個半導(dǎo)體鰭片的每一個的突出部分共形地設(shè)置；以及源極和漏極區(qū)域，設(shè)置在柵電極的任一側(cè)上在多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的突出部分中。
[0118]在一個實施例中，設(shè)置在半導(dǎo)體襯底之上的多個半導(dǎo)體鰭片是與塊狀單晶襯底連續(xù)的多個單晶硅鰭片。
[0119]在一個實施例中，摻雜劑濃度界面是對于突出部分的每一個的小于約5E17原子/cm3和對于多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的對應(yīng)的子鰭片區(qū)域的大于約2E18原子/cm3的突變過渡。
【主權(quán)項】
1.一種制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，所述方法包括: 在半導(dǎo)體襯底之上形成多個半導(dǎo)體鰭片； 在半導(dǎo)體襯底之上與所述多個半導(dǎo)體鰭片共形地形成固態(tài)摻雜劑源層； 在所述固態(tài)摻雜劑源層之上形成電介質(zhì)層； 使電介質(zhì)層和固態(tài)摻雜劑源層凹入至在所述多個半導(dǎo)體鰭片的頂面之下的大約相同水平，由此暴露在所述多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的子鰭片區(qū)域之上的所述多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的突出部分；以及 將來自固態(tài)摻雜劑源層的摻雜劑推進到所述多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的子鰭片區(qū)域。2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成固態(tài)摻雜劑源層包括:形成硼硅酸鹽玻璃(BSG)層。3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成固態(tài)摻雜劑源層包括:形成磷硅酸鹽玻璃(PSG)層或砷硅酸鹽玻璃(AsSG)層。4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，進一步包括: 形成與所述多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的突出部分共形的柵電極，以及在柵電極的任一側(cè)上在所述多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的突出部分中形成源極區(qū)域和漏極區(qū)域。5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述將來自固態(tài)摻雜劑源層的摻雜劑推進到所述多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的子鰭片區(qū)域中包括:在突出部分的每一個和多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的對應(yīng)的子鰭片區(qū)域之間形成摻雜劑濃度界面。6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在半導(dǎo)體襯底之上形成多個半導(dǎo)體鰭片包括:形成與塊狀單晶襯底連續(xù)的多個單晶硅鰭片。7.—種制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，所述方法包括: 在半導(dǎo)體襯底之上形成第一和第二多個半導(dǎo)體鰭片； 在半導(dǎo)體襯底之上、在第一多個半導(dǎo)體鰭片上并且與第一多個半導(dǎo)體鰭片共形地形成P型固態(tài)摻雜劑源層； 在P型固態(tài)摻雜劑源層之上形成電介質(zhì)層； 平面化所述電介質(zhì)層和所述P型固態(tài)摻雜劑源層以暴露第一和第二多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的頂面； 將N型摻雜劑注入到第二多個鰭片中，但不注入到第一多個鰭片中； 使所述電介質(zhì)層和P型固態(tài)摻雜劑源層凹入至在第一和第二多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的頂面之下的相同水平，由此暴露在第一和第二多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的子鰭片區(qū)域之上的第一和第二多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的突出部分；以及 將來自P型固態(tài)摻雜劑源層的摻雜劑推進到第一多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的子鰭片區(qū)域中，但不推進到第二多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的子鰭片區(qū)域中。8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述形成P型固態(tài)摻雜劑源層包括: 在第一和第二多個半導(dǎo)體鰭片上且與第一和第二多個半導(dǎo)體鰭片共形地形成全局P型固態(tài)摻雜劑源層，以及 從第二多個半導(dǎo)體鰭片但不從第一多個半導(dǎo)體鰭片去除所述全局P型固態(tài)摻雜劑源層。9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，進一步包括: 在從第二多個半導(dǎo)體鰭片但不從第一多個半導(dǎo)體鰭片去除所述全局P型固態(tài)摻雜劑源層之后，在P型固態(tài)摻雜劑源層上并且與P型固態(tài)摻雜劑源層共形地和在第二多個半導(dǎo)體鰭片上并且與第二多個半導(dǎo)體鰭片共形地形成緩沖電介質(zhì)層。10.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述形成P型固態(tài)摻雜劑源層包括:形成硼硅酸鹽玻璃(BSG)層。11.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，進一步包括: 形成與第一多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的突出部分共形的N型柵電極； 形成與第二多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的突出部分共形的P型柵電極；以及在對應(yīng)的柵電極的任一側(cè)上在第一和第二多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的突出部分中形成源極和漏極區(qū)域。12.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，將來自P型固態(tài)摻雜劑源層的摻雜劑推進到第一多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的子鰭片區(qū)域中包括:在突出部分的每一個和第一多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的對應(yīng)的子鰭片區(qū)域之間形成摻雜劑濃度界面。13.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，在半導(dǎo)體襯底之上形成第一和第二多個半導(dǎo)體鰭片包括:形成與塊狀單晶襯底連續(xù)的第一和第二多個單晶硅鰭片。14.一種制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，所述方法包括: 在半導(dǎo)體襯底之上形成第一和第二多個半導(dǎo)體鰭片； 在半導(dǎo)體襯底之上、在第一多個半導(dǎo)體鰭片上并且與第一多個半導(dǎo)體鰭片共形地形成P型固態(tài)摻雜劑源層； 在半導(dǎo)體襯底之上、在第二多個半導(dǎo)體鰭片上并且與第二多個半導(dǎo)體鰭片共形地形成N型固態(tài)摻雜劑源層； 在P型固態(tài)摻雜劑源層之上和在N型固態(tài)摻雜劑源層之上形成電介質(zhì)層； 使電介質(zhì)層、P型固態(tài)摻雜劑源層和N型固態(tài)摻雜劑源層凹入至在第一和第二多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的頂面之下的相同水平，由此暴露在第一和第二多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的子鰭片區(qū)域之上的第一和第二多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的突出部分； 將來自P型固態(tài)摻雜劑源層的摻雜劑推進到第一多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的子鰭片區(qū)域中但不推進到第二多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的子鰭片區(qū)域中，以及 將來自N型固態(tài)摻雜劑源層的摻雜劑推進到第二多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的子鰭片區(qū)域中但不推進到第一多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的子鰭片區(qū)域中。15.如權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，在同一工藝操作中執(zhí)行將來自P型固態(tài)摻雜劑源層的摻雜劑推進到第一多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的子鰭片區(qū)域中以及將來自N型固態(tài)摻雜劑源層的摻雜劑推進到第二多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的子鰭片區(qū)域中。16.如權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，所述形成P型固態(tài)摻雜劑源層包括: 在第一和第二多個半導(dǎo)體鰭片上且與第一和第二多個半導(dǎo)體鰭片共形地形成全局P型固態(tài)摻雜劑源層，以及 從第二多個半導(dǎo)體鰭片但不從第一多個半導(dǎo)體鰭片去除所述全局P型固態(tài)摻雜劑源層。17.如權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，進一步包括: 在從第二多個半導(dǎo)體鰭片去除所述P型固態(tài)摻雜劑源層之后，在P型固態(tài)摻雜劑源層上并且與P型固態(tài)摻雜劑源層共形地形成緩沖電介質(zhì)層。18.如權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，所述形成N型固態(tài)摻雜劑源層包括: 在第二多個半導(dǎo)體鰭片上并且與第二多個半導(dǎo)體鰭片共形地以及在P型固態(tài)摻雜劑源層之上形成全局N型固態(tài)摻雜劑源層；以及 從P型固態(tài)摻雜劑源層但不從第二多個半導(dǎo)體鰭片之上去除所述全局N型固態(tài)摻雜劑源層。19.如權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，進一步包括: 在從P型固態(tài)摻雜劑源層之上去除所述全局N型固態(tài)摻雜劑源層之后，在所述N型固態(tài)摻雜劑源層上并且與N型固態(tài)摻雜劑源層共形地以及在P型固態(tài)摻雜劑源層上并且與P型固態(tài)摻雜劑源層共形地形成緩沖電介質(zhì)層。20.如權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，形成P型固態(tài)摻雜劑源層包括形成硼硅酸鹽玻璃(BSG)層，并且其中所述形成N型固態(tài)摻雜劑層包括形成磷硅酸鹽玻璃(PSG)層或砷硅酸鹽玻璃(AsSG)層。21.如權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，進一步包括: 形成與第一多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的突出部分共形的N型柵電極； 形成與第二多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的突出部分共形的P型柵電極；以及 在對應(yīng)的柵電極的任一側(cè)上在第一和第二多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的突出部分中形成源極和漏極區(qū)域。22.如權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，將來自P型固態(tài)摻雜劑源層的摻雜劑推進到第一多個半導(dǎo)體鰭片的子鰭片區(qū)域中包括:在突出部分的每一個和第一多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的對應(yīng)的子鰭片區(qū)域之間形成摻雜劑濃度界面，以及其中將來自N型固態(tài)摻雜劑源層的摻雜劑推進到第二多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的子鰭片區(qū)域中包括:在突出部分的每一個和第二多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的對應(yīng)的子鰭片區(qū)域之間形成摻雜劑濃度界面。23.如權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，在半導(dǎo)體襯底之上形成第一和第二多個半導(dǎo)體鰭片包括:形成與塊狀單晶襯底連續(xù)的第一和第二多個單晶硅鰭片。24.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括: 設(shè)置在半導(dǎo)體襯底之上的多個半導(dǎo)體鰭片； 固態(tài)摻雜劑源層，設(shè)置在半導(dǎo)體襯底之上、與多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的子鰭片區(qū)域共形但僅到達(dá)多個半導(dǎo)體鰭片的頂面之下的水平，從而暴露在多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的子鰭片區(qū)域之上的多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的突出部分； 設(shè)置在所述固態(tài)摻雜劑源層之上的電介質(zhì)層，所述電介質(zhì)層具有與在多個半導(dǎo)體鰭片的頂面之下的水平大約共面的頂面；以及 摻雜劑濃度界面，在所述突出部分的每一個和多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的對應(yīng)的子鰭片區(qū)域之間。25.如權(quán)利要求24所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述固態(tài)摻雜劑源層是硼硅酸鹽玻璃(BSG)層。26.如權(quán)利要求24所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述固態(tài)摻雜劑源層是磷硅酸鹽玻璃(PSG)層或砷硅酸鹽玻璃(AsSG)層。27.如權(quán)利要求24所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，進一步包括: 柵電極，與多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的所述突出部分共形地設(shè)置；以及 源極和漏極區(qū)域，設(shè)置在柵電極的任一側(cè)上在多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的所述突出部分中。28.如權(quán)利要求24所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，設(shè)置在半導(dǎo)體襯底之上的多個半導(dǎo)體鰭片是與塊狀單晶襯底連續(xù)的多個單晶硅鰭片。29.如權(quán)利要求24所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述摻雜劑濃度界面是對于突出部分的每一個的小于約5E17原子/cm3和對于多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的對應(yīng)的子鰭片區(qū)域的大于約2E18原子/cm3的突變過渡。
【專利摘要】描述了具有摻雜的子鰭片區(qū)域的非平面半導(dǎo)體器件和制造具有摻雜的子鰭片區(qū)域的非平面半導(dǎo)體器件的方法。例如，制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法包括：在半導(dǎo)體襯底之上形成多個半導(dǎo)體鰭片。在半導(dǎo)體襯底之上與多個半導(dǎo)體鰭片共形地形成固態(tài)摻雜劑源層。在固態(tài)摻雜劑源層之上形成電介質(zhì)層。使電介質(zhì)層和固態(tài)摻雜劑源層凹入至在多個半導(dǎo)體鰭片的頂面之下的相同水平，由此暴露在多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的子鰭片區(qū)域之上的多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的突出部分。該方法還包括：將來自固態(tài)摻雜劑源層的摻雜劑推進到多個半導(dǎo)體鰭片的每一個的子鰭片區(qū)域。
【IPC分類】H01L29/78, H01L21/336
【公開號】CN105431929
【申請?zhí)枴緾N201380076785
【發(fā)明人】T·甘尼, S·拉蒂夫, C·D·穆納辛格
【申請人】英特爾公司
【公開日】2016年3月23日
【申請日】2013年6月20日
【公告號】DE112013007003T5, US20160056156, WO2014204477A1