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      聚合物有機(jī)半導(dǎo)體組合物的制作方法_2

      文檔序號(hào):9732268閱讀:來(lái)源:國(guó)知局
      0時(shí),Rl、R3、R4、R6、R7、R 9、Rl哺Rl2獨(dú)立地代表H、Cl-Cl4 烷基或C1-C6烷氧基。在甚至更優(yōu)選的實(shí)施方式中,1?1、護(hù)、於、護(hù)節(jié)、護(hù)、1?1哺護(hù)相同或不同且 選自氨、甲基、乙基、丙基、正下基、異下基、叔下基、正辛基、甲氧基、乙氧基、丙氧基和下氧 基,條件是,RVR 4和RVrW各對(duì)中的至少一個(gè)為到另外的具有式(A)、(B)或(C)的單體單元的 由一一氣戈表的鍵。
      [0048] 尤其優(yōu)選的根據(jù)本發(fā)明的BXBX單體單元為式(A1)的那些
      [0049]
      [0050] 其中優(yōu)選地γ? = γ2 = 8
      [0051] 1?1、護(hù)、於、1?6、護(hù)心、1?1哺1?12相同或不同且獨(dú)立地選自氨、甲基、乙基、丙基、正下 基、異下基、叔下基、正辛基、甲氧基、乙氧基、丙氧基和下氧基,更優(yōu)選氨、甲基、丙基和甲氧 基。
      [00劃在式(Α1)的單體單元中,1?1、護(hù)、於心、護(hù)、護(hù)、1?1哺1?12獨(dú)立地選自氨、扣-(:14烷基和 C1-C6烷氧基,條件是,護(hù)/R4和RVrW各對(duì)中的至少一個(gè)為到另外的具有式(Α1)、(Β)或(C) 的單體單元的由一一*代表的鍵。在優(yōu)選實(shí)施方式中,r 3、r4、r9和rw相同或不同且獨(dú)立地選 自氨、甲基、乙基、丙基、正下基、異下基、叔下基、正辛基、甲氧基、乙氧基、丙氧基和下氧基, 更優(yōu)選氨、甲基、乙基、丙基、正辛基和甲氧基,條件是,rVr哺rVrw各對(duì)中的至少一個(gè)為到 另外的具有式(A1)、(B)或(C)的單體單元的由一一氣戈表的鍵。
      [0053] 本發(fā)明的優(yōu)選的PAHC和組合物含有(所述共聚物或組合物中的全部單體單元 (A1)、(B)和(C)的總量的)至少10重量%、更優(yōu)選15-30%的具有式(A1)的雜并苯單體和至 少40重量%、優(yōu)選50-85重量%的具有式(B)的單體單元W及至少15重量%、優(yōu)選20-50 %的 具有式(C)的單體單元,使得(A1) + (B) + (C)的合計(jì)總重量為100%。
      [0054] "R"取代基(即Ri、R2等)表示在雜并苯根據(jù)常規(guī)的命名法的各位置處的取代基:
      [0055]
      [0056] 根據(jù)本發(fā)明的BXBX單體可通過(guò)在本領(lǐng)域技術(shù)人員的普通常識(shí)范圍內(nèi)的任何已知 的方法合成。在優(yōu)選實(shí)施方式中,EP 2098527、EP 2254171、期刊Hetero巧cles,2011, Volume 83,pages 1187和Zh.0rg.趾im,1980,Volume 16,pages 384,425and 430中公開的 方法可用于本發(fā)明中使用的雜并苯化合物的合成。本發(fā)明的PAHC的高電容率類似物可根據(jù) W02012/160383 和 W02012/164282 制備。
      [0057] 單體單元(B)
      [0058] 下面是W上定義為(B)的巧單體單元的一些優(yōu)選的特性。
      [0059] 在單體單元(B)中,優(yōu)選地,各護(hù)、護(hù)、護(hù)、於'各自可相同或不同,選自氨;支化或未 支化的、取代或未取代的Ci-Cio烷基;支化或未支化的、取代或未取代的C2-C10締基;支化或 未支化的、取代或未取代的C2-C10烘基;任選地取代的C3-C10環(huán)烷基;任選地取代的Cs-Cio芳 基;任選地取代的Ci-Cio雜環(huán)基;任選地取代的Ci-Cio雜芳基;任選地取代的Ci-Cio烷氧基; 任選地取代的Cs-Cio芳氧基;任選地取代的C7-C10燒芳氧基;任選地取代的C2-C10燒氧幾基; 任選地取代的。-C20芳氧幾基;氯基(-CN);氨基甲酯基(-c(=o)nrisri 6);幾基(-"=〇)-R");簇基(-C02R");氯酸醋基(-0CN);異氯基(-NC);異氯酸醋基(-NC0);硫氯酸醋基(-SCN) 或異硫氯酸醋基(-NCS);任選地取代的氨基;徑基;硝基;C的基團(tuán);面素基團(tuán)(C1、化、F、I);-SRW ; -SO抽;-S02RW ; -SFs;任選地取代的甲娃烷基。
      [0060] 優(yōu)選地,各Ri '和R2 '各自可相同或不同,選自C4-10烷基,更優(yōu)選C6-8烷基,更優(yōu)選C4-10 正烷基,更優(yōu)選C6-8正烷基,最優(yōu)選正辛基。
      [006。優(yōu)選地,R3'和R4'為H。
      [0062] 單體單元(C)
      [0063] 下面是W上定義為(C)的Ξ芳基胺單體單元的一些優(yōu)選的特性。
      [0064] 優(yōu)選地,在單體單元(C)中,Ari、An和An可相同或不同,各自代表任選地取代的 C6-20芳族基團(tuán)(單環(huán)的或多環(huán)的),如果在不同的重復(fù)單元中,各自獨(dú)立地代表任選地取代 的C6-20芳族基團(tuán)(單環(huán)的或多環(huán)的),其中Ari、An和An的至少一個(gè)被至少一個(gè)極性或更極 化的基團(tuán)取代,和n=l-100、優(yōu)選1-50、優(yōu)選1-20、甚至更優(yōu)選1-10和更優(yōu)選1-5,其中η指的 是單體單元的數(shù)量。優(yōu)選地,Α;γι、Αγ2和Αγ3的至少一個(gè)被1、2、3、或4個(gè),更優(yōu)選1、2或3個(gè),更 優(yōu)選1或2個(gè),優(yōu)選1個(gè)極性或更極化的基團(tuán)取代。
      [0065] 在優(yōu)選實(shí)施方式中,所述一個(gè)或多個(gè)極性或極化基團(tuán)獨(dú)立地選自硝基,臘基,被硝 基、臘基、氯酸醋基、異氯酸醋基、硫氯酸醋基或異硫氯酸醋基取代的Cl-40烷基;任選地被硝 基、臘基、氯酸醋基、異氯酸醋基、硫氯酸醋基或異硫氯酸醋基取代的Cl-40烷氧基;任選地被 硝基、臘基、氯酸醋基、異氯酸醋基、硫氯酸醋基或異硫氯酸醋基取代的Cl-40簇酸基;任選地 被硝基、臘基、氯酸醋基、異氯酸醋基、硫氯酸醋基或異硫氯酸醋基取代的C2-40簇酸醋;任選 地被硝基、臘基、氯酸醋基、異氯酸醋基、硫氯酸醋基或異硫氯酸醋基取代的橫酸;任選地被 硝基、臘基、氯酸醋基、異氯酸醋基、硫氯酸醋基或異硫氯酸醋基取代的橫酸醋;氯酸醋基, 異氯酸醋基,硫氯酸醋基,異硫氯酸醋基;和任選地被硝基、臘基、氯酸醋基、異氯酸醋基、硫 氯酸醋基或異硫氯酸醋基取代的氨基;及其組合。
      [0066] 在更優(yōu)選的實(shí)施方式中,所述一個(gè)或多個(gè)極性或極化基團(tuán)獨(dú)立地選自硝基,臘基, 被臘基、氯酸醋基、或異氯酸醋基取代的Cl-io烷基;Cl-20烷氧基,Cl-20簇酸基,C2-20簇酸醋;橫 酸醋;氯酸醋基,異氯酸醋基,硫氯酸醋基,異硫氯酸醋基,和氨基;及其組合。
      [0067] 更優(yōu)選地,所述極性或極化基團(tuán)選自Ci-4氯基烷基、打-10烷氧基、臘基及其組合。
      [0068] 更優(yōu)選地,所述極性或極化基團(tuán)選自氯甲基、氯乙基、氯丙基、氯下基、甲氧基、乙 氧基、丙氧基、T氧基、臘、N此及其組合。優(yōu)選地,Ari、An和An的至少一個(gè)被1或2個(gè)極性或 更極化的基團(tuán)取代,所述極性或更極化的基團(tuán)可相同或不同。
      [0069] 還更優(yōu)選地,極性或極化基團(tuán)選自異丙基氯基、環(huán)己基氯基、甲氧基、乙氧基、臘及 其組合。優(yōu)選地,Ari、Ar2和An的至少一個(gè)被1或2個(gè)極性或更極化的基團(tuán)取代,所述極性或 更極化的基團(tuán)可相同或不同。
      [0070] 更優(yōu)選地,極性或極化基團(tuán)選自甲氧基、乙氧基、丙氧基、下氧基及其組合,其中 Ari、An和An的至少一個(gè)被1或2個(gè)極性或更極化的基團(tuán)取代,所述極性或更極化的基團(tuán)可 相同或不同。
      [00川更優(yōu)選地,秘性或極化基團(tuán)選自甲氧基和乙氧基,其中Ari、An和An的至少一個(gè)被 1或2個(gè)相同的極性或更極化的基團(tuán)取代。
      [0072]在Ari、Ar2和An的情況中,單環(huán)的芳族基團(tuán)僅具有一個(gè)芳族環(huán),例如苯基或亞苯 基。多環(huán)的芳族基團(tuán)具有兩個(gè)或更多個(gè)芳族環(huán),所述芳族環(huán)可為稠合的(例如糞基或亞糞 基)、單獨(dú)地共價(jià)連接的(例如聯(lián)苯基)、和/或稠合的芳族環(huán)和單獨(dú)地連接的芳族環(huán)兩者的 組合。優(yōu)選地,各Ari、An和An為在基本上整個(gè)基團(tuán)上基本上共輛的芳族基團(tuán)。
      [007引優(yōu)選地,Ari、An和An獨(dú)立地選自C6-20芳基、C7-2日芳烷基和C7-20燒芳基,所述C6-20芳 基、C7-20芳烷基和C7-20燒芳基的任意可被1、2或3個(gè)獨(dú)立地選自如下的基團(tuán)取代:Cl-4烷氧基、 C3-20環(huán)烷基氯基、Ci-4氯基烷基、CN和其混合物,和優(yōu)選地n = l-10,其中η指的是單體單元 數(shù)。
      [0074] 優(yōu)選地,Ari、An和An獨(dú)立地選自C6-1Q芳基、C7-1巧烷基和C7-12燒芳基,所述C6-10 芳基、C7-12芳烷基和C7-12燒芳基的任意可被1、2或3個(gè)獨(dú)立地選自如下的基團(tuán)取代:Cl-2燒氧 基、Ci-3氯基烷基、CN和其混合物,和優(yōu)選地η = 1 -10。
      [007引優(yōu)選地,Ari、ΑΓ2和ΑΓ3獨(dú)立地選自C6-2日芳基,所述C6-20芳基被1或2個(gè)獨(dú)立地選自如 下的基團(tuán)取代:Cl-4烷氧基、C3-20環(huán)烷基氛基、Cl-4氛基烷基、CN和其混合物,和優(yōu)選地η = 1-10。
      [0076] 優(yōu)選地,An、Ar沸An獨(dú)立地選自C6-10芳基,其中An被1或2個(gè)Cl-4烷氧基取代,和優(yōu) 選地 n = 1-10。
      [0077] 優(yōu)選地,Ari、An和An獨(dú)立地選自C6-1Q芳基,其中An被1個(gè)Cl-4烷氧基取代,和優(yōu)選 地 n = l-10。
      [0078] 優(yōu)選地,Ari、An和An獨(dú)立地選自苯基、芐基、甲苯基和糞基,所述苯基、芐基、甲苯 基和糞基的任意可被1、2或3個(gè)獨(dú)立地選自如下的基團(tuán)取代:甲氧基、乙氧基、氯甲基、氯乙 基、CN和其混合物,和優(yōu)選地η = 1 -10。
      [0079] 優(yōu)選地,Ari、An和An全部為苯基,其中An被域2個(gè)Cl-4烷氧基取代,和優(yōu)選地η = 1-10。
      [0080] 優(yōu)選地,Ari、An和An全部為苯基,所述苯基可獨(dú)立地被1、2或3個(gè)選自如下的基團(tuán) 取代:甲氧基、乙氧基、異丙基氯基、氯甲基、氯乙基、CN和其混合物,和優(yōu)選地n = l-10。
      [0081] 優(yōu)選地,Ari、An和An全部為苯基,所述苯基可獨(dú)立地被1或2個(gè)選自如下的基團(tuán)取 代:甲氧基、乙氧基、氯甲基、CN和其混合物,和優(yōu)選地n = l-10。
      [0082] 優(yōu)選地,Ari、An和An全部為苯基,所述苯基可獨(dú)立地被1或2個(gè)選自如下的基團(tuán)取 代:甲氧基、乙氧基和其混合物,和優(yōu)選地η = 1 -10。
      [0083] 優(yōu)選地,An、An和An全部為苯基,所述苯基可獨(dú)立地被2,4-二甲氧基、2-氯基、2- 甲氧基、2-乙氧基、4-甲氧基、4-乙氧基、4-異丙基氯基和4-環(huán)己基氯基取代,和優(yōu)選地n = 1-10。
      [0084] 優(yōu)選地,An、An和An全部為苯基,所述苯基可獨(dú)立地被2,4-二甲氧基、2-甲氧基、 2-乙氧基、4-甲氧基和4-乙氧基取代,和優(yōu)選地η = 1-10。
      [0085] 單體單元(C)的特別優(yōu)選的實(shí)例表示為下面的(F)-(J):
      [0086]
      [0087] 本發(fā)明的共聚物為不同單體單元的無(wú)規(guī)共聚物。在運(yùn)樣的情況下,通過(guò)式(A)或 (A1KB)或(C)定義的任何單體單元可與不同或相同的(A)、(B)或(C)的單體單元組合,條件 是至少一種單體單元(A)或(A1)鍵合到至少一種單體單元(B)或(C)。
      [0088] 優(yōu)選地,本發(fā)明的無(wú)規(guī)共聚物含有相同的基團(tuán)式(A)、(A1)、(B)或(C),即,在所述 共聚物中存在運(yùn)些共聚單體各自的僅一種物種。
      [0089] 可改變所述多環(huán)芳族控共聚物中的單體的比率(比例容許相對(duì)于均聚物調(diào)節(jié) 電容率和/或遷移率和/或溶解性。
      [0090] 而且,任選地,(A)、(B)或(C)的單體單元可與由(D)、(D')代表的順式/反式-巧并 巧單體單元或由化)代表的螺二巧單體單元混合。
      [0091]
      [0092] 其中各Ri'、R2'、R3'、R4'、R5'、R 6'和R7'各自可相同或不同,選自與W上已經(jīng)定義的Ri、 1?2、尺3心、1?5心和3哺同的基團(tuán),和〇'二1-3。
      [0093] 當(dāng)在本發(fā)明的共聚物中包含由(D)、(D')代表的單體單元或由化)代表的螺二巧單 體單元時(shí),單體(A)優(yōu)選W至少10重量%的量存在;單體(D)、(D')和或巧至少10重量%、 優(yōu)選20-60重量%的量存在,W及至少15重量%、優(yōu)選20-50重量%的具有式(C)的單體單 _7Π 〇
      [0094] 有機(jī)半導(dǎo)體組合物
      [0095] 本發(fā)明設(shè)及有機(jī)半導(dǎo)體組合物。在本發(fā)明的第一方面中,所述有機(jī)半導(dǎo)體組合物 包括包含至少一種具有式(Α)或(Α1)的ΒΧΒΧ單體單元、至少一種具有式(Β)的單體單元和至 少一種具有式(C)的單體單元的混合物的PAHC。
      [0096] 根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)半導(dǎo)體組合物包含共聚物組合物,所述組合物具有大于1.5、更 優(yōu)選大于3.4、和還更優(yōu)選1.5-6.5、甚至更優(yōu)選3-6.5、更優(yōu)選3.0-5.0和還更優(yōu)選3.4-4.5 的在1000化下的電容率。
      [0097] 根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)半導(dǎo)體組合物含有如本文中公開的多環(huán)芳族控共聚物(PAW)。 在優(yōu)選實(shí)施方式中,有機(jī)半導(dǎo)體組合物可包含如本文中定義的未聚合的PAHC,進(jìn)一步包含 多晶多并苯小分子半導(dǎo)體,例如,如在我們的申請(qǐng)W0 2012/164282中描述的,其中所述 PAHC具有3.4-8、優(yōu)選3.4-6.5、更優(yōu)選4-6.5、還更優(yōu)選3.4-4.5的在1 OOOHz下的電容率。在 優(yōu)選實(shí)施方式中,如本文中所定義的共聚物可與多并苯小分子或任選地取代的苯并硫?qū)僭?素吩并苯并硫?qū)僭胤?BXBX'小分子(例如,如在EP1847544A1和化ture(2011)Volume 475,pages 362-367中描述的)組合使用,其中'干燥狀態(tài)'組合物含有10-50%的多并苯小 分子和10-90%的PAHC。就未聚合來(lái)說(shuō),其意指小分子PAHC尚未通過(guò)聚合引入到共聚物主鏈 (骨架)中。
      [0098] 因此,可引入本組合物中的多晶多并苯小分子半導(dǎo)體優(yōu)選具有式(2):
      [0099]
      [0100] 其中Ri-Ri4、k和1的定義具有與wo 2012/164282中公開的相同的總的和優(yōu)選的含 義,將W0 2012/164282引入本文中作為參考??砂诒景l(fā)明的組合物中的尤其優(yōu)選的多 晶多并苯小分子包括式(3)和(4)的那些:
      當(dāng)前第2頁(yè)1 2 3 4 5 6 
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