半導(dǎo)體裝置的制造方法
【專利說明】半導(dǎo)體裝置
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]通過引用將2014年9月29日提交的日本專利申請N0.2014-199405的公開，包括說明書、附圖和摘要，整體并入在此。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置，并優(yōu)選適用于，例如，由每個其中形成有電感器的相對地布置的兩個半導(dǎo)體芯片形成的半導(dǎo)體裝置。
【背景技術(shù)】
[0004]作為在要從彼此輸入的電信號的電勢不同的兩個電路之間傳輸電信號的技術(shù)，有一種使用光耦合器的技術(shù)。光耦合器具有諸如發(fā)光二極管的發(fā)光射元件，以及諸如光電晶體管(phototransistor)的光接收元件。因此，光親合器在發(fā)光射元件處將接收到的電信號轉(zhuǎn)換成光，而在光接收元件處將該光返回為電信號，從而傳輸電信號。
[0005]相反，已經(jīng)開發(fā)了在兩個電感器之間建立磁耦合(電感耦合)從而傳輸電信號的技術(shù)。
[0006]日本未經(jīng)審查的專利申請公開N0.Hei(平)11(1999)-219824(專利文件I)公開了一種關(guān)于表面安裝型平衡變壓器的技術(shù)。
[0007]在日本未經(jīng)審查的專利申請公開N0.2011-54800(專利文件2)中，公開了一種關(guān)于半導(dǎo)體裝置技術(shù)，其中在第一半導(dǎo)體芯片和第二半導(dǎo)體芯片中分別形成電感器，并使用電感器的電感耦合來執(zhí)行芯片之間的信號傳輸。然后，在專利文件2中，它描述了也可以在兩個半導(dǎo)體芯片之間設(shè)置絕緣粘合層。
[0008][專利文獻(xiàn)]
[0009][專利文獻(xiàn)I]
[0010]日本未經(jīng)審查的專利申請公開N0.Hei (平)11 (1999)-219824
[0011][專利文獻(xiàn)2]
[0012]日本未經(jīng)審查的專利申請公開N0.2011-54800
[0013]概述
[0014]在一種半導(dǎo)體裝置中，兩個半導(dǎo)體芯片每個都包括其中形成的電感器，兩個半導(dǎo)體芯片被彼此相對地布置，并通過磁耦合傳輸電信號；在這樣的半導(dǎo)體裝置中，在芯片之間可能引起電介質(zhì)擊穿。
[0015]從本說明書和附圖的描述，其他目的和新穎的特征將是明顯的。
[0016]根據(jù)一個實施例，一種半導(dǎo)體裝置具有隔著絕緣片一個堆疊在另一個之上的第一半導(dǎo)體芯片和第二半導(dǎo)體芯片。所述第一半導(dǎo)體芯片具有:包括一層或多層布線層的第一布線結(jié)構(gòu)，在所述第一布線結(jié)構(gòu)中形成的第一線圈，以及在所述第一布線結(jié)構(gòu)之上形成的第一絕緣膜。所述第二半導(dǎo)體芯片具有:包括一層或多層布線層的第二布線結(jié)構(gòu)，在所述第二布線結(jié)構(gòu)中形成的第二線圈，以及在所述第二布線結(jié)構(gòu)之上形成的第二絕緣膜。所述第一半導(dǎo)體芯片和所述第二半導(dǎo)體芯片隔著絕緣片一個堆疊在另一個之上，所述第一半導(dǎo)體芯片的第一絕緣膜和所述第二半導(dǎo)體芯片的第二絕緣膜彼此相對。所述第一線圈和所述第二線圈彼此磁耦合。然后，在所述第一布線結(jié)構(gòu)的最上層布線層的第一最上層布線層處形成第一導(dǎo)線和第一偽導(dǎo)線(dummy wire)，并在所述第二布線結(jié)構(gòu)的最上層布線層的第二最上層布線層處形成第二導(dǎo)線和第二偽導(dǎo)線。
[0017]根據(jù)一個實施例，能夠提高半導(dǎo)體裝置的可靠性。
[0018]附圖簡要描述
[0019]圖1是示出使用一個實施例的半導(dǎo)體裝置的電子裝置的一個示例的電路圖；
[0020]圖2是示出信號傳輸示例的說明性視圖；
[0021]圖3是一個實施例的半導(dǎo)體封裝件的頂視圖；
[0022]圖4是圖3的半導(dǎo)體封裝件的平面透視圖；
[0023]圖5是圖3的半導(dǎo)體封裝件的平面透視圖；
[0024]圖6是圖3的半導(dǎo)體封裝件的平面透視圖；
[0025]圖7是圖3的半導(dǎo)體封裝件的平面透視圖；
[0026]圖8是圖3的半導(dǎo)體封裝件的平面透視圖；
[0027]圖9是圖3的半導(dǎo)體封裝件的截面圖；
[0028]圖10是圖3的半導(dǎo)體封裝件的截面圖；
[0029]圖11是在制造步驟期間的圖3的半導(dǎo)體封裝件的截面圖；
[0030]圖12是在圖11后的制造步驟期間的半導(dǎo)體封裝件的截面圖；
[0031]圖13是在圖12后的制造步驟期間的半導(dǎo)體封裝件的截面圖；
[0032]圖14是在圖13后的制造步驟期間的半導(dǎo)體封裝件的截面圖；
[0033]圖15是在圖14后的制造步驟期間的半導(dǎo)體封裝件的截面圖；
[0034]圖16是在圖15后的制造步驟期間的半導(dǎo)體封裝件的截面圖；
[0035]圖17是示出一個實施例的半導(dǎo)體裝置的電子系統(tǒng)的一個示例的示意圖；
[0036]圖18是一個實施例的半導(dǎo)體芯片的截面圖；
[0037]圖19是一個實施例的半導(dǎo)體裝置的平面圖；
[0038]圖20是在制造步驟期間的一個實施例的半導(dǎo)體芯片的截面圖；
[0039]圖21是在圖20后的制造步驟期間的半導(dǎo)體芯片的截面圖；
[0040]圖22是在圖21后的制造步驟期間的半導(dǎo)體芯片的截面圖；
[0041]圖23是在圖22后的制造步驟期間的半導(dǎo)體芯片的截面圖；
[0042]圖24是在圖23后的制造步驟期間的半導(dǎo)體芯片的截面圖；
[0043]圖25是在圖24后的制造步驟期間的半導(dǎo)體芯片的截面圖；
[0044]圖26是在圖25后的制造步驟期間的半導(dǎo)體芯片的截面圖；
[0045]圖27是在圖26后的制造步驟期間的半導(dǎo)體芯片的截面圖；
[0046]圖28是在圖27后的制造步驟期間的半導(dǎo)體芯片的截面圖；
[0047]圖29是在圖28后的制造步驟期間的半導(dǎo)體芯片的截面圖；
[0048]圖30是在圖29后的制造步驟期間的半導(dǎo)體芯片的截面圖；
[0049]圖31是在圖30后的制造步驟期間的半導(dǎo)體芯片的截面圖；
[0050]圖32是在圖31后的制造步驟期間的半導(dǎo)體芯片的截面圖；
[0051]圖33是示出放大的圖9的半導(dǎo)體封裝件的一部分的部分放大截面圖；
[0052]圖34是一個研究不例的半導(dǎo)體芯片的截面圖；
[0053]圖35是所述研究示例的半導(dǎo)體芯片的平面圖；
[0054]圖36A和36B每個是用于說明臺階差的形成的說明性視圖；
[0055]圖37A和37B每個是用于說明臺階差的形成的說明性視圖；
[0056]圖38是示出當(dāng)所述研究示例的半導(dǎo)體芯片被應(yīng)用到圖9的半導(dǎo)體封裝件的半導(dǎo)體芯片時的放大的半導(dǎo)體封裝件的一部分的部分放大截面圖；
[0057]圖39是圖38的部分放大截面圖；
[0058]圖40是示出金屬圖案之間的距離和絕緣膜的臺階差的大小之間的相關(guān)性的一個示例的圖；
[0059]圖41是另一個實施例的半導(dǎo)體芯片的平面圖；
[0060]圖42是所述另一個實施例的半導(dǎo)體芯片的截面圖；
[0061]圖43是示出當(dāng)圖42的半導(dǎo)體芯片被應(yīng)用到圖9的半導(dǎo)體封裝件的半導(dǎo)體芯片時的放大的半導(dǎo)體封裝件的一部分的部分放大截面圖；
[0062]圖44是又一個實施例的半導(dǎo)體芯片的截面圖；和
[0063]圖45是所述又一個實施例的半導(dǎo)體芯片的平面圖。
【具體實施方式】
[0064]在下面實施例的描述中，在需要時，為了方便，可以用多個分開的部分或?qū)嵤┓绞絹砻枋鰧嵤├?。然而，除非另有說明，否則這些并不是彼此獨(dú)立的，而是處于這樣的關(guān)系中:一個可以是另一個的一部分或全部的修改的示例、細(xì)節(jié)、補(bǔ)充說明等。另外，在下面所描述的實施例中，當(dāng)提到元素項的數(shù)字等(包括，數(shù)、數(shù)值、量、范圍等)時，除非另有說明，否則該元素項的數(shù)字等并不限于特定數(shù)字，而是可以大于或小于該特定數(shù)字，除了在原理上該數(shù)字顯然限于該特定數(shù)字的情況或除了情況。此外，在下面的實施例中，不用說，組成元素項(包括元件步驟等)并非總是必要的，除非另有說明，并除了在原理上它們明顯被認(rèn)為是必要的。類似地，在下面的實施例中，當(dāng)提到組成元素項等的形狀、位置關(guān)系等時，這被理解為:它們包括與所述形狀等基本相似或類似的那些，除非另有說明，并且除非在原理上明顯被認(rèn)為相反或者某些例外情況。這也適用于上面所描述的數(shù)值和范圍。
[0065]下面，將參照附圖詳細(xì)地描述實施例。順便提及，在用于描述下面的實施例的所有附圖中，具有相同功能的那些被給出了相同的參考標(biāo)記和標(biāo)號，并省略了對其重復(fù)描述。另夕卜，在下面的實施例中，原則上將不重復(fù)關(guān)于相同或類似部分的描述，除非需要。
[0066]此外，在實施例中使用的附圖中，為了便于理解附圖，即使在截面圖中也可能省略影線。另一方面，為了便于理解附圖，即使在平面圖中也可能添加影線。
[0067]第一實施例
[0068]〈關(guān)于電路配置〉
[0069]圖1是示出使用一個實施例的半導(dǎo)體裝置的電子裝置(半導(dǎo)體裝置)的一個示例的電路圖。順便提及，在圖1中，被虛線圍繞的部分形成在半導(dǎo)體芯片CPl中，被交替的長短劃線圍繞的部分形成在半導(dǎo)體芯片CP2中，而被雙點劃線圍繞的部分形成在半導(dǎo)體封裝件PKG中ο
[0070]圖1所示的電子裝置包括半導(dǎo)體封裝件(半導(dǎo)體裝置)PKG，其內(nèi)部包括半導(dǎo)體芯片(半導(dǎo)體裝置)CP1和CP2。在半導(dǎo)體芯片CPl中，形成有發(fā)送電路TXl和接收電路RX2。在半導(dǎo)體芯片CP2中，形成有接收電路RX1、發(fā)送電路TX2和驅(qū)動電路DR。另外，圖1所示的電子裝置還具有控制電路CC?？刂齐娐稢C形成在設(shè)置在半導(dǎo)體封裝件PKG外部的獨(dú)立的半導(dǎo)體芯片中。
[0071]發(fā)送電路TXl和接收電路RXl每個是用于將來自控制電路CC的控制信號傳輸?shù)津?qū)動電路DR的電路。而發(fā)送電路TX2和接收電路RX2每個是用于將來自驅(qū)動電路DR的信號發(fā)送至控制電路CC的電路?？刂齐娐稢C控制或驅(qū)動驅(qū)動電路DR。驅(qū)動電路DR驅(qū)動負(fù)載L0D。半導(dǎo)體芯片CPl和CP2包括在半導(dǎo)體封裝件PKG內(nèi)部。負(fù)載LOD設(shè)置在半導(dǎo)體封裝件PKG的外部。
[0072]半導(dǎo)體芯片I中的電路(包括發(fā)送電路TXl和接收電路RX2)被供應(yīng)有電源電壓VCC1，并通過地電壓GNDl接地。而半導(dǎo)體芯片CP2的電路(包括發(fā)送電路TX2和接收電路RXl)被供應(yīng)有電源電壓VCC2，并通過地電壓GND2接地。電源電壓VCCl和電源電壓VCC2可以是彼此相等的電壓，或者也可以是不同的電壓。類似地，地電壓GNDl和接地電壓GND2也可以是彼此相等的電壓，或者也可以是不同的電壓。
[0073]由磁耦合(電感性耦合)的線圈(電感器)CLla和CLlb形成的變壓器(換能器、磁耦合元件或電磁耦合元件)TRl設(shè)置在發(fā)送電路TXl和接收電路RXl之間。因此，信號可以從發(fā)送電路TXl經(jīng)由變壓器TRl (即，經(jīng)由磁耦合線圈CLla和CLlb)傳輸?shù)浇邮针娐稲Xlo因此，在半導(dǎo)體芯片CP2中的接收電路RXl可以接收從半導(dǎo)體芯片CPl中的發(fā)送單元TXl發(fā)送的信號。因此，控制電路CC可以經(jīng)由發(fā)送電路TX1、變壓器TRl和接收電路RXl發(fā)送信號(控制信號)至驅(qū)動電路DR。
[0074]形成變壓器TRl的線圈CLla和CLlb中，線圈CLla形成在半導(dǎo)體芯片CPl中，而線圈CLlb形成在半導(dǎo)體芯片CP2中。S卩，變壓器TRl由形成在半導(dǎo)體芯片CPl中的線圈CLla和形成在半導(dǎo)體芯片CP2中的線圈CLlb形成。線圈CLla和線圈CLlb也可以每個被視為電感器。而變壓器TRl也可以被視為磁耦合元件。
[0075]由磁耦合(電感耦合)的線圈(電感器)CL2a和CL2b形成的變壓器(換能器、磁耦合元件或電磁耦合元件)TR2設(shè)置在發(fā)送電路TX2和接收電路RX2之間。因此，信號可以從發(fā)送電路TX2經(jīng)由變壓器TR2 (即，經(jīng)由磁耦合的線圈CL2a和CL2b)傳輸?shù)浇邮针娐稲X2。因此，半導(dǎo)體芯片CPl中的接收電路RX2可以接收從半導(dǎo)體芯片CP2中的發(fā)送單元TX2發(fā)送的信號。因此，驅(qū)動電路DR可以經(jīng)由發(fā)送電路TX2、變壓器TR2和接收電路RX2發(fā)送信號至控制電路CC。
[0076]形成變壓器TR2的線圈CL2b和CL2a中，線圈CL2a形成在半導(dǎo)體芯片CPl中，而線圈CL2b形成在半導(dǎo)體芯片CP2中。S卩，變壓器TR2由形成在半導(dǎo)體芯片CPl中的線圈CL2a和形成在半導(dǎo)體芯片CP2中的線圈CL2b形成。線圈CL2b和線圈CL2a也可以每個被視為電感器。而變壓器TR2也可以被視為磁耦合元件。
[0077]變壓器TRl由形成在半導(dǎo)體芯片CPl中的線圈CLla和形成在半導(dǎo)體芯片CP2中的線圈CLlb形成。線圈CLla和線圈CLlb不是通過導(dǎo)體連接，而是彼此磁親合。出于這個原因，當(dāng)電流通過線圈CLla時，根據(jù)電流的變化在線圈CLlb中產(chǎn)生感應(yīng)電動勢，使得感應(yīng)電流從其通過。線圈CLla是初級線圈，而線圈CLlb是次級線圈。用此，信號從發(fā)送電路TXl傳輸?shù)阶儔浩鱐Rl的線圈CLla (初級線圈)，從而通過電流。在變壓器TRl的線圈CLlb (次級線圈)中相應(yīng)地產(chǎn)生的感應(yīng)電流(或感應(yīng)電動勢)由接收電路RXl來檢測(接收)。因而，接收電路RXl可以接收響應(yīng)于從發(fā)送電路TXl發(fā)送的信號的信號。
[0078]變壓器TR2由形成在半導(dǎo)體芯片CP2中的線圈CL2b和形成在半導(dǎo)體芯片CPl中的線圈CL2a形成。線圈CL2b和線圈CL2a不是通過導(dǎo)體連接，而是彼此磁耦合。出于這個原因，當(dāng)電流通過線圈CL2b時，根據(jù)電流的變化在線圈CL2a中產(chǎn)生感應(yīng)電動勢，使得感應(yīng)電流從其通過。線圈CL2b是初級線圈，而線圈CL2a是次級線圈。利用此，信號從發(fā)送電路TX2被發(fā)送到變壓器TR2的線圈CL2b (初級線圈)，從而通過電流。在變壓器TR2的線圈CL2a(次級線圈)中相應(yīng)地產(chǎn)生的感應(yīng)電流(或感應(yīng)電動勢)由接收電路RX2來檢測(接收)。因此，接收電路RX2可以接收響應(yīng)于從發(fā)送電路TX2發(fā)送的信號的信號。
[0079]通過從發(fā)送電路TXl經(jīng)由變壓器TRl到接收電路RXl的路徑，以及從發(fā)送電路TX2經(jīng)由變壓器TR2到接收電路RX2的路徑，在半導(dǎo)體芯片CPl和半導(dǎo)體芯片CP2之間執(zhí)行信號的發(fā)送和接收。即，由發(fā)送電路TXl發(fā)送的信號被接收電路RXl接收。從發(fā)送電路TX2發(fā)送的信號被接收電路RX2接收。因此，可以在半導(dǎo)體芯片CPl和半導(dǎo)體芯片CP2之間執(zhí)行信號的發(fā)送和接收。如上所述，對于從發(fā)送電路TXl到接收電路RXl的信號的傳輸，插入了變壓器TRl (即，磁耦合的線圈CLla和CLlb)。而對于從發(fā)送電路TX2到接收電路RX2的信號的傳輸，插入了變壓器TR2 (即，磁耦合的線圈CL2b和CL2a)。驅(qū)動電路DR可以響應(yīng)于從半導(dǎo)體芯片CPl發(fā)送到半導(dǎo)體芯片CP2的信號(即，從發(fā)送電路TXl經(jīng)由變壓器TRl發(fā)送到接收電路RXl的信號)驅(qū)動負(fù)載L0D。根據(jù)期望的用途，負(fù)載LOD可以包括各種負(fù)載。其示例可以包括電機(jī)和用于電機(jī)驅(qū)動的逆變器。
[0080]半導(dǎo)體芯片CPl和半導(dǎo)體芯片CP2在電平(參考電位)上彼此不同。例如，半導(dǎo)體芯片CPl經(jīng)由后面說明的導(dǎo)線BW、引線LD等耦接到具有以低電壓(例如，幾V到幾十V)操作或驅(qū)動的電路(例如，控制電路CC)的低電壓區(qū)。而半導(dǎo)體芯片CP2經(jīng)由后面介紹的導(dǎo)線BW、引線LD等耦接到具有以較高電壓(例如，100V或更高)操作或驅(qū)動的電路(例如，負(fù)載L0D)的高電壓區(qū)。然而，半導(dǎo)體芯片CPl和CP2之間的信號的傳輸是通過變壓器TRl和TR2進(jìn)行的。這使得能夠?qū)崿F(xiàn)在不同電壓的電路之間的信號的傳輸。
[0081]在變壓器TRl或TR2中，在初級線圈和次級線圈之間可能會引起大的電位差。反過來說，由于可能會引起大的電位差，因此，初級線圈和二次線圈沒有通過導(dǎo)體連接，而是彼此磁耦合，以用于信號傳輸。出于這個原因，對于變壓器TRl的形成，將線圈CLla與線圈CLlb之間的電介質(zhì)擊穿電壓最大化。這對提高其內(nèi)包括半導(dǎo)體芯片CPl和CP2的半導(dǎo)體封裝件PKG或使用半導(dǎo)體封裝件PKG的電子裝置的可靠性是重要的。而對于變壓器TR2的形成，線圈CL2a與線圈CL2b之間的電介質(zhì)擊穿電壓被最大化。這對提高其內(nèi)包括半導(dǎo)體芯片CPl和CP2的半導(dǎo)體封裝件PKG或使用該半導(dǎo)體封裝件的電子裝置的可靠性是重要的。
[0082]順便提及，圖1示出了控制電路CC被包括在半導(dǎo)體芯片CPl和CP2之外的半導(dǎo)體芯片內(nèi)的情況。然而，作為另一種形式，控制電路CC也可以被包括在半導(dǎo)體芯片CPl內(nèi)。此夕卜，圖1示出了驅(qū)動電路DR被包括在半導(dǎo)體芯片CP2內(nèi)的情況。然而，作為另一種形式，驅(qū)動電路DR也可以被包括在半導(dǎo)體芯片CPl和CP2以外的半導(dǎo)體芯片內(nèi)。
[0083]〈關(guān)于信號傳輸不例〉
[0084]圖2示出了信號傳輸示例的說明性視圖。
[0085]發(fā)送電路TXl提取出輸入到發(fā)送電路TXl的方波信號SGl的邊緣部分，并產(chǎn)生具有給定脈沖寬度的信號SG2，并將信號SG2發(fā)送到變壓器TRl的線圈CLla (初級線圈)。當(dāng)由信號SG2導(dǎo)致的電流通過變壓器TRl的線圈CLla(初級線圈)時，通過感應(yīng)電動勢，響應(yīng)于此的信號SG3流過變壓器TRl的線圈CLlb (次級線圈)。信號SG3被接收電路RXl放大，并進(jìn)一步被調(diào)制成方波，使得方波信號SG4從接收電路RXl輸出。結(jié)果，響應(yīng)于輸入到發(fā)送電路TXl的信號SGl的信號SG4可以從接收電路RXl輸出。以這種方式，信號從發(fā)送電路TXl傳輸?shù)浇邮针娐稲Xl。從發(fā)送電路TX2到接收電路RX2的信號傳輸也可以以同樣的方式進(jìn)行。
[0086]圖2示出了從發(fā)送電路到接收電路的信號的傳輸?shù)囊粋€示例。然而，該示例并不是排他性的，而是可以進(jìn)行多種多樣的改變。對于該過程而言，只有信號通過磁耦合的線圈(初級線圈和二次線圈)傳輸是必要的。
[0087]<關(guān)于半導(dǎo)體封裝件的配置示例>
[0088]下面，將給出本實施例的半導(dǎo)體封裝件的配置示例的描述。順便提及，半導(dǎo)體封裝件也可以被視為半導(dǎo)體裝置。
[0089]圖3至8每個是示出本實施例的半導(dǎo)體封裝件(半導(dǎo)體裝置)PKG的平面圖。圖9和10每個是示出本實施例的半導(dǎo)體封裝件PKG的截面圖。順便提及，在圖3至8中:圖3是半導(dǎo)體封裝件PKG的頂視圖(頂面?zhèn)绕矫鎴D)；圖4至7每個是從其頂面?zhèn)韧高^看到的半導(dǎo)體封裝件PKG的平面透視圖；并圖8是從其底面?zhèn)韧高^看到的半導(dǎo)體封裝件PKG的平面透視圖。在圖4中，密封樹脂部件MR被看透，并且密封樹脂部件的外部形狀(外周)用雙點劃線來指示。圖5與通過從圖4去除半導(dǎo)體芯片CP2和導(dǎo)線BW得到的平面透視圖對應(yīng)。圖6與通過進(jìn)一步從圖5去除絕緣片ZS得到的平面透視圖對應(yīng)。圖7與通過進(jìn)一步從圖6去除半導(dǎo)體芯片CPl得到的平面透視圖對應(yīng)。而在圖8中，如圖4中那樣，密封樹脂部件被看透，并且密封樹脂部件的外部形狀(外周)用雙點劃線來指示。然而，看半導(dǎo)體封裝件PKG的方向在圖8和圖4中是相對的。而沿著圖3和4的每個線A-A的截面圖大致與圖9對應(yīng)。沿著圖3和4的每個線B-B的截面圖大致與圖10對應(yīng)。
[0090]圖3至10中所述的半導(dǎo)體封裝件PKG是包括半導(dǎo)體芯片CPl和CP2的半導(dǎo)體封裝件。下面，將具體描述半導(dǎo)體封裝件PKG的配置。
[0091]圖3至10中所示的半導(dǎo)體封裝件PKG具有:半導(dǎo)體芯片CPl和CP2，用于在其上安裝半導(dǎo)體芯片CPl的片芯墊盤(die pad) DP，多個引線LD，設(shè)置在半導(dǎo)體芯片CPl和CP2之間的絕緣片ZS，用于在半導(dǎo)體芯片CPl和引線LD之間以及在半導(dǎo)體芯片CP2和引線LD之間建立耦接的多個導(dǎo)線BW，以及用于密封這些的樹脂部件MR。
[0092]作為密封件的密封樹脂部件(密封件、密封樹脂或密封體)MR由樹脂材料(諸如，熱固性樹脂材料)形成，也可以包含填充物等。密封樹脂部件MR密封(并電和機(jī)械地保護(hù))半導(dǎo)體芯片CPl和CP2、片芯墊盤DP、絕緣片ZS、多個引線LD、以及多個線BW。例如，密封樹脂部件MR可以跨其厚度地在平面配置(外部形狀配置)中以矩形形狀(四方形狀)。
[0093]在半導(dǎo)體芯片CPl的前表面(其是半導(dǎo)體芯片CPl的元件形成側(cè)上的主表面)處，形成多個墊盤(墊盤電極或接合墊盤)PD1。所述多個墊盤是半導(dǎo)體芯片CPl的外部耦接端子。半導(dǎo)體芯片CPl的每個墊盤PDl與形成在半導(dǎo)體芯片CPl內(nèi)部的半導(dǎo)體集成電路(例如，發(fā)送電路TXl或接收電路RX2)電耦接。
[0094]在半導(dǎo)體芯片CP2的前表面(其是半導(dǎo)體芯片CP2的元件形成側(cè)上的主表面)處，形成了多個墊盤TO2。所述多個墊盤是半導(dǎo)體芯片CP2的外部耦接端子。半導(dǎo)體芯片CP2的每個墊盤PD2與形成在半導(dǎo)體芯片CP2內(nèi)部的半導(dǎo)體集成電路(例如，發(fā)送電路TX2、接收電路RXl、或驅(qū)動電路DR)電耦接。
[0095]順便提及，在半導(dǎo)體芯片CPl中，其上形成墊盤PDl的一側(cè)上的主表面被稱為半導(dǎo)體芯片CPl的前表面，與其相對的主表面被稱為半導(dǎo)體芯片CPl的背表面。而在半導(dǎo)體芯片CP2中，其上形成墊盤PD2的一側(cè)上的主表面被稱為半導(dǎo)體芯片CP2的前表面，與其相對的主表面被稱為半導(dǎo)體芯片CP2的背表面。半導(dǎo)體芯片CPl和CP2的各自的前表面分別主要由后面介紹的絕緣膜PA的頂表面形成。