷卻速度緩慢冷卻至1120°C，在到達(dá)溫度下將燒結(jié)體保持12小時(shí)以進(jìn)行溶體化處理， 然后，冷卻至室溫。此外，將溶體化處理后的冷卻速度設(shè)為170°C /分鐘。
[0097] 在實(shí)施例13中，在1160°C下保持6小時(shí)，從而進(jìn)行高質(zhì)化處理。接著，以2°C /分 鐘的冷卻速度緩慢冷卻至1120°C，在到達(dá)溫度下將燒結(jié)體保持12小時(shí)以進(jìn)行溶體化處理， 然后，冷卻至室溫。此外，將溶體化處理后的冷卻速度設(shè)為170°C /分鐘。
[0098] 然后，利用與實(shí)施例8相同的方法，在各實(shí)施例中對(duì)溶體化處理后的燒結(jié)體進(jìn)行 時(shí)效處理等，從而獲得磁體。
[0099] 與其它實(shí)施例相同，利用ICP法來(lái)確認(rèn)上述各磁體的組成。所獲得的磁體的組成 如表1所示。另外，與其它實(shí)施例相同，對(duì)富Cu-M相的Cu濃度和Μ濃度、富Cu-M相的直徑、 晶粒的平均粒徑、矩形比、矯頑力、以及殘留磁化進(jìn)行測(cè)定。其結(jié)果如表3所示。
[0100] (實(shí)施例 14) 將與實(shí)施例3相同組成的合金粉末用于原料，與實(shí)施例3相同，在磁場(chǎng)中進(jìn)行沖壓成形 來(lái)制作壓縮成形體。接著，將合金粉末的壓縮成形體配置于燒結(jié)爐的腔體內(nèi)，使腔體內(nèi)形成 真空度為9. 0 X 10 3Pa的真空狀態(tài)后，使得升溫至1160°C，在到達(dá)溫度下保持30分鐘后，將 Ar氣體導(dǎo)入腔體內(nèi)。將處于Ar氣氛中的腔體內(nèi)的溫度升溫至1190Γ，在到達(dá)溫度下保持 4小時(shí)來(lái)進(jìn)行燒結(jié)。
[0101] 接著，進(jìn)行高質(zhì)化處理。如表2所示，在實(shí)施例14中，在1160°C下保持8小時(shí)，從 而進(jìn)行高質(zhì)化處理。然后，利用與實(shí)施例3相同的方法和條件，進(jìn)行溶體化處理和時(shí)效處理