一種發(fā)光顯示器及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種發(fā)光顯示器及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在信息社會(huì)的當(dāng)代，作為可視信息傳輸媒介的顯示器件的重要性在進(jìn)一步加強(qiáng)，為了在未來占據(jù)主導(dǎo)地位，顯示器件正朝著更輕、更薄、更低能耗、更低成本以及更好圖像質(zhì)量的趨勢發(fā)展。
[0003]由于有機(jī)電致發(fā)光二極管(0LED)具有自發(fā)光、反應(yīng)快、視角廣、亮度高、輕薄等優(yōu)點(diǎn)；而量子點(diǎn)發(fā)光二極管(QLED)具有光色純度高、發(fā)光量子效率高、發(fā)光顏色易調(diào)、使用壽命長等優(yōu)點(diǎn)，0LED和QLED成為目前顯示器件研究的兩個(gè)主要方向。
[0004]驅(qū)動(dòng)TFT陣列是0LED和QLED顯示器的一個(gè)重要組成部分。目前，顯示器件的制備過程通常為:在TFT陣列制作完成后，通過第一次光刻工藝在TFT的源/漏極上端挖一個(gè)孔露出源/漏極，然后沉積一層ΙΤ0，隨后通過第二次光刻工藝將ΙΤ0圖案化形成與TFT源/漏極相連的像素電極，在像素電極上制備發(fā)光器件。該方法制作過程較為復(fù)雜，此外，為了防止ΙΤ0像素電極周邊區(qū)域的短路、同時(shí)方便定義像素的位置和大小，在ΙΤ0像素電極周圍，往往需要制備一層像素bank。像素bank的制作額外增加了器件的制備工藝，同時(shí)也增大了器件的厚度，不利于顯示器的低成本生產(chǎn)以及輕薄特性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種發(fā)光顯示器，旨在解決現(xiàn)有發(fā)光顯示器需要增設(shè)像素bank導(dǎo)致發(fā)光顯示器件不夠輕薄、且成本相對高以及制備方法復(fù)雜的問題。
[0006]本發(fā)明的另一目的在于提供種發(fā)光顯示器的制備方法。
[0007]本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的，一種發(fā)光顯示器，包括TFT陣列基板，所述TFT陣列基板包括從下往上依次設(shè)置的基板、TFT陣列、鈍化層和平坦層，所述TFT陣列包括多個(gè)TFT，所述TFT包括源/漏極和柵極，所述平坦層上開設(shè)有子像素坑，且所述子像素坑的深度小于所述平坦層的厚度；所述子像素坑區(qū)域下方的所述平坦層和所述鈍化層開設(shè)有與所述源/漏極相通的通孔；所述子像素坑中依次設(shè)置有像素電極和發(fā)光單元中間功能層，所述發(fā)光單元中間功能層上設(shè)置有頂電極，其中，所述像素電極通過所述通孔與所述源/漏極相連。
[0008]以及，一種發(fā)光顯示器的制備方法，包括以下步驟:
[0009]提供TFT基板，所述TFT陣列基板包括從下往上依次設(shè)置的基板、TFT陣列、鈍化層和平坦層，所述TFT陣列包括多個(gè)TFT，所述TFT包括源/漏極和柵極；
[0010]在所述TFT基板上沉積光阻；
[0011]采用掩膜板對所述光阻進(jìn)行曝光處理，所述曝光處理包括對用于制作子像素坑的區(qū)域進(jìn)行半曝光、對所述源/漏極上方用于制作連通所述源/漏極和所述子像素坑的通孔區(qū)域進(jìn)行全曝光；
[0012]對所述光阻的曝光區(qū)域進(jìn)行顯影處理，使得所述全曝光區(qū)域的光阻完全去除、所述半曝光區(qū)域形成殘留光阻層；
[0013]對所述顯影處理的區(qū)域進(jìn)行干法刻蝕，使得所述平坦層在半曝光區(qū)域開口形成子像素坑、所述平坦層和所述鈍化層在全曝光區(qū)域開口形成通孔；
[0014]在所述子像素坑中沉積像素電極后，去除未經(jīng)曝光顯影處理的所述光阻；
[0015]在所述像素電極上制作發(fā)光器件。
[0016]本發(fā)明提供的發(fā)光顯示器，以所述平坦層作為像素bank層、在所述平坦層上開設(shè)子像素坑，由此得到的發(fā)光顯示器不需要額外設(shè)置像素bank，使得所述發(fā)光顯示器件更加輕薄、且成本降低，具有更好的市場前景。
[0017]本發(fā)明提供的發(fā)光顯示器的制備方法，對所述光阻進(jìn)行曝光處理，其中，對所述TFT源/漏極上方的通孔區(qū)域進(jìn)行全曝光、對所述像素電極區(qū)域進(jìn)行半曝光，進(jìn)而通過顯影、刻蝕處理，在所述平坦層上刻蝕形成所述子像素坑、并在所述源/漏極上方刻蝕挖孔形成通孔，得到以所述平坦層作為像素bank層的發(fā)光顯示器。本發(fā)明提供的發(fā)光顯示器的制備方法大大簡化了發(fā)光顯示器的制作工藝，且節(jié)約了制作成本。此外，本發(fā)明沉積完像素電極后，通過光阻剝離實(shí)現(xiàn)圖案化電極，可以進(jìn)一步簡化了發(fā)光顯示器的制作工藝，提高生產(chǎn)效率。
【附圖說明】
[0018]圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的發(fā)光顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的發(fā)光顯示器的制備方法中，在TFT基板上沉積光阻后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的發(fā)光顯示器的制備方法中，對光阻進(jìn)行曝光處理后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的發(fā)光顯示器的制備方法中，對光阻的曝光區(qū)域進(jìn)行顯影處理后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖5是本發(fā)明實(shí)施例提供的發(fā)光顯示器的制備方法中，在子像素坑中沉積像素電極后的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0023]圖6是本發(fā)明實(shí)施例提供的發(fā)光顯示器的制備方法中，去除未經(jīng)曝光顯影處理的光阻后的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0024]為了使本發(fā)明要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0025]結(jié)合附圖1，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種發(fā)光顯示器，包括TFT陣列基板1，所述TFT陣列基板1包括從下往上依次設(shè)置的基板11、TFT陣列、鈍化層13和平坦層14，所述TFT陣列包括多個(gè)TFT 12，所述TFT 12包括源/漏極121和柵極(圖中未標(biāo)出)，所述平坦層14上開設(shè)有子像素坑2，且所述子像素坑2的深度小于所述平坦層14的厚度；所述子像素坑2區(qū)域下方的所述平坦層14和所述鈍化層13開設(shè)有與所述源/漏極121相通的通孔3 ;所述子像素坑2中依次設(shè)置有像素電極41和發(fā)光單元中間功能層42，所述發(fā)光單元中間功能層42上設(shè)置有頂電極43，其中，所述像素電極41通過所述通孔2與所述源/漏極121相連。
[0026]具體的，本發(fā)明實(shí)施例中，所述TFT陣列基板1具有本領(lǐng)域常規(guī)TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)，既包括從下往上依次設(shè)置的基板11、TFT陣列、鈍化層13和平坦層14，所述TFT陣列包括多個(gè)TFT 12，所述TFT 12包括源/漏極121和柵極(圖中未標(biāo)出)。其中，所述基板11可以為硬質(zhì)基板或柔性基板，其中，所述硬質(zhì)基板可以為玻璃。作為具體實(shí)施例，所述TFT
12為非晶硅TFT、多晶硅TFT或金屬氧化物TFT中的一種；其中，所述多晶硅TFT包括低溫多晶硅TFT和高溫多晶硅TFT。
[0027]本發(fā)明實(shí)施例中，所述子像素坑2形成在所述平坦層14中，且所述子像素坑2的深度小于所述平坦層14的厚度。具體的，所述子像素坑2的深度以制作的反光單元的厚度來定。作為優(yōu)選實(shí)施例，所述子像素坑2的深度為1-3 μπι。所述平坦層14的厚度沒有明確的限定，由于所述平坦層14上需要形成所述子像素坑2，因此，所述平坦層14的厚度設(shè)置要比通常不作為像素bank層的平坦層厚度要厚3-5 μ m。
[0028]本發(fā)明實(shí)施例中，在所述子像素坑2中沉積有像素電極41，所述像素電極41填充所述通孔3與所述源/漏極121連通。所述像素電極41為透明電極或金屬電極，其中，所述透明電極包括導(dǎo)電金屬氧化物。
[0029]所述發(fā)光單元中間功能層42包括發(fā)光層。所述發(fā)光層由有機(jī)發(fā)光材料或無機(jī)發(fā)光材料中的至少一種制成，由此相應(yīng)得到0LED或QLED。為了提高電荷迀移效率，所述發(fā)光單元中間功能層42還包括電子注入層、電子傳輸層、空穴傳輸層和空穴注入層中的至少一層。作為優(yōu)選實(shí)施例，所述發(fā)光單元中間功能層42包括電子注入層、電子傳輸層、空穴傳輸層和空穴注入層。
[0030]所述發(fā)光單元中間功能層42上設(shè)置有頂電極43，所述頂電極43可以僅設(shè)置在所述發(fā)光單元中間功能層42上；也可以以整層沉積的方式，設(shè)置在所述發(fā)光單元中間功能層42和未開設(shè)所述子像素坑2的所述平坦層14上。
[0031 ] 本發(fā)明實(shí)施例中，所述像素電極41、所述發(fā)光單元中間功能層42和所述頂電極43共同構(gòu)成發(fā)光單元4。
[0032]本發(fā)明實(shí)施例提供的發(fā)光顯示器，以所述平坦層作為像素bank層、在所述平坦層上開設(shè)子像素坑，由此得到的發(fā)光顯示器不需要額外設(shè)置像素bank，使得所述發(fā)光顯示器件更加輕薄、且成本降低，具有更好的市場前景。
[0033]本發(fā)明實(shí)施例所