通信。術(shù)語“無線”及其衍生詞可用于描述通過使用經(jīng)調(diào)制的電磁輻射經(jīng)由非固態(tài)介質(zhì)來傳遞數(shù)據(jù)的電路、設(shè)備、系統(tǒng)、方法、技術(shù)、通信信道等。盡管在一些實施例中相關(guān)聯(lián)的設(shè)備可能不包含任何線，但是該術(shù)語并不暗示相關(guān)聯(lián)的設(shè)備不包含任何線。通信芯片606可實現(xiàn)多種無線標(biāo)準(zhǔn)或協(xié)議中的任一種，包括但不限于W1-Fi(IEEE 802.11系列)、胃11^父(IEEE 802.16系列)、IEEE 802.20、長期演進(LTE)、EV_D0、HSPA+、HSDPA+、HSUPA+、EDGE、GSM、GPRS、CDMA、TDMA、DECT、藍(lán)牙及其衍生物以及稱為3G、4G、5G以及更高的任何其它無線協(xié)議。計算設(shè)備600可包括多個通信芯片606。例如，第一通信芯片606可專用于較短程的無線通信，諸如W1-Fi和藍(lán)牙；第二通信芯片606可專用于較長程的無線通信，如，GPS、EDGE、GPRS、CDMA、WiMAX、LTE、Ev_D0 等等。
[0086]計算設(shè)備600的處理器604包括封裝在處理器604內(nèi)的集成電路管芯。在本發(fā)明的實施例的一些實現(xiàn)中，處理器的集成電路管芯包括根據(jù)本發(fā)明的多個實現(xiàn)而構(gòu)建的諸如M0S-FET晶體管之類的一個或多個器件。術(shù)語“處理器”可表示任何設(shè)備或設(shè)備的一部分，其處理來自寄存器和/或存儲器的電子數(shù)據(jù)，以將該電子數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成可存儲于寄存器和/或存儲器中的其它電子數(shù)據(jù)。
[0087]通信芯片606也包括封裝在通信芯片606中的集成電路管芯。根據(jù)本發(fā)明的另一實現(xiàn)，通信芯片的集成電路管芯包括一個或多個器件，諸如根據(jù)本發(fā)明的實現(xiàn)構(gòu)建的M0S-FET晶體管。
[0088]在進一步實現(xiàn)中，容納在計算設(shè)備600中的另一部件可包含集成電路管芯，集成電路管芯包括一個或多個器件，諸如根據(jù)本發(fā)明的實現(xiàn)構(gòu)建的M0S-FET晶體管。
[0089]在多個實施例中，計算設(shè)備600可以是膝上型計算機、上網(wǎng)本、筆記本、超極本、智能手機、平板、個人數(shù)字助理(PDA)、超移動PC、移動電話、桌面計算機、服務(wù)器、打印機、掃描儀、監(jiān)視器、機頂盒、娛樂控制單元、數(shù)字照相機、便攜式音樂播放器或數(shù)字視頻記錄儀。在進一步的實現(xiàn)方案中，計算設(shè)備600可以是處理數(shù)據(jù)的任何其他電子設(shè)備。
[0090]因此，本發(fā)明的實施例包括具有摻雜的子鰭片區(qū)域的非平面半導(dǎo)體器件和制造具有摻雜的子鰭片區(qū)域的非平面半導(dǎo)體器件的方法。
[0091]在實施例中，制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法包括在半導(dǎo)體襯底之上形成多個半導(dǎo)體鰭片。在半導(dǎo)體襯底之上形成固態(tài)摻雜劑源層，固態(tài)摻雜劑源層與多個半導(dǎo)體鰭片共形。在固態(tài)摻雜劑源層之上形成電介質(zhì)層。使電介質(zhì)層和固態(tài)摻雜劑源層凹入至在多個半導(dǎo)體鰭片的頂面之下的相同水平，由此暴露在多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的子鰭片區(qū)域之上的多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的突出部分。該方法還包括:將來自固態(tài)摻雜劑源層的摻雜劑推進到多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的子鰭片區(qū)域。
[0092]在一個實施例中，形成固態(tài)摻雜劑源層包括:形成硼硅酸鹽玻璃(BSG)層。
[0093]在一個實施例中，形成固態(tài)摻雜劑源層包括:形成磷硅酸鹽玻璃(PSG)層或砷硅酸鹽玻璃(AsSG)層。
[0094]在一個實施例中，該方法進一步包括:形成與多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的突出部分共形的柵電極，和在柵電極的任一側(cè)上在多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的突出部分中形成源極區(qū)域和漏極區(qū)域。
[0095]在一個實施例中，將來自固態(tài)摻雜劑源層的摻雜劑推進到多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的子鰭片區(qū)域中包括:在突出部分的每一個和多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的對應(yīng)的子鰭片區(qū)域之間形成摻雜劑濃度界面。
[0096]在一個實施例中，在半導(dǎo)體襯底之上形成多個半導(dǎo)體鰭片包括:形成與塊狀單晶襯底連續(xù)的多個單晶硅鰭片。
[0097]在一個實施例中，制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法包括:在半導(dǎo)體襯底之上形成第一和第二多個半導(dǎo)體鰭片。在半導(dǎo)體襯底之上的第一多個半導(dǎo)體鰭片上且與第一多個半導(dǎo)體鰭片共形地形成P型固態(tài)摻雜劑源層。在P型固態(tài)摻雜劑源層之上形成電介質(zhì)層。平面化電介質(zhì)層和P型固態(tài)摻雜劑源層以暴露第一和第二多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的頂面。將N型摻雜劑注入到第二多個鰭片中，但不注入到第一多個鰭片中。使電介質(zhì)層和P型固態(tài)摻雜劑源層凹入至在第一和第二多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的頂面之下的相同水平，由此暴露在第一和第二多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的子鰭片區(qū)域之上的第一和第二多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的突出部分。該方法還包括:將來自P型固態(tài)摻雜劑源層的摻雜劑推進到第一多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的子鰭片區(qū)域中，但不推進到第二多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的子鰭片區(qū)域中。
[0098]在一個實施例中，形成P型固態(tài)摻雜劑源層包括:在第一和第二多個半導(dǎo)體鰭片上且與第一和第二多個半導(dǎo)體鰭片共形地形成全局P型固態(tài)摻雜劑源層，以及從第二多個半導(dǎo)體鰭片但不從第一多個半導(dǎo)體鰭片去除該全局P型固態(tài)摻雜劑源層。
[0099]在一個實施例中，該方法進一步包括:在從第二多個半導(dǎo)體鰭片但不從第一多個半導(dǎo)體鰭片去除該全局P型固態(tài)摻雜劑源層之后，在P型固態(tài)摻雜劑源層上并且與P型固態(tài)摻雜劑源層共形地和在第二多個半導(dǎo)體鰭片上并且與第二多個半導(dǎo)體鰭片共形地形成緩沖電介質(zhì)層。
[0100]在一個實施例中，形成P型固態(tài)摻雜劑源層包括:形成硼硅酸鹽玻璃(BSG)層。
[0101]在一個實施例中，該方法進一步包括:形成與第一多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的突出部分共形的N型柵電極，形成與第二多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的突出部分共形的P型柵電極，和在對應(yīng)的柵電極的任一側(cè)上在第一和第二多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的突出部分中形成源極和漏極區(qū)域。
[0102]在一個實施例中，將來自P固態(tài)摻雜劑源層的摻雜劑推進到第一多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的子鰭片區(qū)域中包括:在突出部分的每一個和第一多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的對應(yīng)的子鰭片區(qū)域之間形成摻雜劑濃度界面。
[0103]在一個實施例中，在半導(dǎo)體襯底之上形成第一和第二多個半導(dǎo)體鰭片包括:形成與塊狀單晶襯底連續(xù)的第一和第二多個單晶硅鰭片。
[0104]在一個實施例中，制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法包括:在半導(dǎo)體襯底之上形成第一和第二多個半導(dǎo)體鰭片。在半導(dǎo)體襯底之上、在第一多個半導(dǎo)體鰭片上并且與第一多個半導(dǎo)體鰭片共形地形成P型固態(tài)摻雜劑源層。在半導(dǎo)體襯底之上、在第二多個半導(dǎo)體鰭片上并且與第二多個半導(dǎo)體鰭片共形地形成N型固態(tài)摻雜劑源層。在P型固態(tài)摻雜劑源層之上和在N型固態(tài)摻雜劑源層之上形成電介質(zhì)層。使電介質(zhì)層、P型固態(tài)摻雜劑源層和N型固態(tài)摻雜劑源層凹入至在第一和第二多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的頂面之下的相同水平，由此暴露在第一和第二多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的子鰭片區(qū)域之上的第一和第二多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的突出部分。該方法還包括:將來自P型固態(tài)摻雜劑源層的摻雜劑推進到第一多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的子鰭片區(qū)域中但不推進到第二多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的子鰭片區(qū)域中，以及將來自N型固態(tài)摻雜劑源層的摻雜劑推進到第二多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的子鰭片區(qū)域中但不推進到第一多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的子鰭片區(qū)域中。
[0105]在一個實施例中，在相同工藝操作中執(zhí)行將來自P型固態(tài)摻雜劑源層的摻雜劑推進到第一多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的子鰭片區(qū)域中以及將來自N型固態(tài)摻雜劑源層的摻雜劑推進到第二多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的子鰭片區(qū)域中。
[0106]在一個實施例中，形成P型固態(tài)摻雜劑源層包括:在第一和第二多個半導(dǎo)體鰭片上且與第一和第二多個半導(dǎo)體鰭片共形地形成全局P型固態(tài)摻雜劑源層，以及從第二多個半導(dǎo)體鰭片但不從第一多個半導(dǎo)體鰭片去除該全局P型固態(tài)摻雜劑源層。
[0107]在一個實施例中，該方法進一步包括:在從第二多個半導(dǎo)體鰭片去除該全局P型固態(tài)摻雜劑源層之后，在P型固態(tài)摻雜劑源層上并且與P型固態(tài)摻雜劑源層共形地形成緩沖電介質(zhì)層。
[0108]在一個實施例中，形成N型固態(tài)摻雜劑源層包括:在第二多個半導(dǎo)體鰭片上并且與第二多個半導(dǎo)體鰭片共形地以及在P型固態(tài)摻雜劑源層之上形成全局N型固態(tài)摻雜劑源層，以及從P型固態(tài)摻雜劑源層但不從第二多個半導(dǎo)體鰭片之上去除該全局N型固態(tài)摻雜劑源層。
[0109]在一個實施例中，該方法進一步包括:在從P型固態(tài)摻雜劑源層之上去除該全局N型固態(tài)摻雜劑源層之后，在N型固態(tài)摻雜劑源層并且與N型固態(tài)摻雜劑源層共形地以及在P型固態(tài)摻雜劑源層上并且與P型固態(tài)摻雜劑源層共形地形成緩沖電介質(zhì)層。
[0110]在一個實施例中，形成P型固態(tài)摻雜劑源層包括:形成硼硅酸鹽玻璃(BSG)層，以及形成N型固態(tài)摻雜劑層包括:形成磷硅酸鹽玻璃(PSG)層或砷硅酸鹽玻璃(AsSG)層。
[0111]在一個實施例中，該方法進一步包括:形成與第一多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的突出部分共形的N型柵電極，形成與第二多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的突出部分共形的P型柵電極，以及在對應(yīng)的柵電極的任一側(cè)上在第一和第二多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的突出部分中形成源極和漏極區(qū)域。
[0112]在一個實施例中，將來自P型固態(tài)摻雜劑源層的摻雜劑推進到第一多個半導(dǎo)體器件的子鰭片區(qū)域中包括:在突出部分的每一個和第一多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的對應(yīng)的子鰭片區(qū)域之間形成摻雜劑濃度界面，以及將來自Ν型固態(tài)摻雜劑源層的摻雜劑推進到第二多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的子鰭片區(qū)域中包括:在突出部分的每一個和第二多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的對應(yīng)子鰭片區(qū)域之間形成摻雜劑濃度界面。
[0113]在一個實施例中，在半導(dǎo)體襯底上形成第一和第二多個半導(dǎo)體鰭片包括:形成與塊狀單晶襯底連續(xù)的第一和第二多個單晶硅鰭片。
[0114]在一實施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括:設(shè)置在半導(dǎo)體襯底之上的多個半導(dǎo)體鰭片。固態(tài)摻雜劑源層設(shè)置在半導(dǎo)體襯底之上，與多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的子鰭片區(qū)域共形但僅到達(dá)多個半導(dǎo)體鰭片的頂面之下的水平，從而暴露在多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的子鰭片區(qū)域之上的多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的突出部分。電介質(zhì)層設(shè)置在固態(tài)摻雜劑源層之上，電介質(zhì)層具有大約與在多個半導(dǎo)體鰭片的頂面之下的水平共面的頂面。摻雜劑濃度界面在突出部分的每一個和多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的對應(yīng)的子鰭片區(qū)域之間。
[0115]在一個實施例中，固態(tài)摻雜劑源層是硼硅酸鹽玻璃(BSG)層。
[0116]在一個實施例中，固態(tài)摻雜劑源層是磷硅酸鹽玻璃(PSG)層或砷硅酸鹽玻璃(AsSG)層。
[0117]在一個實施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進一步包括:柵電極，與多