等各工序，從而獲得磁體。
[0102] 與其它實(shí)施例相同，利用ICP法來(lái)確認(rèn)上述各磁體的組成。所獲得的磁體的組成 如表1所示。另外，與其它實(shí)施例相同，對(duì)富Cu-M相的Cu濃度和Μ濃度、富Cu-M相的直徑、 晶粒的平均粒徑、矩形比、矯頑力、以及殘留磁化進(jìn)行測(cè)定。其結(jié)果如表3所示。
[0103] (實(shí)施例 I5) 將與實(shí)施例4相同組成的合金粉末用于原料，與實(shí)施例4相同，在磁場(chǎng)中進(jìn)行沖壓成形 來(lái)制作壓縮成形體。接著，將合金粉末的壓縮成形體配置于燒結(jié)爐的腔體內(nèi)，使腔體內(nèi)形成 真空度為9. 0 X 10 3Pa的真空狀態(tài)后，使得升溫至1160°C，在到達(dá)溫度下保持30分鐘后，將 Ar氣體導(dǎo)入腔體內(nèi)。將處于Ar氣氛中的腔體內(nèi)的溫度升溫至1190Γ，在到達(dá)溫度下保持 4小時(shí)來(lái)進(jìn)行燒結(jié)。
[0104] 接著，進(jìn)行高質(zhì)化處理。如表2所示，在實(shí)施例15中，在1160°C下保持8小時(shí)，從 而進(jìn)行高質(zhì)化處理。然后，利用與實(shí)施例4相同的方法和條件，進(jìn)行溶體化處理和時(shí)效處理 等各工序，從而獲得磁體。
[0105] 與其它實(shí)施例相同，利用ICP法來(lái)確認(rèn)上述各磁體的組成。所獲得的磁體的組成 如表1所示。另外，與其它實(shí)施例相同，對(duì)富Cu-M相的Cu濃度和Μ濃度、富Cu-M相的直徑、 晶粒的平均粒徑、矩形比、矯頑力、以及殘留磁化進(jìn)行測(cè)定。其結(jié)果如表3所示。
[0106] (實(shí)施例 16) 將與實(shí)施例5相同組成的合金粉末用于原料，與實(shí)施例5相同，在磁場(chǎng)中進(jìn)行沖壓成形 來(lái)制作壓縮成形體。接著，將合金粉末的壓縮成形體配置于燒結(jié)爐的腔體內(nèi)，使腔體內(nèi)形成 真空度為9. 0 X 10 3Pa的真空狀態(tài)后，使得升溫至1160°C，在到達(dá)溫度下保持30分鐘后，將 Ar氣體導(dǎo)入腔體內(nèi)。將處于Ar氣氛中的腔體內(nèi)的溫度升溫至1190Γ，在到達(dá)溫度下保持 4小時(shí)來(lái)進(jìn)行燒結(jié)。
[0107] 接著，進(jìn)行高質(zhì)化處理。如表2所示，在實(shí)施例16中，在1160°C下保持8小時(shí)，從 而進(jìn)行高質(zhì)化處理。然后，利用與實(shí)施例5相同的方法和條件，進(jìn)行溶體化處理和時(shí)效處理 等各工序，從而獲得磁體。
[0108] 與其它實(shí)施例相同，利用ICP法來(lái)確認(rèn)上述各磁體的組成。所獲得的磁體的組成 如表1所示。另外，與其它實(shí)施例相同，對(duì)富Cu-M相的Cu濃度和Μ濃度、富Cu-M相的直徑、 晶粒的平均粒徑、矩形比、矯頑力、以及殘留磁化進(jìn)行測(cè)定。其結(jié)果如表3所示。
[0109] (比較例1、比較例2) 用與實(shí)施例1和實(shí)施例2分別相同的方法來(lái)制作具有表1所示組成的磁體。與實(shí)施例 相同，對(duì)富Cu-M相的Cu濃度和Μ濃度、富Cu-M相的直徑、晶粒的平均粒徑、矩形比、矯頑力、 以及殘留磁化進(jìn)行測(cè)定。其結(jié)果如表3所示。
[0110] (比較例3至比較例7) 將與實(shí)施例8相同組成的合金粉末用于原料，在磁場(chǎng)中進(jìn)行沖壓成形來(lái)制作壓縮成形 體。將該壓縮成形體配置于燒結(jié)爐的腔體內(nèi)，使腔體內(nèi)形成真空度9. 0 X 10 3Pa的真空狀態(tài) 后，以與實(shí)施例8相同的方法來(lái)進(jìn)行燒結(jié)。
[0111] 接著，如表2所示，在比較例3中，在燒結(jié)后，冷卻至1120°C，在到達(dá)溫度下將燒結(jié) 體保持12小時(shí)來(lái)進(jìn)行溶體化處理，然后冷卻至室溫。此外，將溶體化處理后的冷卻速度設(shè) 為170°C /分鐘。
[0112] 如表2所示，在比較例4中，在1185°C下保持6小時(shí)，從而進(jìn)行高質(zhì)化處理。接著， 以5°C /分鐘的冷卻速度緩慢冷卻至1120°C，在到達(dá)溫度下將燒結(jié)體保持12小時(shí)以進(jìn)行溶 體化處理，然后，冷卻至室溫。此外，將溶體化處理后的冷卻速度設(shè)為170°C /分鐘。
[0113] 如表2所示，在比較例5中，在1125°C下保持6小時(shí)，從而進(jìn)行高質(zhì)化處理。接著， 以5°C /分鐘的冷卻速度緩慢冷卻至1120°C，在到達(dá)溫度下將燒結(jié)體保持12小時(shí)以進(jìn)行溶 體化處理，然后，冷卻至室溫。此外，將溶體化處理后的冷卻速度設(shè)為170°C /分鐘。
[0114] 如表2所示，在比較例6中，在1160°C下保持0. 5小時(shí)，從而進(jìn)行高質(zhì)化處理。接 著，以5°C /分鐘的冷卻速度緩慢冷卻至1120°C，在到達(dá)溫度下將燒結(jié)體保持12小時(shí)以進(jìn) 行溶體化處理，然后，冷卻至室溫。此外，將溶體化處理后的冷卻速度設(shè)為170°C /分鐘。
[0115] 如表2所示，在比較例7中，在1160°C下保持20小時(shí)，從而進(jìn)行高質(zhì)化處理。接 著，以5°C /分鐘的冷卻速度緩慢冷卻至1120°C，在到達(dá)溫度下將燒結(jié)體保持12小時(shí)以進(jìn) 行溶體化處理，然后，冷卻至室溫。此外，將溶體化處理后的冷卻速度設(shè)為170°C /分鐘。
[0116] 然后，利用與實(shí)施例8相同的方法，在各比較例中對(duì)溶體化處理后的燒結(jié)體進(jìn)行 時(shí)效處理等，從而獲得磁體。
[0117] 與其它實(shí)施例相同，利用ICP法來(lái)確認(rèn)上述磁體的組成。上述各磁體的組成如表1 所示。另外，與其它實(shí)施例相同，對(duì)富Cu-M相的Cu濃度和Μ濃度、富Cu-M相的直徑、晶粒 的平均粒徑、矩形比、矯頑力、以及殘留磁化進(jìn)行測(cè)定。其結(jié)果如表3所示。
[0118] 由表1至表3可知，在實(shí)施例1至實(shí)施例16的永磁體中，例如與Sm濃度較高的比 較例1的永磁體和Zr濃度較高的比較例2的永磁體相比，富Cu-M相的直徑較小，構(gòu)成主相 的晶粒的平均粒徑較大，因此，顯現(xiàn)良好的矩形比、高矯頑力、以及高磁化。由此可知，通過(guò) 對(duì)構(gòu)成永磁體的富Cu-M相的各元素的量進(jìn)行調(diào)整，能提高磁體特性。
[0119] 在實(shí)施例8至實(shí)施例13的永磁體中，例如與未進(jìn)行高質(zhì)化處理的比較例3的永 磁體相比，富Cu-M相的直徑較小，構(gòu)成主相的晶粒的平均粒徑較大，因此，顯現(xiàn)良好的矩形 比、尚矯頑力、以及尚磁化。由此可知，通過(guò)進(jìn)彳丁尚質(zhì)化處理，能提尚磁體特性。
[0120] 在實(shí)施例8至實(shí)施例13的永磁體中，例如與高質(zhì)化處理中的保持溫度為1185°C的 比較例4的永磁體相比，富Cu-M相的直徑較小，構(gòu)成主相的晶粒的平均粒徑較大，因此，顯 現(xiàn)良好的矩形比、高矯頑力、以及高磁化。由此可知，通過(guò)對(duì)高質(zhì)化處理中的緩慢冷卻時(shí)的 保持溫度進(jìn)彳丁控制，能提尚磁體特性。
[0121] 在實(shí)施例8至實(shí)施例13的永磁體中，例如與高質(zhì)化處理中的保持時(shí)間為0. 5小時(shí) 的比較例6的永磁體相比，富Cu-M相的直徑較小，構(gòu)成主相的晶粒的平均粒徑較大，因此， 顯現(xiàn)良好的矩形比、高矯頑力、以及高磁化。另外，在實(shí)施例14至實(shí)施例16的永磁體中，例 如將高質(zhì)化處理中的保持時(shí)間設(shè)得分別比相同組成的實(shí)施例3至實(shí)施例5要長(zhǎng)，從而能進(jìn) 一步顯現(xiàn)良好的矩形比、高矯頑力、以及高磁化。由此可知，通過(guò)對(duì)高質(zhì)化處理中的緩慢冷 卻時(shí)的保持時(shí)間進(jìn)行控制，能提高磁體特性。
[0123] 如上所述，在實(shí)施例1至實(shí)施例16的永磁體中，對(duì)富Cu-M相的直徑的大小、構(gòu)成 主相的晶粒的粒徑進(jìn)行控制，從而即使在Fe濃度為23%以上的情況下，也都能顯現(xiàn)良好的 矩形比、高矯頑力、以及高磁化。由此可知，實(shí)施例1至實(shí)施例16的永磁體的磁特性較為優(yōu) 異。
[0124] 【表1】


【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種永磁體，該永磁體具備： 以組成式：RpFeqMrCutCo 1Q。pqrt (式中，R是從稀土類(lèi)元素中選出的至少一種元素，M是從由Zr、Ti和Hf所構(gòu)成的組 中選出的至少一種元素，P是滿(mǎn)足10. 8彡p彡12. 5原子％的數(shù)，q是滿(mǎn)足25彡q彡40原 子％的數(shù)，r是滿(mǎn)足0. 88彡r彡4. 5原子％的數(shù)，t是滿(mǎn)足3. 5彡t彡13. 5原子％的數(shù)） 來(lái)表示的組成；以及 包含具有Th2Zn17型晶相的主相、及Cu濃度和Μ濃度比所述主相要高的富Cu-M相的金 屬組織，所述永磁體的特征在于， 所述富Cu-M相的直徑為10μm以下。2. 如權(quán)利要求1所述的永磁體，其特征在于， 所述金屬組織包含設(shè)于構(gòu)成所述主相的晶粒之間的晶界相， 所述晶界相具有所述富Cu-M相。3. 如權(quán)利要求1所述的永磁體，其特征在于， 構(gòu)成所述主相的晶粒的平均粒徑為35μm以上。4. 如權(quán)利要求1所述的永磁體，其特征在于， 所述富Cu-M相具有 以組成式：RplFeqlMrlCutlC 〇1。。plqlrltl (pi是滿(mǎn)足8彡pi彡20原子％的數(shù)，ql是滿(mǎn)足 15彡ql彡35原子％的數(shù)，rl是滿(mǎn)足2 <rl彡15原子％的數(shù)，tl是滿(mǎn)足5彡tl彡25原 子％的數(shù)） 來(lái)表示的組成。5. 如權(quán)利要求1所述的永磁體，其特征在于， 所述主相包含：具有所述Th2Zn17型晶相的晶胞相；以及Cu濃度比所述晶胞相要尚的富Cu相。6. 如權(quán)利要求1所述的永磁體，其特征在于， 所述組成式中的元素R的總量的50原子％以上為Sm， 所述組成式中的元素Μ的50原子％以上為Zr。7. -種電動(dòng)機(jī)，其特征在于，具備如權(quán)利要求1所述的永磁體。8. -種發(fā)電機(jī)，其特征在于，具備如權(quán)利要求1所述的永磁體。9. 一種永磁體，該永磁體具備： 以組成式：RpFeqMrCutCo 1Q。pqrt (式中，R是從稀土類(lèi)元素中選出的至少一種元素，M是從由Zr、Ti和Hf所構(gòu)成的組 中選出的至少一種元素，P是滿(mǎn)足10. 8彡p彡12. 5原子％的數(shù)，q是滿(mǎn)足25彡q彡40原 子％的數(shù)，r是滿(mǎn)足0. 88彡r彡4. 5原子％的數(shù)，t是滿(mǎn)足3. 5彡t彡13. 5原子％的數(shù)） 來(lái)表示的組成；以及 包含具有Th2Zn17型晶相的主相、及設(shè)于構(gòu)成所述主相的晶粒之間的晶界相的金屬組 織，所述永磁體的特征在于， 所述晶界相具有Cu濃度和Μ濃度比所述主相要高的富Cu-M相， 構(gòu)成所述主相的晶粒的平均粒徑為35μm以上。10. 如權(quán)利要求9所述的永磁體，其特征在于， 所述富Cu-M相具有以 以組成式：RplFeqlMrlCutlC 〇1。。plqlrltl (pi是滿(mǎn)足8彡pi彡20原子％的數(shù)，ql是滿(mǎn)足 15彡ql彡35原子％的數(shù)，rl是滿(mǎn)足2 <rl彡15原子％的數(shù)，tl是滿(mǎn)足5彡tl彡25原 子％的數(shù)） 來(lái)表示的組成。11. 如權(quán)利要求9所述的永磁體，其特征在于， 所述主相包含：具有所述Th2Zn17型晶相的晶胞相；以及Cu濃度比所述晶胞相要尚的富Cu相。12. 如權(quán)利要求9所述的永磁體，其特征在于， 所述組成式中的元素R的總量的50原子％以上為Sm， 所述組成式中的元素Μ的50原子％以上為Zr。13. -種電動(dòng)機(jī)，其特征在于，具備如權(quán)利要求9所述的永磁體。14. 一種發(fā)電機(jī)，其特征在于，具備如權(quán)利要求9所述的永磁體。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供高性能的永磁體。具備：以組成式：RpFeqMrCutCo100-p-q-r-t(式中，R是從稀土類(lèi)元素中選出的至少一種元素，M是從由Zr、Ti和Hf所構(gòu)成的組中選出的至少一種元素，p是滿(mǎn)足10.8≤p≤12.5原子％的數(shù)，q是滿(mǎn)足25≤q≤40原子％的數(shù)，r是滿(mǎn)足0.88≤r≤4.5原子％的數(shù)，t是滿(mǎn)足3.5≤t≤13.5原子％的數(shù))來(lái)表示的組成；以及包含具有Th2Zn17型晶相的主相、及Cu濃度和M濃度比主相要高的富Cu-M相的金屬組織。
【IPC分類(lèi)】B22F3/24, C22C30/02, C22F1/18, C22C19/07, B22F3/00, H01F1/08, C22F1/00, H01F1/055
【公開(kāi)號(hào)】CN105264621
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201480002271
【發(fā)明人】堀內(nèi)陽(yáng)介, 櫻田新哉, 岡本佳子, 萩原將也, 小林剛史, 遠(yuǎn)藤將起, 小林忠彥, 真田直幸
【申請(qǐng)人】株式會(huì)社東芝
【公開(kāi)日】2016年1月20日
【申請(qǐng)日】2014年3月19日
【公告號(hào)】US20150270039, WO2015140832A1