述發(fā)光顯示器，可以通過(guò)下述方法制備獲得，當(dāng)然，也可以通過(guò)其他方法制備獲得。
[0034]相應(yīng)地，結(jié)合圖1-6，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種發(fā)光顯示器的制備方法，包括以下步驟:
[0035]S01.提供TFT基板1，所述TFT陣列基板1包括從下往上依次設(shè)置的基板11、TFT陣列、鈍化層13和平坦層14，所述TFT陣列包括多個(gè)TFT 12，所述TFT 12包括源/漏極121和柵極；
[0036]S02.在所述TFT基板1上沉積光阻5 ；
[0037]S03.采用掩膜板對(duì)所述光阻5進(jìn)行曝光處理，所述曝光處理包括對(duì)用于制作子像素坑2的區(qū)域進(jìn)行半曝光、對(duì)所述源/漏極121上方用于制作連通所述源/漏極121和所述子像素坑2的通孔3區(qū)域進(jìn)行全曝光；
[0038]S04.對(duì)所述光阻5的曝光區(qū)域進(jìn)行顯影處理，使得所述全曝光區(qū)域的光阻完全去除、所述半曝光區(qū)域形成殘留光阻層51 ;
[0039]S05.對(duì)所述顯影處理的區(qū)域進(jìn)行干法刻蝕，使得所述平坦層14在半曝光區(qū)域開(kāi)口形成子像素坑2、所述平坦層14和所述鈍化層13在全曝光區(qū)域開(kāi)口形成通孔3 ;
[0040]S06.在所述子像素坑2中沉積像素電極41后，去除未經(jīng)曝光顯影處理的所述光阻5 ；
[0041]S07.在所述像素電極41上制作發(fā)光器件。
[0042]具體的，上述步驟S01中，所述TFT基板1含有本領(lǐng)域常規(guī)使用的TFT基板結(jié)構(gòu)，具體的，包括從下往上依次設(shè)置的基板11、TFT陣列、鈍化層13和平坦層14，所述TFT陣列包括多個(gè)TFT 12，所述TFT 12包括源/漏極121和柵極。
[0043]上述步驟S02中，在所述TFT基板1上沉積光阻5的方法不受限制，可采用本領(lǐng)域常規(guī)沉積方法實(shí)現(xiàn)。
[0044]如附圖2所示，上述步驟S03中，采用掩膜板(圖中未標(biāo)出)對(duì)所述光阻5進(jìn)行曝光處理，所述掩膜版包括全曝光部分(完全鏤空部分)和半曝光部分，所述半曝光部分可以通過(guò)在所述掩膜板相應(yīng)區(qū)域設(shè)置細(xì)小孔徑實(shí)現(xiàn)。本發(fā)明實(shí)施例中，所述曝光處理包括對(duì)用于制作子像素坑2的區(qū)域進(jìn)行半曝光、對(duì)所述源/漏極121上方用于制作連通所述源/漏極121和所述子像素坑2的通孔3區(qū)域進(jìn)行全曝光。
[0045]上述步驟S04中，如圖3所示，經(jīng)過(guò)所述顯影處理，所述全曝光區(qū)域的光阻完全去除，所述半曝光區(qū)域形成一層很薄的殘留光阻層51，未曝光處理區(qū)域的光阻厚度不發(fā)生變化。
[0046]上述步驟S05中，如圖4所示，本發(fā)明實(shí)施例中，對(duì)所述顯影處理的區(qū)域進(jìn)行干法刻蝕可以采用常規(guī)的干法刻蝕技術(shù)實(shí)現(xiàn)。經(jīng)過(guò)所述干法刻蝕，所述殘留光阻層51在刻蝕過(guò)程中去除，此區(qū)域的所述平坦層14因失去光阻保護(hù)而被部分刻蝕形成凹槽，即所述平坦層14在半曝光區(qū)域開(kāi)口形成子像素坑2 ;與此同時(shí)，所述平坦層14和所述鈍化層13在全曝光區(qū)域被刻蝕開(kāi)口形成通孔3、露出所述源/漏極121。
[0047]上述步驟S06中，如圖5所示，在所述子像素坑2中沉積像素電極41的方法不受限制，可采用本領(lǐng)域的常規(guī)方法實(shí)現(xiàn)。作為一個(gè)具體實(shí)施例，沉積所述像素電極41時(shí)，采用整層沉積的方式，此時(shí)，所述子像素坑2和所述光阻5上會(huì)同時(shí)沉積有像素電極材料。沉積完所述像素電極41后，剝離所述平坦層14上存留的所述光阻5 ;與此同時(shí)，沉積在所述光阻5上的像素電極材料也被剝離，由此形成圖案化像素電極，如圖6所示。
[0048]上述步驟S07中，如圖1所示，在所述像素電極41上制作發(fā)光器件的方法不受限制。具體的，所述發(fā)光器件包括依次設(shè)置的發(fā)光單元中間功能層42和頂電極43，其中，所述發(fā)光單元中間功能層42還包括電子注入層、電子傳輸層、空穴傳輸層和空穴注入層中的至少一層。作為優(yōu)選實(shí)施例，所述發(fā)光單元中間功能層42包括電子注入層、電子傳輸層、空穴傳輸層和空穴注入層。所述頂電極43可以?xún)H設(shè)置在所述發(fā)光單元中間功能層42上；也可以以整層沉積的方式，設(shè)置在所述發(fā)光單元中間功能層42和未開(kāi)設(shè)所述子像素坑2的所述平坦層14上。本發(fā)明實(shí)施例中，所述像素電極41、所述發(fā)光單元中間功能層42和所述頂電極43共同構(gòu)成發(fā)光單元4。由此，本發(fā)明實(shí)施例所述平坦層14作為像素bank層。
[0049]進(jìn)一步的，本發(fā)明實(shí)施例還包括對(duì)所述發(fā)光顯示器進(jìn)行包封處理，所述包封處理的方法可采用本領(lǐng)域常規(guī)方法實(shí)現(xiàn)。
[0050]本發(fā)明實(shí)施例提供的發(fā)光顯示器的制備方法，對(duì)所述光阻進(jìn)行曝光處理，其中，對(duì)所述TFT源/漏極上方的通孔區(qū)域進(jìn)行全曝光、對(duì)所述像素電極區(qū)域進(jìn)行半曝光，進(jìn)而通過(guò)顯影、刻蝕處理，在所述平坦層上刻蝕形成所述子像素坑、并在所述源/漏極上方刻蝕挖孔形成通孔，得到以所述平坦層作為像素bank層的發(fā)光顯示器。本發(fā)明提供的發(fā)光顯示器的制備方法大大簡(jiǎn)化了發(fā)光顯示器的制作工藝，且節(jié)約了制作成本。此外，本發(fā)明實(shí)施例沉積完像素電極后，通過(guò)光阻剝離實(shí)現(xiàn)圖案化電極，可以進(jìn)一步簡(jiǎn)化了發(fā)光顯示器的制作工藝，提尚生廣效率。
[0051]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種發(fā)光顯示器，包括TFT陣列基板，所述TFT陣列基板包括從下往上依次設(shè)置的基板、TFT陣列、鈍化層和平坦層，所述TFT陣列包括多個(gè)TFT，所述TFT包括源/漏極和柵極，其特征在于， 所述平坦層上開(kāi)設(shè)有子像素坑，且所述子像素坑的深度小于所述平坦層的厚度； 所述子像素坑區(qū)域下方的所述平坦層和所述鈍化層開(kāi)設(shè)有與所述源/漏極相通的通孔； 所述子像素坑中依次設(shè)置有像素電極和發(fā)光單元中間功能層，所述發(fā)光單元中間功能層上設(shè)置有頂電極，其中，所述像素電極通過(guò)所述通孔與所述源/漏極相連。2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示器，其特征在于，所述子像素坑的深度為1-3μ m。3.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光顯示器，其特征在于，所述發(fā)光單元中間功能層包括發(fā)光層。4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光顯示器，其特征在于，所述發(fā)光層由有機(jī)發(fā)光材料或無(wú)機(jī)發(fā)光材料中的至少一種制成。5.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光顯示器，其特征在于，所述TFT為非晶硅TFT、多晶硅TFT或金屬氧化物TFT中的一種。6.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光顯示器，其特征在于，所述發(fā)光單元中間功能層還包括電子注入層、電子傳輸層、空穴傳輸層和空穴注入層中的至少一層。7.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光顯示器，其特征在于，所述像素電極為透明電極或金屬電極，其中，所述透明電極包括導(dǎo)電金屬氧化物。8.一種發(fā)光顯示器的制備方法，包括以下步驟: 提供TFT基板，所述TFT陣列基板包括從下往上依次設(shè)置的基板、TFT陣列、鈍化層和平坦層，所述TFT陣列包括多個(gè)TFT，所述TFT包括源/極和柵極； 在所述TFT基板上沉積光阻； 采用掩膜板對(duì)所述光阻進(jìn)行曝光處理，所述曝光處理包括對(duì)用于制作子像素坑的區(qū)域進(jìn)行半曝光、對(duì)所述源/漏極上方用于制作連通所述源/漏極和所述子像素坑的通孔區(qū)域進(jìn)行全曝光； 對(duì)所述光阻的曝光區(qū)域進(jìn)行顯影處理，使得所述全曝光區(qū)域的光阻完全去除、所述半曝光區(qū)域形成殘留光阻層； 對(duì)所述顯影處理的區(qū)域進(jìn)行干法刻蝕，使得所述平坦層在半曝光區(qū)域開(kāi)口形成子像素坑、所述平坦層和所述鈍化層在全曝光區(qū)域開(kāi)口形成通孔； 在所述子像素坑中沉積像素電極后，去除未經(jīng)曝光顯影處理的所述光阻； 在所述像素電極上制作發(fā)光器件。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明適用于顯示技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種發(fā)光顯示器及其制備方法。所述發(fā)光顯示器，包括TFT陣列基板，所述TFT陣列基板包括從下往上依次設(shè)置的基板、TFT陣列、鈍化層和平坦層，所述TFT陣列包括多個(gè)TFT，所述TFT包括源/漏極和柵極，所述平坦層上開(kāi)設(shè)有子像素坑，且所述子像素坑的深度小于所述平坦層的厚度；所述子像素坑區(qū)域下方的所述平坦層和所述鈍化層開(kāi)設(shè)有與所述源/漏極相通的通孔；所述子像素坑中依次設(shè)置有像素電極和發(fā)光單元中間功能層，所述發(fā)光單元中間功能層上設(shè)置有頂電極，其中，所述像素電極通過(guò)所述通孔與所述源/漏極相連。
【IPC分類(lèi)】H01L21/77, H01L27/32
【公開(kāi)號(hào)】CN105336763
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510848844
【發(fā)明人】陳亞文
【申請(qǐng)人】Tcl集團(tuán)股份有限公司
【公開(kāi)日】2016年2月17日
【申請(qǐng)日】2015年11月26日