一種薄膜晶體管陣列基板及其制備方法、顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,具體地,涉及一種薄膜晶體管陣列基板及其制備方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜晶體管液晶顯不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,簡稱TFT-1XD)具有體積小、功耗低、無輻射等特點。背溝道刻蝕(Back Channel Etching, BCE)工藝通常用于制備顯示裝置的薄膜晶體管液晶陣列基板。然而,制備過程需要對BCE刻蝕有精確控制,才能確保不會有源/漏材料殘余留在有源層上面,同時才能確保有源層的過刻不會使有源層的完整性受到破壞。
[0003]另外,在BCE結(jié)構(gòu)下,源/漏電極中的金屬離子容易擴散至有源層中,從而影響TFT性能。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]本發(fā)明提供一種薄膜晶體管陣列基板的制備方法,包括以下步驟:
[0005]使用鋅靶在含氧氣和氮氣濺射反應(yīng)室環(huán)境下形成有源層;以及在所述有源層上,使用所述鋅靶在所述濺射反應(yīng)室含有氧氣或者氮氣的環(huán)境下使用濺射工藝形成源/漏緩沖層。
[0006]可選地,還包括在所述源/漏緩沖層上形成源/漏電極層,以及在所述源/漏電極層上形成源/漏覆蓋層。
[0007]可選地,還包括使用所述鋅靶在含有氧氣或者氮氣的環(huán)境下形成所述源/漏緩沖層。
[0008]可選地,還包括使用銅錳合金、氧化銦鋅(IZO)、氧化鎵鋅(GZO)、氧化鋁鋅(AZO)材料中的至少一種來形成所述源/漏覆蓋層。
[0009]可選地,在所述濺射反應(yīng)室使用同一所述鋅靶形成所述有源層、所述源/漏緩沖層、所述源/漏覆蓋層。
[0010]可選地,還包括在所述源/漏覆蓋層和所述有源層中的溝道區(qū)形成第一絕緣層,在所述第一絕緣層和所述漏覆蓋層中形成過孔,以及在所述過孔中形成像素電極電性連接所述漏電極層。
[0011]可選地,還包括形成柵極結(jié)構(gòu),以及在所述柵極結(jié)構(gòu)和所述有源層之間形成第二絕緣層。
[0012]可選地,所述柵極結(jié)構(gòu)是用于底柵結(jié)構(gòu)、頂柵結(jié)構(gòu)、或雙柵結(jié)構(gòu)的陣列基板中。
[0013]本發(fā)明還提供一種薄膜晶體管陣列基板,包括:
[0014]有源層和源/漏緩沖層,其中,所述源/漏緩沖層位于所述有源層上并和所述有源層接觸,所述有源層由鋅氧氮化合物構(gòu)成,以及所述源/漏緩沖層由鋅氧化物或者鋅氮化物構(gòu)成。
[0015]可選地,還包括位于所述源/漏緩沖層上的源/漏電極層,以及位于所述源/漏電極層上的源/漏覆蓋層。
[0016]可選地,所述源/漏覆蓋層由鋅氧化物或者鋅氮化物構(gòu)成。
[0017]可選地,所述源/漏緩沖層和所述源/漏覆蓋層由同樣的材料構(gòu)成。
[0018]可選地,所述源/漏覆蓋層由銅錳合金、氧化銦鋅(IZO)、氧化鎵鋅(GZO)、氧化鋁鋅(AZO)材料中的至少一種來構(gòu)成。
[0019]可選地,還包括位于所述源/漏覆蓋層和所述有源層中的溝道區(qū)上的第一絕緣層,以及通過過孔電連接所述漏電極層的像素電極。
[0020]可選地,還包括第一柵極結(jié)構(gòu),以及位于所述第一柵極結(jié)構(gòu)和所述有源層之間的第二絕緣層。
[0021]可選地,所述第一柵極結(jié)構(gòu)位于基板和所述有源層的溝道區(qū)之間。
[0022]可選地,還包括第二柵極結(jié)構(gòu)位于所述有源層的所述溝道區(qū)的上方。
[0023]可選地,所述第一柵極結(jié)構(gòu)位于所述有源層的溝道區(qū)的上方。
[0024]可選地,所述第一柵極結(jié)構(gòu)的所述源/漏電極層位于基板和所述有源層之間。
[0025]可選地,所述源/漏電極層位于所述有源層上方。
[0026]本發(fā)明還提供一種顯示裝置,所述顯示裝置包括上述的薄膜晶體管陣列基板。
[0027]本發(fā)明具有以下有益效果:
[0028]本發(fā)明提供的薄膜晶體管陣列基板及其制備方法、顯示裝置,使用鋅靶在含氧氣和氮氣濺射反應(yīng)室環(huán)境下形成有源層;以及在所述有源層上,使用所述鋅靶在所述濺射反應(yīng)室含有氧氣或者氮氣的環(huán)境下使用濺射工藝形成源/漏緩沖層。這樣通過使用同一靶材不同制備環(huán)境來制備薄膜晶體管陣列基板,減少了制備的工藝步驟,縮短了制備時間,節(jié)約了制備成本。
【附圖說明】
[0029]圖1為本發(fā)明實施例一提供的薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0030]圖2為本發(fā)明實施例二提供的薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0031]圖3為本發(fā)明實施例三提供的薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0032]圖4為本發(fā)明實施例四提供的薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0033]為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案,下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明作進一步詳細描述。在可能的情況下,附圖中的各個部分提到的相同或相似的部分將采用相同的附圖標記。
[0034]圖1為本發(fā)明實施例一提供的薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。本實施例中的薄膜晶體管陣列基板可適用于底柵型薄膜晶體管。
[0035]如圖1所示,陣列基板100包括:基板110、柵極結(jié)構(gòu)120、第一絕緣層130、有源層140、源極結(jié)構(gòu)107、漏極結(jié)構(gòu)108、第二絕緣層160、第三絕緣層170、像素電極180。需要說明的是,圖示陣列基板100中的一個或多個層結(jié)構(gòu)或者其他部件可以根據(jù)不同的實施例而省略,而其他可能的層結(jié)構(gòu)或者其他部件可以根據(jù)不同的實施例而增加到陣列基板中。
[0036]基板110可使用光學(xué)透明的基片。例如,基板110包括玻璃、石英、和塑料?;?10也可以是柔性基板,比如由聚合物制成。
[0037]在基板110的部分表面上可形成柵極結(jié)構(gòu)120。柵極結(jié)構(gòu)120包括柵緩沖層122、柵電極層124、柵覆蓋層126。柵電極層124位于柵緩沖層122和柵覆蓋層126之間。柵覆蓋層126位于柵電極層124的上方。柵緩沖層122的厚度約為100納米或更小,例如,約20納米至約100納米。
[0038]柵緩沖層122、柵電極層124和柵覆蓋層126可以由同樣的或不同樣的導(dǎo)電材料構(gòu)成。這樣的導(dǎo)電性材料包括:金屬材料和透明導(dǎo)電材料。其中,金屬材料包括一種或多種金屬中的鋁(Al)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、鎢(W),金(Au)、鈀(Pd)、鈾(Pt)、鉻(Cr)、釹(Nd)、鋅(Zn)、鈷(Co)和錳(Mn)。透明導(dǎo)電材料包括一種或多種材料中的銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)和鋁摻雜的氧化鋅(AZO)。
[0039]柵緩沖層122、柵電極層124、柵覆蓋層126可各自提供不同的物理性質(zhì)。例如,柵電極層124可以為金屬銅,而柵緩沖層122可用以增強柵電極層124和基板110之間的粘合性。同時,柵覆蓋層126可用作金屬擴散阻擋層,以防止柵電極層124中的銅擴散至有源層 140。
[0040]本實施例中,可選地,柵緩沖層122和柵覆蓋層126中的一個或兩個可以省略而不包括在所披露的陣列基板中。
[0041]第一絕緣層130可形成于柵極結(jié)構(gòu)120和基板110的部分表面上。第一絕緣層130可以是柵絕緣層。第一絕緣層130可以由絕緣的材料構(gòu)成,如氮化硅(SiNx)、氧化硅(S1x)、硅氮氧化物(S1xNy)、氧化鋁(AlOx)、氧化釔(Y2O3)、氧化給(HfOx)、氧化鋯(ZrOx)、鋁氮化物(AlNx)、氧氮化鋁(ALNO)、氧化鈦(T1x)、鈦酸鋇(BaT13)和鈦酸鉛(PbT13)。
[0042]有源層140覆蓋柵極結(jié)構(gòu)120。有源層140中具有溝道區(qū)140c位于柵極結(jié)構(gòu)120的上方并且位于隨后形成的源和漏極結(jié)構(gòu)之間。本實施例中,有源層140可以由氮氧化物材料如ZnON構(gòu)成。
[0043]在有源層140的兩側(cè),可形成源極結(jié)構(gòu)107和漏極結(jié)構(gòu)108從而暴露有源層140中的溝道區(qū)140c。換言之,溝道區(qū)140c是位于源極結(jié)構(gòu)107和漏極結(jié)構(gòu)108之間的有源層部分。
[0044]源極結(jié)構(gòu)107可包括源緩沖層151、源電極層1