于靜電屏蔽層被首先制作在襯底基板上，使得在后續(xù)的其他制作工藝中能夠有效將制作過程中產(chǎn)生的靜電分散，從而可以避免靜電電荷釋放使陣列基板發(fā)生靜電效應而造成的廣品報廢，提尚廣品的良率。
[0038]參見圖4，圖4是本發(fā)明實施方式提供的另一種陣列基板的示意圖，該陣列基板包括襯底基板10，襯底基板10上設(shè)置有靜電屏蔽層20、像素電極90、絕緣層30、薄膜晶體管(TFT) 100、柵線(Gate線)、數(shù)據(jù)線(Date線)，薄膜晶體管100包括有源層60、柵極絕緣層50、柵極41、源極71以及漏極72，柵極41與柵線相連，源極71與數(shù)據(jù)線相連；
[0039]其中，靜電屏蔽層20與像素電極90同層設(shè)置且材料相同，兩者設(shè)置在絕緣層30的下方，薄膜晶體管10、柵線以及數(shù)據(jù)線均設(shè)置在絕緣層30遠離靜電屏蔽層的一側(cè)，薄膜晶體管的漏極72通過柵極絕緣層50和絕緣層30上的過孔101與像素電極90相連；
[0040]靜電屏蔽層20和像素電極90的材料可以為ITO、IZO、CT0等透明的導電材料，兩者在襯底基板形成的圖案可以如圖5所示，其中，靜電屏蔽層20包括多條縱向部21和多條橫向部22，多條縱向部21和多條橫向部22相互交叉形成網(wǎng)格狀的圖案，像素電極90位于靜電屏蔽層所形成的網(wǎng)格中，此外，靜電屏蔽層20與柵線、數(shù)據(jù)線的位置如圖6所示，靜電屏蔽層的縱向部21設(shè)置在數(shù)據(jù)線73的下方，橫向部22設(shè)置在柵線42的下方，從而使每個像素電極能夠位于數(shù)據(jù)線和柵線劃分出的各子像素區(qū)域內(nèi)，此外，還可以通過合理的尺寸設(shè)計，使所述多條縱向部在襯底基板的投影位于數(shù)據(jù)線在襯底基板的投影內(nèi)，多條橫向部在襯底基板的投影位于柵線在襯底基板的投影內(nèi)，從而盡可能的提高陣列基板的光透過率;
[0041]具體地，對于本實施方式中的陣列基板，首先在襯底基板沉積一層透明的導電薄膜，通過對該透明的導電薄膜進行圖案化處理，從而能夠在襯底基板上同時形成靜電屏蔽層和像素電極，而后再在其上制作用于隔離的絕緣層，之后在該用于隔離的絕緣層上依次制作Gate層、柵極絕緣層、有源層，通過在絕緣層和柵極絕緣層上制作過孔，使得后續(xù)制作的SD層中的漏極能夠通過該過孔與像素電極相連，在上述制作過程中，由于靜電屏蔽層被首先制作在襯底基板上，使得在后續(xù)的其他制作工藝中能夠有效將制作過程中產(chǎn)生的靜電分散，從而可以避免靜電電荷釋放使陣列基板發(fā)生靜電效應而造成的產(chǎn)品報廢，提高產(chǎn)品的良率；
[0042]本發(fā)明實施方式提供的陣列基板，通過將靜電屏蔽層與像素電極同層設(shè)置，使得兩者可以在一次構(gòu)圖中同時形成，不但能夠避免靜電電荷釋放使陣列基板發(fā)生靜電效應，還能減少構(gòu)圖工藝次數(shù)，降低成本。
[0043]優(yōu)選地，本發(fā)明實施方式中的陣列基板還可以包括接地電路，通過將靜電屏蔽層與接地電路相連，從而能夠進一步地降低靜電屏蔽層的電勢，進一步地降低ESD風險。
[0044]本發(fā)明實施方式還提供了一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。其中，本發(fā)明實施方式提供的顯示裝置可以是筆記本電腦顯示屏、液晶顯示器、液晶電視、數(shù)碼相框、手機、平板電腦等任何具有顯不功能的廣品或部件。
[0045]本發(fā)明實施方式還提供了一種陣列基板的制作方法，包括在襯底基板上形成像素電極、薄膜晶體管、柵線以及數(shù)據(jù)線，還包括在所述襯底基板上形成靜電屏蔽層，所述靜電屏蔽層用于在制作所述陣列基板時進行靜電保護。
[0046]優(yōu)選地，形成所述薄膜晶體管、所述柵線以及所述數(shù)據(jù)線的步驟位于形成所述靜電屏蔽層的步驟之后；
[0047]且在形成所述靜電屏蔽層的步驟之后，在形成所述薄膜晶體管、所述柵線以及所述數(shù)據(jù)線的步驟之前，所述方法還包括:在所述靜電屏蔽層上形成絕緣層。
[0048]優(yōu)選地，所述在所述襯底基板上形成靜電屏蔽層包括:
[0049]形成多條縱向部和多條橫向部，且所述多條縱向部和所述多條橫向部相互交叉形成網(wǎng)格狀的圖案。
[0050]優(yōu)選地，所述多條縱向部在所述襯底基板的投影位于所述數(shù)據(jù)線在所述襯底基板的投影內(nèi)，所述多條橫向部在所述襯底基板的投影位于所述柵線在所述襯底基板的投影內(nèi)。
[0051]優(yōu)選地，為減少構(gòu)圖工藝次數(shù)，所述靜電屏蔽層與所述像素電極層在可以在一次構(gòu)圖工藝中同時形成。
[0052]以上實施方式僅用于說明本發(fā)明，而并非對本發(fā)明的限制，有關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，還可以做出各種變化和變型，因此所有等同的技術(shù)方案也屬于本發(fā)明的范疇，本發(fā)明的專利保護范圍應由權(quán)利要求限定。
【主權(quán)項】
1.一種陣列基板，包括襯底基板，所述襯底基板上設(shè)置有像素電極、薄膜晶體管、柵線以及數(shù)據(jù)線，其特征在于，所述襯底基板上還設(shè)置有靜電屏蔽層，所述靜電屏蔽層用于在制作所述陣列基板時進行靜電保護。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述靜電屏蔽層遠離所述襯底基板的一側(cè)設(shè)置有絕緣層，所述薄膜晶體管、所述柵線以及所述數(shù)據(jù)線均設(shè)置在所述絕緣層遠離所述靜電屏蔽層的一側(cè)。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述靜電屏蔽層包括多條縱向部和多條橫向部，所述多條縱向部和所述多條橫向部相互交叉形成網(wǎng)格狀的圖案。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述多條縱向部在所述襯底基板的投影位于所述數(shù)據(jù)線在所述襯底基板的投影內(nèi)，所述多條橫向部在所述襯底基板的投影位于所述柵線在所述襯底基板的投影內(nèi)。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述靜電屏蔽層與所述像素電極層同層設(shè)置且材料相同。6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一所述的陣列基板，其特征在于，還包括接地電路，所述靜電屏蔽層與所述接地電路相連。7.—種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-6任一所述的陣列基板。8.—種陣列基板的制作方法，包括在襯底基板上形成像素電極、薄膜晶體管、柵線以及數(shù)據(jù)線，其特征在于，還包括在所述襯底基板上形成靜電屏蔽層，所述靜電屏蔽層用于在制作所述陣列基板時進行靜電保護。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，形成所述薄膜晶體管、所述柵線以及所述數(shù)據(jù)線的步驟位于形成所述靜電屏蔽層的步驟之后； 且在形成所述靜電屏蔽層的步驟之后，在形成所述薄膜晶體管、所述柵線以及所述數(shù)據(jù)線的步驟之前，所述方法還包括:在所述靜電屏蔽層上形成絕緣層。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述在所述襯底基板上形成靜電屏蔽層包括: 形成多條縱向部和多條橫向部，且所述多條縱向部和所述多條橫向部相互交叉形成網(wǎng)格狀的圖案。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述多條縱向部在所述襯底基板的投影位于所述數(shù)據(jù)線在所述襯底基板的投影內(nèi)，所述多條橫向部在所述襯底基板的投影位于所述柵線在所述襯底基板的投影內(nèi)。12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述靜電屏蔽層與所述像素電極層在一次構(gòu)圖工藝中同時形成。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，該陣列基板包括襯底基板，所述襯底基板上設(shè)置有像素電極、薄膜晶體管、柵線以及數(shù)據(jù)線，所述襯底基板上還設(shè)置有靜電屏蔽層，所述靜電屏蔽層用于在制作所述陣列基板時進行靜電保護。本發(fā)明提供的陣列基板，通過在其襯底基板上設(shè)置靜電屏蔽層，在該陣列基板的制作過程中，通過該靜電屏蔽層可以有效將制作過程中產(chǎn)生的靜電分散，從而避免由于基板發(fā)生靜電釋放而造成產(chǎn)品不良，提高產(chǎn)品的良率。
【IPC分類】H01L27/12, H01L27/02
【公開號】CN105428355
【申請?zhí)枴緾N201610007356
【發(fā)明人】張鵬舉, 李鑫, 李彬, 趙德濤, 袁旭晨
【申請人】京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方光電科技有限公司
【公開日】2016年3月23日
【申請日】2016年1月6日