一種頂發(fā)射型顯示面板及制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種頂發(fā)射型顯示面板及制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在信息社會(huì)的當(dāng)代，作為可視信息傳輸媒介的顯示器的重要性在進(jìn)一步加強(qiáng)，為了在未來占據(jù)主導(dǎo)地位，顯示器正朝著更輕、更薄、更低能耗、更低成本以及更好圖像質(zhì)量的趨勢(shì)發(fā)展。
[0003]有機(jī)電致發(fā)光二極管(OLED)由于具有自發(fā)光、反應(yīng)快、視角廣、亮度高、輕薄等優(yōu)點(diǎn)，其潛在的市場(chǎng)前景被業(yè)界看好。量子點(diǎn)發(fā)光二極管(QLED)由于其光色純度高、發(fā)光量子效率高、發(fā)光顏色易調(diào)等優(yōu)點(diǎn)，近年來成了OLED的有力競(jìng)爭(zhēng)者。因此，這兩種顯示技術(shù)是目前顯示領(lǐng)域發(fā)展的兩個(gè)主要方向。
[0004]由于OLED以及QLED均為主動(dòng)發(fā)光器件，因此其需要設(shè)計(jì)較為復(fù)雜的驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。然而，復(fù)雜的驅(qū)動(dòng)電路導(dǎo)致制作的底發(fā)射發(fā)光器件開口率較小，不利于發(fā)光器件的功耗以及使用壽命。頂發(fā)射結(jié)構(gòu)則可大幅提高發(fā)光器件的開口率，從而降低發(fā)光器件的功耗，提高使用壽命。但頂發(fā)射發(fā)光器件對(duì)頂部電極要求較高，既需要其具備良好的導(dǎo)電性，又需要滿足良好的透明性。目前較為常用的頂部透明電極為較薄的金屬薄膜(10-20nm)或?qū)щ娊饘傺趸?如ΙΤ0)。金屬薄膜越薄，透光性越好，但導(dǎo)電性會(huì)相對(duì)降低，因此需要對(duì)其導(dǎo)電性和透明性進(jìn)行平衡，目前仍無法達(dá)到理想效果。而ITO導(dǎo)電性相對(duì)有限，尤其是制作大面積器件時(shí)，其Rc(IT0自身電阻)形成的電壓降會(huì)導(dǎo)致mura(顯示器亮度不均勻，造成各種痕跡的現(xiàn)象)的形成，從而影響顯示效果。另外，ITO通常采用濺射工藝制備，濺射工藝會(huì)對(duì)下層薄膜造成一定的損傷。此外，由于發(fā)光器件特別是OLED對(duì)水、氧比較敏感，使得頂電極需具有一定耐水氧性，且發(fā)光器件需嚴(yán)格的封裝。因此，現(xiàn)有技術(shù)有待改進(jìn)和進(jìn)一步發(fā)展。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種頂發(fā)射型顯示面板，旨在解決由于現(xiàn)有頂發(fā)射發(fā)光器件的頂部透明電極難以兼顧良好的導(dǎo)電性和透明性、導(dǎo)致發(fā)光器件的性能和使用壽命不佳的問題。
[0006]本發(fā)明的另一目的在于提供一種頂發(fā)射型顯示面板的制備方法。
[0007]本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的，一種頂發(fā)射型顯示面板，包括TFT陣列基板、設(shè)置在TFT陣列基板上的發(fā)光器件和用于封裝所述發(fā)光器件的封裝層，其中，所述發(fā)光器件為頂發(fā)射發(fā)光器件，包括依次設(shè)置在所述TFT陣列基板上的底電極、發(fā)光層和頂電極;所述頂電極上設(shè)置有透明導(dǎo)電超疏水薄膜。
[0008]以及，一種頂發(fā)射型顯示面板的制備方法，包括以下步驟:
[0009]提供一TFT陣列基板；
[0010]在所述TFT陣列基板上制作發(fā)光器件，且所述發(fā)光器件為頂發(fā)射發(fā)光器件，包括依次設(shè)置在所述TFT陣列基板上的底電極、發(fā)光層和頂電極；
[0011]在所述頂電極上制作透明導(dǎo)電超疏水薄膜；
[0012]進(jìn)行封裝處理。
[0013]本發(fā)明提供的頂發(fā)射型顯示面板，在所述頂發(fā)射發(fā)光器件的頂部透明電極上端設(shè)置了透明導(dǎo)電超疏水薄膜。所述透明導(dǎo)電超疏水薄膜的引入，可以在保證所述頂電極導(dǎo)電性能的前提下，適當(dāng)減小所述頂電極的厚度，進(jìn)而提高整個(gè)所述頂電極的透光性。此外，由于在所述頂發(fā)射發(fā)光器件的外表面覆蓋了透明導(dǎo)電超疏水薄膜，所述透明導(dǎo)電超疏水薄膜具有超疏水性，因此，可以有效地防止外部水分滲入發(fā)光器件，從而提高發(fā)光器件的使用壽命O
[0014]本發(fā)明提供的頂發(fā)射型顯示面板的制備方法，操作簡(jiǎn)單易控，易于實(shí)現(xiàn)顯示面板的產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。
【附圖說明】
[0015]圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的頂發(fā)射型顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016]圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的TFT陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的在TFT陣列基板上制作發(fā)光器件后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的在發(fā)光器件的頂電極上制作透明導(dǎo)電超疏水薄膜后的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019]為了使本發(fā)明要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0020]結(jié)合圖1，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種頂發(fā)射型顯示面板，包括TFT陣列基板1、設(shè)置在TFT陣列基板I上的發(fā)光器件2和用于封裝所述發(fā)光器件2的封裝層4，其中，所述發(fā)光器件2為頂發(fā)射發(fā)光器件，包括依次設(shè)置在所述TFT陣列基板I上的底電極21、發(fā)光層22和頂電極23;所述頂電極23上設(shè)置有透明導(dǎo)電超疏水薄膜3。
[0021]具體的，所述TFT陣列基板I具有用于驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光器件2的TFT陣列，本發(fā)明實(shí)施例可采用本領(lǐng)域常規(guī)的TFT陣列基板。
[0022]本發(fā)明實(shí)施例所述發(fā)光器件2可為OLED或QLED，具體的，所述發(fā)光器件2包括依次設(shè)置在所述TFT陣列基板I上的底電極21、發(fā)光層22和頂電極23。由于所述發(fā)光器件2為頂發(fā)射發(fā)光器件，因此，所述底電極21為反射電極，用于反射從所述發(fā)光層22發(fā)射的光;所述頂電極23為透明電極，所述發(fā)光器件2的光由所述頂電極23射出。本發(fā)明實(shí)施例中，所述頂電極23為透明金屬薄膜，具體包括Mg、Al、Ag或它們的合金，但不限于此。所述發(fā)光層22至少包括光發(fā)射層，優(yōu)選的，為了提高所述發(fā)光器件2的發(fā)光效率，所述發(fā)光層22還包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層中的至少一層。作為最佳實(shí)施例，所述發(fā)光層22為包含空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、光發(fā)射層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層的多層疊層。所述發(fā)光層22中，各功能層的材料可采用本領(lǐng)域常規(guī)功能材料。
[0023]本發(fā)明實(shí)施例在所述發(fā)光器件2的所述頂電極23上設(shè)置有透明導(dǎo)電超疏水薄膜3。所述透明導(dǎo)電超疏水薄膜3具有良好的導(dǎo)電性和超疏水性，從而可以在保證所述頂電極23導(dǎo)電性能的前提下，適當(dāng)減小所述頂電極23的厚度，進(jìn)而提高整個(gè)所述頂電極23的透光性。作為優(yōu)選實(shí)施例，所述透明導(dǎo)電超疏水薄膜3由導(dǎo)電碳納米管和疏水樹脂復(fù)合組成。其中，所述導(dǎo)電碳納米管可以提供良好的導(dǎo)電性，所述疏水樹脂提供超疏水性。進(jìn)一步的，由于所述導(dǎo)電碳納米管和所述疏水樹脂的含量對(duì)所述透明導(dǎo)電