流分散層14Α、電流分散層14Β、上方層12Α、上方層12Β、下方層IlA及/或下方層IlB的任一面上。
[0046]圖2顯示依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光結(jié)構(gòu)單元的上視圖。附圖中，四個(gè)矩形發(fā)光結(jié)構(gòu)單元1、2、3、4以2x2陣列方式排列。然而，發(fā)光結(jié)構(gòu)單元的形狀、數(shù)量、及配置僅為例示，并不限制本發(fā)明的實(shí)施及變化。
[0047]發(fā)光結(jié)構(gòu)單元1、2、3、4被溝槽15在側(cè)向分開。電性連接18可以由一發(fā)光結(jié)構(gòu)單元(如:發(fā)光結(jié)構(gòu)單元3)跨越溝槽15連接至另一發(fā)光結(jié)構(gòu)單元(如:發(fā)光結(jié)構(gòu)單元4)，并將此兩個(gè)單元間形成串聯(lián)或并聯(lián)。如斷面ΑΑ’所示，其上未形成電性連接18的溝槽15(例如，介于發(fā)光結(jié)構(gòu)單元I及4之間)具有較陡峭的側(cè)壁，因此，在溝槽15旁的發(fā)光結(jié)構(gòu)單元存在較多的體積。相反地，如斷面ΒΒ’所示，其上形成有電性連接18的溝槽15(例如，介于發(fā)光結(jié)構(gòu)單元3及4之間)與斷面ΑΑ’的側(cè)壁相較具有較不陡峭的側(cè)壁。于一實(shí)施例中，部分發(fā)光結(jié)構(gòu)單元被移除以形成具有階梯狀及/或傾斜側(cè)壁的溝槽。換言之，此溝槽具有倒梯形或擬似倒梯形的斷面。例如，形成溝槽的方法可以選用濕蝕刻、干蝕刻、激光加工、鉆石切割、及前述方式的任意組合。一般而言，側(cè)壁越陡峭，加工時(shí)間越短。
[0048]此外，較不陡峭的側(cè)壁可以形成在全部長度的溝槽Lfull或部分長度的溝槽Lpartlal上(如圖2所示)。全部長度的溝槽Lfull在此處的定義是溝槽的長度接近發(fā)光結(jié)構(gòu)單元的寬度;部分長度的溝槽LpartiaI的定義是溝槽長度小于發(fā)光結(jié)構(gòu)單元的寬度。例如，LpartiaI是介于ΙΟμπι?ΙΟΟμπι、發(fā)光結(jié)構(gòu)單元的寬度是介于ΙΟΟμπι?1000ym、Lpartiai與發(fā)光結(jié)構(gòu)單元寬度的比例是介于1:2?1:10。
[0049]再者，電性連接18更可以與一電流網(wǎng)絡(luò)20相連接。通過電流網(wǎng)絡(luò)20電流可以由遠(yuǎn)離電性連接18之處流入或流向遠(yuǎn)離電性連接18之處，如圖2所示。
[0050]圖3顯示依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的溝槽填充示意圖。于步驟(I)中，絕緣層21及下方電性連接22a依序提供予形成于兩個(gè)發(fā)光結(jié)構(gòu)單元24、25間的溝槽23之上。絕緣層21可以隔離下方電性連接22a使其不與發(fā)光結(jié)構(gòu)單元24、25接觸。下方電性連接22a可以電性連接兩個(gè)發(fā)光結(jié)構(gòu)單元24、25 ο下方電性連接22a可以通過沉積及蝕刻工法形成。由于溝槽23在一個(gè)斷面上呈現(xiàn)漸縮(tapered)的狀態(tài)，使得下方電性連接22a的傾斜部分通常比平坦部分薄，也因此容易在后續(xù)制作工藝中遭到損壞。為了強(qiáng)化下方電性連接22a的傾斜部分，于下方電性連接22a之上再提供一上方電性連接22b。上方電性連接22b尤以提供在傾斜部分上方或溝槽23內(nèi)部為佳，如步驟(2)所示。
[0051]圖4顯示依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的一位于溝槽上的電性連接的上視圖。電性連接25具有位于溝槽23上方的橋接部25a與兩個(gè)連接部25b。各連接部25b與發(fā)光結(jié)構(gòu)單元26的陽極或負(fù)極電性相連。橋接部25a具有BB斷面;連接部25b具有AA斷面。BB斷面的寬度大于AA斷面，但是為了使流經(jīng)斷面的電流維持恒定或平穩(wěn)，兩個(gè)斷面具有相同或接近的面積。例如，橋接部25a的寬度介于5μπι?50μπι;連接部25b的寬度介于3μπι?15μπι;其二者的厚度接近8μm。然而，依據(jù)使用者的需求或?qū)嶋H的制作工藝，此兩個(gè)斷面也可以有不同的面積。橋接部25a可以在基本的電性連接制作工藝之后再形成。例如，可以先在溝槽23及發(fā)光結(jié)構(gòu)單元26的特定區(qū)域上沉積金屬，將電性連接25形成在具有傾斜側(cè)壁的溝槽23之上。但是，沉積在溝槽23的傾斜側(cè)壁上的金屬通常比沉積在發(fā)光結(jié)構(gòu)單元26上的金屬薄，而使得橫跨兩個(gè)發(fā)光結(jié)構(gòu)單元的沉積金屬具有數(shù)個(gè)斷面面積。為了增加溝槽23上金屬的體積或斷面面積，利用額外的沉積步驟在較薄的金屬沉積區(qū)域上形成前述的橋接部25a。然而，溝槽23上的電性連接25的體積或斷面面積也可以利用其他方式增加，例如，將一或多個(gè)補(bǔ)助物件接合在較薄的電性連接部分，以及沉積其他材料。補(bǔ)助物件是如金屬、陶瓷等。此外，較厚的電性連接部分更可以減薄至與溝槽23上方部分的厚度相近的水準(zhǔn)。
[0052]圖5顯示依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的電性連接25的上視圖，此電性連接25位于一介于兩個(gè)發(fā)光結(jié)構(gòu)單元間的溝槽23上方。各個(gè)發(fā)光結(jié)構(gòu)單元26包括下方層27及上方層28。上方層28的面積小于下方層27。下方層27具有一環(huán)繞上方層28的平臺區(qū)域29。發(fā)光結(jié)構(gòu)單元26可以自位于上方層28中或介于上方層28與下方層27間的發(fā)光層中發(fā)射光線。若發(fā)光層位于上方層28之中，上方層28可以包括P型半導(dǎo)體層與η型半導(dǎo)體層，而發(fā)光層位于此P型及η型半導(dǎo)體層之間。下方層27可以包括用以承載上方層28的載體。上方層28可通過外延方式形成于下方層27之上，或者通過膠體接合、金屬接合、擴(kuò)散接合、或共恪接合(eutecticbonding)的方式與下方層27相結(jié)合。若發(fā)光層位于上方層28與下方層27之間，上方層28與下方層27中之一者可以包括P型半導(dǎo)體層，而另一者則可以包括η型半導(dǎo)體層。
[0053]為了于發(fā)光結(jié)構(gòu)單元間建立電流通道，一電性連接25提供在兩個(gè)發(fā)光結(jié)構(gòu)單元26上。如圖所示，電性連接25的一端設(shè)置于上方層28上，另一端設(shè)置于下方層27上。然而，電性連接25的兩端也可以設(shè)置于兩個(gè)上方層28或兩個(gè)下方層27之上。電性連接25可以利用金屬、半導(dǎo)體、金屬氧化物、或前述材料的任意組合進(jìn)行建構(gòu)。若電性連接25使用較金屬有更高透明度的金屬氧化物，被電性連接25遮擋的出光區(qū)域會(huì)更少。金屬氧化物如ITO、IZO、及CTO0
[0054]圖6顯示依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的剖視圖，繪示發(fā)光結(jié)構(gòu)單元間的連接。各個(gè)發(fā)光結(jié)構(gòu)單元26包括上方層28及下方層27。上方層28及下方層27是利用外延成長方式及/或結(jié)合技術(shù)形成于共同基板30之上。結(jié)合技術(shù)包括但不限于金屬接合、共熔接合、膠體結(jié)合、及擴(kuò)散接合。一發(fā)光區(qū)31位于上方層28及下方層27之間。當(dāng)施加一偏壓于上方層28與下方層27時(shí)，發(fā)光區(qū)31可以產(chǎn)生光。發(fā)光區(qū)31的光是等向性地發(fā)射。
[0055]兩個(gè)發(fā)光結(jié)構(gòu)單元26被溝槽23分開。若兩個(gè)發(fā)光結(jié)構(gòu)單元26彼此串聯(lián)，絕緣層21形成在溝槽23上以使得電性連接25接觸一發(fā)光結(jié)構(gòu)單元26的上方層28及另一發(fā)光結(jié)構(gòu)單元26的下方層27。于一實(shí)施例中，絕緣層21不僅暴露出下方層27的上表面更暴露出下方層27的部分側(cè)壁。下方層27暴露的側(cè)壁可以增加電性連接25與下方層27間的接觸面積，也因此可以降低電流密度。
[0056]圖7顯示依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的數(shù)個(gè)發(fā)光結(jié)構(gòu)單元的剖視圖。數(shù)個(gè)發(fā)光結(jié)構(gòu)單元26被基板30支撐。兩個(gè)相鄰的發(fā)光結(jié)構(gòu)單元26被溝槽23分隔。在本實(shí)施例中，溝槽23呈現(xiàn)梯形，具有較窄的上方開口與較寬的底面?？拷鼫喜?3的發(fā)光結(jié)構(gòu)單元26因此具有大于90度的底切(undercut)側(cè)壁，如圖所示。換言之，發(fā)光結(jié)構(gòu)單元26具有倒梯形的外觀。若發(fā)光結(jié)構(gòu)單元26可以由倒梯形的中間部、中心部、或上部發(fā)光，通過底切側(cè)壁可以使得往下移動(dòng)的光線離開發(fā)光結(jié)構(gòu)單元26。梯形溝槽可以通過蝕刻方式形成。
[0057]依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，發(fā)光結(jié)構(gòu)單元可以至少包括一第一電性層(例如，上方層)、一轉(zhuǎn)換單元(例如，發(fā)光區(qū))、及一第二電性層(例如，下方層)。各個(gè)第一電性層及第二電性層具有一單層或多層的群組(多層指二或更多層)。兩個(gè)分別位于第一電性層及第二電性層上的單層或多層的群組具有不同的極性或不同的摻雜物。例如，第一電性層是P型半導(dǎo)體層，第二電性層是η型半導(dǎo)體層。設(shè)置于第一電性層與第二電性層間的轉(zhuǎn)換單元是光能與電能可以被轉(zhuǎn)換或被誘發(fā)轉(zhuǎn)換的區(qū)域。電能可轉(zhuǎn)換為光能者是如發(fā)光二極管、液晶顯示器、與有機(jī)二極管。光能可被轉(zhuǎn)換為電能者是如太陽能電池、及光電二極管。
[0058]就發(fā)光二極管而言，