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      發(fā)光結(jié)構(gòu)的制作方法_3

      文檔序號:9789187閱讀:來源:國知局
      轉(zhuǎn)換后光的發(fā)光頻譜可以通過改變發(fā)光二極管中一層或多層的物理或化學(xué)配置進行調(diào)整。發(fā)光二極管的組成材料是如磷化鋁鎵銦(AlGaInP)系列、氮化招鎵銦(AlGaInN)系列、氧化鋅(ZnO)系列等。轉(zhuǎn)換單元的結(jié)構(gòu)是如:單異質(zhì)結(jié)構(gòu)(singleheterostructure ; SH)、雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)(double heterostructure ; DH)、雙側(cè)雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)(double-side double heterostructure ; DDH)、或多層量子講(mult1-quantum well;MQW)。再者,調(diào)整量子阱的對數(shù)也可以改變發(fā)光波長。
      [0059]基板是用以成長或承載發(fā)光結(jié)構(gòu)單元,適用的材料包含但不限于鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)、銦化磷(InP)、藍寶石(Sapphire)、碳化娃(SiC)、娃(3;0、招酸鋰(1^4102)、氧化鋅(ZnO)、氮化鎵(GaN)、氮化招(AlN)、玻璃、鉆石、CVD鉆石、與類鉆碳(Diamond-Like Carbon;DLC)等。此外,基板也可為復(fù)合材料、或上述各種材料的組合。
      [0060]圖8A?圖8F顯示依據(jù)本發(fā)明一實施例的發(fā)光結(jié)構(gòu)單元的制造示意圖。首先,參考圖8A,提供基板41?;?1的材料可以為硅、碳化硅、藍寶石、砷化物、磷化物、氧化鋅、及氧化鎂。然后,在基板41上形成第一半導(dǎo)體層42、活性層43、及第二半導(dǎo)體層44。第一半導(dǎo)體層42是第一電性的外延層。第二半導(dǎo)體層44是第二電性的外延層。第一半導(dǎo)體層42與第二半導(dǎo)體層44的材料包括但不限于含銦的氮化物半導(dǎo)體、含鋁的氮化物半導(dǎo)體、及含鎵的氮化物半導(dǎo)體?;钚詫?3的材料包括但不限于氮化銦鎵、磷化鋁鎵銦、氮化鋁鎵、砷化鋁鎵、及砷化銦鎵。
      [0061]參考圖8B?圖8D,實施一多階式圖案化制作工藝。首先,定義第二半導(dǎo)體層44的第一區(qū)域,再通過光刻及蝕刻技術(shù)在第二半導(dǎo)體層44上形成凹部45。然后,如圖SC所示,實施第二蝕刻制作工藝以去除第二半導(dǎo)體層44的部分與活性層43的部分直至第一半導(dǎo)體層42暴露出一表面。最后,如圖8D所示,實施第三圖案化制作工藝,利用光刻及蝕刻技術(shù)形成溝槽46以劃分第一半導(dǎo)體層42。通過此多階式圖案化制作工藝,發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)是被階梯狀側(cè)壁分開,如圖8D所示。
      [0062]參考圖SE,再形成一絕緣層47于兩個分開的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)40之間以覆蓋相鄰發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的階梯狀側(cè)壁。其中,絕緣層47是由介電材料所構(gòu)成,介電材料是如氮化硅、氧化硅、氧化鋁、及前述材料的組合。然后,如圖8F所示,形成一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)48于絕緣結(jié)構(gòu)47之上以使左側(cè)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的第一半導(dǎo)體層42及右側(cè)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的第二半導(dǎo)體層43電性串聯(lián)。此外,第一電極49a及第二電極49b可以形成在與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)48相同或不同的制作工藝中。
      [0063]除了上述的圖案化制作工藝,階梯狀側(cè)壁也可以利用灰階光掩模(graytonemask)或半色階光掩模(half tone mask)形成。利用存在于單一光掩模上的不同開孔率,階梯狀側(cè)壁也可以在一次曝光中形成。
      [0064]參考圖9,通過此階梯狀側(cè)壁結(jié)構(gòu),不同入射角的光線(如箭頭所指)因為可以經(jīng)由不同角度離開發(fā)光二極管的側(cè)壁而更容易被摘出。所以發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的光摘出效率可以得到提升。此外,由于階梯狀側(cè)壁的平緩坡度,覆蓋于發(fā)光二極管上的絕緣層與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的輪廓可以更加均勻。
      [0065]以上各附圖與說明雖僅分別對應(yīng)特定實施例,然而,各個實施例中所說明或揭露的元件、實施方式、設(shè)計準(zhǔn)則、及技術(shù)原理除在彼此顯相沖突、矛盾、或難以共同實施之外,吾人當(dāng)可依其所需任意參照、交換、搭配、協(xié)調(diào)、或合并。
      [0066]雖然本發(fā)明已說明如上,然而其并非用以限制本發(fā)明的范圍、實施順序、或使用的材料與制作工藝方法。對于本發(fā)明所作的各種修飾與變更,皆不脫本發(fā)明的精神與范圍。
      【主權(quán)項】
      1.一種發(fā)光結(jié)構(gòu),包含: 第一單元; 第二單元,與該第一單元電性分離; 溝槽,介于該第一單元及該第二單元之間;以及 電性連接,覆蓋于該第一單元、該第二單元以及該溝槽之上,其中該電性連接具有連接部及橋接部,由上視觀之該橋接部的寬度大于該連接部。2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光結(jié)構(gòu),其中該連接部及該橋接部具有相同或接近的斷面面積。3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光結(jié)構(gòu),其中該連接部及該橋接部具有接近的厚度。4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光結(jié)構(gòu),其中該連接部電性連接于正極或負(fù)極。5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光結(jié)構(gòu),其中該橋接部的厚度小于該連接部的厚度。6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光結(jié)構(gòu),其中該橋接部位于該溝槽上,該連接部位于該第一單元上與該第二單元上。7.—種發(fā)光結(jié)構(gòu),包含: 第一單元,包含第一上方層及第一下方層,該第一下方層具有第一上表面及第一側(cè)壁;第二單元,包含第二上方層及第二下方層,該第二上方層具有第二上表面,該第二下方層具有第二側(cè)壁; 溝槽,介于該第一單元及該第二單元之間; 絕緣層設(shè)置于該構(gòu)槽,暴露出一部分的該第一側(cè)壁,且覆蓋該第二上表面,以及 電性連接,覆蓋于該部分的該第一側(cè)壁及該第二上表面。8.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光結(jié)構(gòu),其中該絕緣層暴露出該第一上表面,該電性連接接觸該第一上表面。9.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光結(jié)構(gòu),其中該電性連接與該第二側(cè)壁為絕緣。10.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光結(jié)構(gòu),其中該電性連接與該第一單元的接觸面積大于該電性連接與該第二單元的接觸面積。11.一種發(fā)光結(jié)構(gòu),包含: 基板; 第一單元及第二單元,分開設(shè)置于該基板上,分別包含下方層及上方層,其中該上方層具有上表面,以及該下方層具有側(cè)壁及下表面面對該基板; 溝槽介于該第一單元及該第二單元之間,具有底部暴露該基板; 第一絕緣層,位于該溝槽上并延伸覆蓋該上表面; 電流分散層,覆蓋該上表面的該第一絕緣層;以及 電性連接,電性連接該第一單元及該第二單元,覆蓋該第一單元、該第二單元以及該第一絕緣層,并接觸該電流分散層; 其中,該側(cè)壁與該下表面具有小于80度的夾角,且該電流分散層位于該電性連接與該上表面上的該第一絕緣層之間。12.如權(quán)利要求11所述的發(fā)光結(jié)構(gòu),其中該電性連接具有連接部及寬度大于該連接部的橋接部和/或該電性連接的一端接觸該第一單元上的該電流分散層,以及另一端接觸該第二單元的該下方層。13.如權(quán)利要求11所述的發(fā)光結(jié)構(gòu),其中該第一絕緣層具有銳角邊緣。14.如權(quán)利要求11所述的發(fā)光結(jié)構(gòu),還包含第二絕緣層填充該構(gòu)槽,并位于該第一絕緣層及該電性連接之間。15.如權(quán)利要求11所述的發(fā)光結(jié)構(gòu),其中該第一絕緣層、該電流分散層以及該電性連接具有重迭區(qū)域。16.如權(quán)利要求11所述的發(fā)光結(jié)構(gòu),其中該溝槽的高度介于Iym?ΙΟμπι、該溝槽的開口寬度介于3μηι?ΙΟΟμπι、該溝槽的該底面寬度介于Ιμπι?40μηι。
      【專利摘要】本發(fā)明的實施例公開一種發(fā)光結(jié)構(gòu),包含:第一單元;第二單元,與第一單元電性分離;溝槽,介于第一單元及第二單元之間;以及電性連接,覆蓋于第一單元、第二單元以及溝槽之上,其中該電性連接具有連接部及橋接部,由上視觀之橋接部的寬度大于連接部。
      【IPC分類】H01L33/20, H01L27/15, H01L25/075, H01L33/62, H01L33/38
      【公開號】CN105552069
      【申請?zhí)枴緾N201610143081
      【發(fā)明人】沈建賦, 陳昭興, 柯淙凱, 洪詳竣, 許生杰, 郭得山, 王心盈, 姚久琳, 黃建富, 劉欣茂, 鐘健凱
      【申請人】晶元光電股份有限公司
      【公開日】2016年5月4日
      【申請日】2011年9月13日
      【公告號】CN102403330A, CN102403330B, US9196605, US20120061694, US20160049442
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