超疏水薄膜3的性能有一定影響，具體的，若所述導(dǎo)電碳納米管的含量太低(所述導(dǎo)電碳納米管的含量相對過高)，則導(dǎo)電性不夠；當(dāng)所述導(dǎo)電碳納米管的含量到一定程度后(所述導(dǎo)電碳納米管的含量相對降低)，對所述透明導(dǎo)電超疏水薄膜3的導(dǎo)電性影響不大卻反而影響其超疏水性。因此，優(yōu)選的，以所述透明導(dǎo)電超疏水薄膜3的總量為100%計，所述導(dǎo)電碳納米管的質(zhì)量百分含量為5-20%。作為另一個優(yōu)選實施例，所述透明導(dǎo)電超疏水薄膜3的厚度為100-1000nm。厚度太低，所述透明導(dǎo)電超疏水薄膜3的導(dǎo)電性和超疏水性的提高有限。
[0024]由于所述透明導(dǎo)電超疏水薄膜3具有良好的疏水性，因此，其可以有效抑制水分深入所述發(fā)光器件2中，從而提高其使用壽命。為了進一步提高所述透明導(dǎo)電超疏水薄膜3的疏水性，可以進一步對所述透明導(dǎo)電超疏水薄膜3進行優(yōu)化處理。作為一個具體優(yōu)選實施例，所述透明導(dǎo)電超疏水薄膜3為經(jīng)過氟化疏水處理的透明導(dǎo)電超疏水薄膜，氟化疏水處理的所述透明導(dǎo)電超疏水薄膜3具有更好的超疏水性。更進一步的，所述氟化疏水處理可采用CF4等離子體處理實現(xiàn)。作為另一個具體優(yōu)選實施例，所述透明導(dǎo)電超疏水薄膜3為表面具有微納結(jié)構(gòu)的透明導(dǎo)電超疏水薄膜(即對所述透明導(dǎo)電超疏水薄膜3進行表面處理，在其表面形成微納結(jié)構(gòu))，從而增強超疏水性。
[0025]本發(fā)明實施例所述封裝層4可采用本領(lǐng)域常規(guī)的封裝層結(jié)構(gòu)，具體的，可由封裝蓋板42和密封框41組成。
[0026]本發(fā)明實施例提供的頂發(fā)射型顯示面板，在所述頂發(fā)射發(fā)光器件的頂部透明電極上端設(shè)置了透明導(dǎo)電超疏水薄膜。所述透明導(dǎo)電超疏水薄膜的引入，可以在保證所述頂電極導(dǎo)電性能的前提下，適當(dāng)減小所述頂電極的厚度，進而提高整個所述頂電極的透光性。此夕卜，由于在所述頂發(fā)射發(fā)光器件的外表面覆蓋了透明導(dǎo)電超疏水薄膜，所述透明導(dǎo)電超疏水薄膜具有超疏水性，因此，可以有效地防止外部水分滲入發(fā)光器件，從而提高發(fā)光器件的使用壽命。
[0027]本發(fā)明實施例所述頂發(fā)射型顯示面板可以通過下述方法制備獲得。
[0028]以及，結(jié)合圖1-4，本發(fā)明實施例還提供了一種頂發(fā)射型顯示面板的制備方法，包括以下步驟:
[0029]SOl.提供一TFT陣列基板I;
[0030]S02.在所述TFT陣列基板I上制作發(fā)光器件2，且所述發(fā)光器件2為頂發(fā)射發(fā)光器件，包括依次設(shè)置在所述TFT陣列基板I上的底電極21、發(fā)光層22和頂電極23;
[0031]S03.在所述發(fā)光器件2的所述頂電極23上制作透明導(dǎo)電超疏水薄膜3;
[0032]S04.進行封裝處理。
[0033]具體的，如圖2所示，上述步驟SOI中，所述TFT陣列基板I可采用本領(lǐng)域常規(guī)的TFT陣列基板，其具有用于驅(qū)動所述發(fā)光器件2的TFT陣列。
[0034]如圖3所示，上述步驟S02中，在所述TFT陣列基板I上制作發(fā)光器件2的方法可采用常規(guī)方法實現(xiàn)。其中，所述發(fā)光器件2可為OLED或QLED，具體的，所述發(fā)光器件2包括依次設(shè)置在所述TFT陣列基板I上的底電極21、發(fā)光層22和頂電極23。
[0035]如圖4所示，上述步驟S03中，在所述發(fā)光器件2的所述頂電極23上制作透明導(dǎo)電超疏水薄膜3，使得所述透明導(dǎo)電超疏水薄膜3覆蓋所述頂電極23表面，發(fā)揮提高導(dǎo)電性和防止水分滲入的功能。
[0036]上述步驟S04中，所述封裝處理可采用本領(lǐng)域常規(guī)的封裝方法。進行封裝處理后得到的所述頂發(fā)射型顯示面板的結(jié)構(gòu)如圖1所示。
[0037]本發(fā)明實施例提供的頂發(fā)射型顯示面板的制備方法，操作簡單易控，易于實現(xiàn)顯示面板的產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。
[0038]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種頂發(fā)射型顯示面板，其特征在于，包括TFT陣列基板、設(shè)置在TFT陣列基板上的發(fā)光器件和用于封裝所述發(fā)光器件的封裝層，其中，所述發(fā)光器件為頂發(fā)射發(fā)光器件，包括依次設(shè)置在所述TFT陣列基板上的底電極、發(fā)光層和頂電極;所述頂電極上設(shè)置有透明導(dǎo)電超疏水薄膜。2.如權(quán)利要求1所述的頂發(fā)射型顯示面板，其特征在于，所述透明導(dǎo)電超疏水薄膜由導(dǎo)電碳納米管和疏水樹脂復(fù)合組成。3.如權(quán)利要求2所述的頂發(fā)射型顯示面板，其特征在于，以所述透明導(dǎo)電超疏水薄膜的總量為100%計，所述導(dǎo)電碳納米管的質(zhì)量百分含量為5-20%。4.如權(quán)利要求1所述的頂發(fā)射型顯示面板，其特征在于，所述透明導(dǎo)電超疏水薄膜的厚度為 100-1000nm。5.如權(quán)利要求1-4任一所述的頂發(fā)射型顯示面板，其特征在于，所述透明導(dǎo)電超疏水薄膜為經(jīng)過氟化疏水處理的透明導(dǎo)電超疏水薄膜。6.如權(quán)利要求5所述的頂發(fā)射型顯示面板，其特征在于，所述氟化疏水處理采用CF4等離子體處理實現(xiàn)。7.如權(quán)利要求1-4任一所述的頂發(fā)射型顯示面板，其特征在于，所述透明導(dǎo)電超疏水薄膜表面具有微納結(jié)構(gòu)。8.如權(quán)利要求1-4任一所述的頂發(fā)射型顯示面板，其特征在于，所述發(fā)光器件為OLED或QLED09.如權(quán)利要求1-4任一所述的頂發(fā)射型顯示面板，其特征在于，所述發(fā)光層為空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、光發(fā)射層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層的多層疊層。10.—種頂發(fā)射型顯示面板的制備方法，包括以下步驟: 提供一 TFT陣列基板； 在所述TFT陣列基板上制作發(fā)光器件，且所述發(fā)光器件為頂發(fā)射發(fā)光器件，包括依次設(shè)置在所述TFT陣列基板上的底電極、發(fā)光層和頂電極； 在所述頂電極上制作透明導(dǎo)電超疏水薄膜； 進行封裝處理。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種頂發(fā)射型顯示面板及其制作方法。所述頂發(fā)射型顯示面板包括TFT陣列基板、設(shè)置在TFT陣列基板上的發(fā)光器件和用于封裝所述發(fā)光器件的封裝層，其中，所述發(fā)光器件為頂發(fā)射發(fā)光器件，包括依次設(shè)置在所述TFT陣列基板上的底電極、發(fā)光層和頂電極；所述頂電極上設(shè)置有透明導(dǎo)電超疏水薄膜。
【IPC分類】H01L51/52, H01L27/32
【公開號】CN105609538
【申請?zhí)枴緾N201610183954
【發(fā)明人】陳亞文
【申請人】Tcl集團股份有限公司
【公開日】2016年5月25日
【申請日】2016年3月29日