到4伏之間)。耦合至耦合柵極102的控制柵極(CG)400 (或耦合柵極觸點(diǎn)616)被帶到編程電壓(其可為大約4?10伏)。擦除電容器觸點(diǎn)808被帶到編程電壓(其可類似于源線200上的電壓)。這些電壓允許電流流經(jīng)浮柵晶體管802，并且熱電子注入允許電荷注入到浮置柵極108中。示出了鰭結(jié)構(gòu)606與浮置柵極108之間的電荷注入方向902。一旦浮置柵極108被充電，這些電壓就可被選擇性地移除，并且電荷被存儲在浮置柵極108上。
[0052]為了擦除已編程的浮柵晶體管802，擦除電容器觸點(diǎn)808被帶到擦除電壓(其可為大約6到10伏)。字線/控制柵極206、源線200、位線202、以及控制柵極/電容器400均被帶到低電壓(其可為零伏)。該種電壓電位差異允許存儲在浮置柵極108上的電荷載流子跨擦除電容器氧化物806迀移到擦除電容器觸點(diǎn)808的Fowler-Nordheim(FN)隧穿。示出了用于擦除浮柵晶體管802的FN路徑906。對于向浮柵晶體管800寫入和從其擦除，進(jìn)行類似動作。可涂布電介質(zhì)或其他材料的附加層908來平坦化或以其他方式密封該結(jié)構(gòu)(如果被指定)，以使得可在圖9中所示的結(jié)構(gòu)上執(zhí)行其他制造工藝。圖10解說了蓋層904可駐留在耦合柵極102與耦合膜610之間。蓋層904和耦合膜610可以是如所指定的電介質(zhì)或其他絕緣體。
[0053]圖11解說根據(jù)本公開的一方面的NM0S浮置柵極和字線存取晶體管的剖視圖。當(dāng)圖8的結(jié)構(gòu)沿線Y-Y，剖開時(shí)，可見圖11的視圖。示出了基板600和ρ阱804，并且鰭結(jié)構(gòu)606示出了漏極110與源極112之間的鰭溝道1100。當(dāng)向耦合柵極觸點(diǎn)616施加電壓時(shí)，鰭溝道1100中生成電場。取決于源線200、位線202和字線/控制柵極206上存在的電壓，電流將在源極112與漏極110之間流動。圖11的剖視圖包括存取晶體管402，因?yàn)樽志€/控制柵極206與耦合柵極觸點(diǎn)616被分開。
[0054]圖12到15解說根據(jù)本公開的一方面的晶體管的工藝構(gòu)造流程。圖12解說在鰭結(jié)構(gòu)606上沉積層的初始步驟。柵極氧化層608(其可以是高k電介質(zhì)材料)親合至鰭結(jié)構(gòu)606和浮置柵極108。在浮柵晶體管800附近制作開口 1200，并且沉積材料層1202(其可以是浮置柵極材料的一部分)。還沉積間隔層900，并且對其進(jìn)行蝕刻或以其他方式操縱以使間隔層900圍繞鰭結(jié)構(gòu)606。
[0055]圖13解說向浮柵晶體管800添加耦合膜610和耦合柵極102。由于用于耦合柵極102的材料通常是導(dǎo)電的，因此在層1202上以及在開口 1200中沉積這種材料或其他材料的層1300以獲得擦除觸點(diǎn)。
[0056]圖14示出了擦除連接1400和蓋層904、以及如所指定地具有電介質(zhì)層700作為平坦化和/或隔離材料以使得蓋層904基本平坦且電觸點(diǎn)彼此隔離。該平坦化允許對浮柵晶體管800的附加處理。
[0057]圖15解說了添加耦合柵極觸點(diǎn)616和擦除電容器觸點(diǎn)808。另外，可添加層908，同樣用于如所指定地平坦化和/或觸點(diǎn)隔離?？扇缢付ǖ貙⒏郊訉?諸如互連、通孔、或其他電子電路系統(tǒng))添加到浮柵晶體管800。
[0058]圖16解說根據(jù)本公開的一方面的操作控制表。為了對特定晶體管進(jìn)行編程，針對某些操作1600設(shè)置電壓。基于所選擇的操作1600來控制字線/控制柵極206、源線200、控制柵極/電容器400、擦除柵極/電容器106、以及位線202?？蓤?zhí)行讀操作1602、編程操作1604和擦除操作1606。示出了當(dāng)針對這些操作而選擇或不選擇NVM單元(包括本公開的MTP存儲器單元)中使用的給定晶體管時(shí)可向這些線施加的電壓。
[0059]圖17解說根據(jù)本公開的一方面的工藝流程。代表性地，流程圖1700解說了制造可多次編程(MTP)NVM器件的方法。在框1702，在第二導(dǎo)電類型的基板上形成第一導(dǎo)電類型的鰭，例如，如圖6所示。在框1704，形成浮柵電介質(zhì)以部分地圍繞這些鰭。
[0060]在框1706，在浮柵電介質(zhì)上形成浮置柵極。在框1708，在浮置柵極上形成耦合膜。在框1710，在耦合膜上形成耦合柵極。
[0061]本公開的諸方面通過使用高k/金屬柵極工藝以形成浮柵類型的嵌入式閃存(eFlash)MTP單元來提供勝過相關(guān)技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)。進(jìn)一步，本公開的一個(gè)方面允許在MTP單元內(nèi)使用FinFET結(jié)構(gòu)。根據(jù)本公開的一個(gè)方面，這些結(jié)構(gòu)使用與相關(guān)器件類似的處理。本公開的該方面允許厚度可調(diào)的耦合氧化物/高k膜，其可減小所使用的擦除電壓并改善MTP單元中的數(shù)據(jù)保持性。耦合柵極102對浮置柵極108的控制電壓可以為正或?yàn)樨?fù)，而相關(guān)技術(shù)對浮置柵極108使用正電壓。
[0062]本公開的諸方面還通過圍繞鰭結(jié)構(gòu)606“卷繞”浮置柵極108和耦合柵極102來允許FinFET結(jié)構(gòu)的附加耦合，如圖15所示。增大的耦合允許本公開的該方面的FinFET結(jié)構(gòu)中的較低編程(寫)電壓。同樣，耦合柵極102對浮置柵極108的控制電壓在本公開的該方面中可以為正或?yàn)樨?fù)，從而消除了相關(guān)技術(shù)的僅正控制。
[0063]在一種配置中，可多次編程(MTP)器件包括用于傳導(dǎo)電流的裝置。在本公開的一個(gè)方面，該電流傳導(dǎo)裝置可以是被配置成執(zhí)行由該電流傳導(dǎo)裝置敘述的晶體管功能的鰭結(jié)構(gòu)606、源極112和漏極110和/或其他結(jié)構(gòu)。在該配置中，該器件還包括用于存儲電荷的裝置。在一個(gè)方面，該存儲裝置可以是被配置成執(zhí)行由電流控制裝置敘述的晶體管功能的浮置柵極108和/或其他結(jié)構(gòu)。該器件還包括用于控制邏輯狀態(tài)的裝置。該控制裝置可以是被配置成執(zhí)行由電荷感生裝置敘述的功能的耦合柵極102和/或其他結(jié)構(gòu)。在另一方面，前述裝置可以是被配置成執(zhí)行由前述裝置所述的功能的任何模塊或任何設(shè)備。
[0064]圖18是示出其中可有利地采用本公開的一方面的示例性無線通信系統(tǒng)1800的框圖。出于解說目的，圖18示出了三個(gè)遠(yuǎn)程單元1820、1830和1850以及兩個(gè)基站1840。將認(rèn)識至IJ，無線通信系統(tǒng)可具有多得多的遠(yuǎn)程單元和基站。遠(yuǎn)程單元1820、1830和1850包括包含浮柵晶體管800及802或本公開中的其他所公開結(jié)構(gòu)的1C設(shè)備1825A、1825C和1825B。將認(rèn)識至IJ，其他設(shè)備也可包括所公開的器件，諸如基站、交換設(shè)備、和網(wǎng)絡(luò)裝備。圖18示出從基站1840到遠(yuǎn)程單元1820、1830和1850的前向鏈路信號1880，以及從遠(yuǎn)程單元1820、1830和1850到基站1840的反向鏈路信號1890。
[0065]在圖18中，遠(yuǎn)程單元1820被示為移動電話，遠(yuǎn)程單元1830被示為便攜式計(jì)算機(jī)，而遠(yuǎn)程單元1850被示為無線本地環(huán)路系統(tǒng)中的固定位置遠(yuǎn)程單元。例如，這些遠(yuǎn)程單元可以是移動電話、手持式個(gè)人通信系統(tǒng)(PCS)單元、便攜式數(shù)據(jù)單元(諸如個(gè)人數(shù)據(jù)助理)、啟用GPS的設(shè)備、導(dǎo)航設(shè)備、機(jī)頂盒、音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、位置固定的數(shù)據(jù)單元(諸如儀表讀數(shù)裝置)、或者存儲或取回?cái)?shù)據(jù)或計(jì)算機(jī)指令的其他設(shè)備、或者其組合。盡管圖18解說了根據(jù)本公開的各方面的遠(yuǎn)程單元，但本公開并不被限定于所解說的這些示例性單元。本公開的諸方面可被合適地用在包括所公開的晶體管、FinFET、或落在本公開的范圍之內(nèi)的其他結(jié)構(gòu)的許多設(shè)備中。
[0066]本領(lǐng)域技術(shù)人員將進(jìn)一步領(lǐng)會，結(jié)合本文的公開所描述的各種解說性邏輯框、模塊、電路、和算法步驟可被實(shí)現(xiàn)為電子硬件、計(jì)算機(jī)軟件、或兩者的組合。為清楚地解說硬件與軟件的這一可互換性，各種解說性組件、塊、模塊、電路、和步驟在上面是以其功能性的形式作一般化描述的。此類功能性是被實(shí)現(xiàn)為硬件還是軟件取決于具體應(yīng)用和施加于整體系統(tǒng)的設(shè)計(jì)約束。技術(shù)人員可針對每種特定應(yīng)用以不同方式來實(shí)現(xiàn)所描述的功能性，但此類實(shí)現(xiàn)決策不應(yīng)被解讀