53、源覆蓋層155。漏極極結(jié)構(gòu)108可包括漏緩沖層152、漏電極層154、漏覆蓋層156。
[0045]源電極層153和漏電極層154可以用作主布線層由一導(dǎo)電層構(gòu)成。所述導(dǎo)電層包括銅、銅合金，或其它合適的電極材料。本實(shí)施例中，源緩沖層151和漏緩沖層152可以由ZnOxM料或ZnNxMW構(gòu)成。
[0046]在一些實(shí)施方案中，源覆蓋層155和漏覆蓋層156，有時(shí)也稱為源/漏覆蓋層155/156，可以由銅合金如銅錳合金、金屬氧化物如氧化銦鋅(IZO)、氧化鎵鋅(GZO)、氧化鋁鋅(AZO)材料中的至少一種來構(gòu)成。
[0047]在其它實(shí)施例中，源/漏覆蓋層155/156可包括ZnOxS ZnN x，而源/漏緩沖層151/152也可包括ZnOxSZnNx。在特定實(shí)施方案中，源緩沖層151、源覆蓋層155、漏緩沖層152、漏覆蓋層156均可采用同樣的材料構(gòu)成。
[0048]可選的，源/漏覆蓋層155/156有時(shí)也可以省略，使得源極結(jié)構(gòu)107和漏極結(jié)構(gòu)108各自包括一個(gè)雙層結(jié)構(gòu)。這個(gè)雙層結(jié)構(gòu)包括一個(gè)緩沖層，如緩沖層151和152，和位于該緩沖層上的主布線電極層，如源電極層153和漏電極層154。
[0049]這樣，一個(gè)柵極結(jié)構(gòu)120，一個(gè)源極結(jié)構(gòu)107和一個(gè)漏極結(jié)構(gòu)108可以形成一個(gè)薄膜晶體管。這樣的薄膜晶體管具有有源層140。有源層140中的溝道區(qū)140c位于源極結(jié)構(gòu)107和漏極結(jié)構(gòu)108之間。
[0050]本發(fā)明中，薄膜晶體管有源層140包括ZnON化合物，而位于有源層140和源/漏電極層153/154之間的源/漏緩沖層151/152包括ZnOxSZnNx。可以在同一濺射反應(yīng)室使用同一個(gè)金屬鋅靶來制備有源層140、源/漏緩沖層151/152、以及源/漏覆蓋層155/156。制造工藝和成本可因此而大大簡(jiǎn)化。
[0051]例如，在使用鋅作為金屬靶時(shí)，可在含有氧氣和氮?dú)獾沫h(huán)境中形成ZnON有源層140之后，使用同一鋅靶在同一的濺射反應(yīng)室中，繼續(xù)在ZnON有源層140上分開或同時(shí)形成ZnOJ^ ZnNx的源/漏緩沖層151/152，只需改變一下反應(yīng)氣氛即可。
[0052]ZnOJ^ ZnN3Ji成的源/漏緩沖層151/152可用作金屬擴(kuò)散阻擋層用以阻擋源/漏電極層153/154中的金屬，如銅，擴(kuò)散到有源層140。
[0053]源/漏緩沖層151/152的厚度可以控制在小于等于100納米，比如，介于20納米到100納米之間。過厚的源/漏緩沖層會(huì)影響所形成的薄膜晶體管的性能，過薄的源/漏緩沖層，會(huì)影響源/漏緩沖層自身的功能。例如，過薄的源/漏緩沖層不能在源/漏電極層153/154和有源層140之間提供很好的粘合性。
[0054]第二絕緣層160也可稱之為鈍化層。第二絕緣層160形成于有源層140的溝道區(qū)140c、源極結(jié)構(gòu)107、漏極結(jié)構(gòu)108、以及第一絕緣層130未被有源層140覆蓋的部分表面的上面。
[0055]在第二絕緣層160上形成第三絕緣層170。第三絕緣層170可形成于第二絕緣層160和像素電極180之間。
[0056]第二 /第三絕緣層160/170包括無機(jī)絕緣體如氮化娃或氧化娃、有機(jī)絕緣體、低介電率絕緣體。例如，形成第二 /第三絕緣層160/170的有機(jī)絕緣體包括聚酰亞胺、聚酰胺、丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂、環(huán)烯烴樹脂和苯并環(huán)丁烯(BCB)。
[0057]本實(shí)施方案中，第二絕緣層160是氧化硅，第三絕緣層170氮化硅。在某些情況下，第二絕緣層160可以是可選的或可省略的。
[0058]在第三絕緣層170表面可形成像素電極180。像素電極180采用穿過第二 /第三絕緣層160/170、漏覆蓋層156的過孔(在圖1中未示出)電連接到漏電極層154。例如，首先在絕緣層160/170以及漏覆蓋層156中形成過孔以暴露出漏電極層154。然后，在暴露的漏電極層154表面上，過孔的側(cè)壁，或者過孔中，填充導(dǎo)電材料以形成所述像素電極180。像素電極180可因此通過過孔而物理連接、電連接到漏電極層154。
[0059]像素電極180可以包括透明導(dǎo)電材料如銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鋁鋅氧化物(AZO)和氧化鎘錫(CTO)。像素電極180還可以包括反射性導(dǎo)電材料如鋁(Al)、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鐵(Fe)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、銣(Rb)、鎢(W)、以及他們的合金。此外，像素電極180可以包括半透反射式材料、透明材料、和反光材料的組合。
[0060]圖2示出了本發(fā)明實(shí)施例二提供的薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。和圖1中的底柵型薄膜晶體管不同，本實(shí)施例中的薄膜晶體管陣列基板可適應(yīng)于頂柵型薄膜晶體管。
[0061]圖2中的陣列基板200包括:基板210、具有柵緩沖層222、柵電極層224以及柵覆蓋層226的柵極結(jié)構(gòu)220、第一絕緣層230、有源層240、具有源緩沖層251、源電極層253以及源覆蓋層255的源極結(jié)構(gòu)207、具有漏緩沖層252、漏電極層254以及漏覆蓋層256的漏極結(jié)構(gòu)208、第二絕緣層270和像素電極280。
[0062]需要說明的是，圖示陣列基板200中的一個(gè)或多個(gè)層結(jié)構(gòu)或者其他部件可以根據(jù)不同的實(shí)施例而省略，而其他可能的層結(jié)構(gòu)或者其他部件可以根據(jù)不同的實(shí)施例而增加到陣列基板中。同時(shí)，圖2中的各個(gè)層結(jié)構(gòu)或者其他部件可包括圖1中的相應(yīng)的層結(jié)構(gòu)或者其他部件，在此不再贅述。
[0063]如圖2所示，有源層240可以在基板210上形成。第一絕緣層230可被圖案化并且形成于有源層240和基板210上。
[0064]具體的，第一絕緣層230可被圖案化而包括絕緣層230a/230b/230c。圖案化的絕緣層230a部分位于有源層240的一端，同時(shí)部分位于基板210上。圖案化的絕緣層230b部分位于有源層240的另一端，同時(shí)部分位于基板210上。圖案化的絕緣層230c位于有源層240上并且在圖案化絕緣層230a-b之間。
[0065]源極結(jié)構(gòu)207至少部分位于圖案化的絕緣層230a和230c以及圖案化絕緣層230a和230c之間的部分有源層240。柵極結(jié)構(gòu)220位于圖案化絕緣層230c上。
[0066]漏極結(jié)構(gòu)208至少部分位于圖案化的絕緣層230b和230c以及圖案化絕緣層230b和230c之間的部分有源層240。
[0067]在源極結(jié)構(gòu)207、柵極結(jié)構(gòu)220、漏極結(jié)構(gòu)208、以及部分第一絕緣層230上可形成第二絕緣層270，如圖2所示。
[0068]像素電極280形成在第二絕緣層270表面。像素電極280采用穿過第二絕緣層270以及漏覆蓋層256的過孔(在圖2中未示出)電連接到漏電極層254。例如，首先，在第二絕緣層270以及漏覆蓋層256中形成過孔以暴露出漏電極層254。然后，在暴露的漏電極層254的表面，以及過孔的側(cè)壁，或者過孔中，填充導(dǎo)電材料以形成所述像素電極280。像素電極280可因此通過過孔而物理連接、電連接到漏電極層254。
[0069]圖3示出了本發(fā)明實(shí)施例三提供的薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。相比于圖1中的底柵型薄膜晶體管及圖2中的頂柵型薄膜晶體管，本實(shí)施例中的陣列基板可適用于另一種頂柵型薄膜晶體管。
[0070]圖3中陣列基板300包括:基板310、具有的柵緩沖層322、柵極層324、柵覆蓋層326的柵極結(jié)構(gòu)320、第一絕緣層330、有源層340、具有源緩沖層351、源電極層353、源覆蓋層355的源極結(jié)構(gòu)307，具有漏緩沖層352、漏電極層354、漏覆蓋層356的漏極結(jié)構(gòu)308、第二絕緣層370和像素電極380。
[0071]需要說明的是，圖示陣列基板300中的一個(gè)或多個(gè)層結(jié)構(gòu)或者其他部件可以根據(jù)不同的實(shí)施例而省略，而其他可能的層結(jié)構(gòu)或者其他部件可以根據(jù)不同的實(shí)施例而增加到陣列基板中。同時(shí)，圖3中的各個(gè)層結(jié)構(gòu)或者其他部件可包括圖1和2中的相應(yīng)的層結(jié)構(gòu)或者其他部件，在此不再贅述。
[0072]在基板310的第一部分表面上可形成源極結(jié)構(gòu)307。在基板310第二部分表面上可形成漏極結(jié)構(gòu)308。
[0073]有源層340形成于:源極結(jié)構(gòu)