離子注入形成的，而是邊形成硅鍺體材料162，邊原位摻雜形成。
[0053]參照圖4所示，P型離子原位摻雜至少包括依次進(jìn)行的第一階段SI與第二階段S2，第一階段SI內(nèi)，P型離子源氣體的流量逐漸增大，第二階段S2內(nèi)，P型離子源氣體的流量平穩(wěn)；其中，第一階段SI與第二階段S2之間還進(jìn)行第三階段S3，第三階段S3的P型離子源氣體初始流量與第一階段SI的末尾P型離子源氣體流量相等，第三階段S3中所述P型離子源氣體的流量逐漸減小。
[0054]本實施例中，第二階段S2的P型離子源氣體初始流量與第一階段SI的末尾P型離子源氣體流量相等。
[0055]可以理解的是，若無流量下降的第三階段S3的設(shè)置，第一階段SI與第二階段S2兩階段銜接處所形成的硅鍺體材料162中，由于P型離子源氣體流量突變，會引起P型離子含量突然增大。因而，由于第三階段S3的設(shè)置，能避免第一階段SI與第二階段S2兩階段銜接處引起的P型離子含量突然增大，進(jìn)而避免造成硅鍺體材料162中某一區(qū)域P型離子含量過大，由于避免了上述P型離子含量增大量不可控，因而能避免同一批次制作的多個PMOS晶體管的飽和漏電流漂移。
[0056]本實施例中，第三階段S3中P型離子源氣體的流量呈直線下降，其它實施例中，也可以為弧線或折線或臺階狀等其它方式下降。本實施例中，P型離子源氣體的流量平穩(wěn)是指P型離子源氣體的流量相等，或在一定上下值范圍內(nèi)波動，上述上下值范圍例如小于平均值的5%。
[0057]一個實施例中，第三階段S3持續(xù)的時間范圍為5秒?10秒。
[0058]本實施例中，P型離子為硼，所述P型離子源氣體SB2H6。硅鍺體材料162的外延生長的工藝參數(shù)為:SiH4，二氯硅烷、或Si2H6的流量為Isccm?lOOOsccm，B2H6的流量為Isccm?lOOOsccm, GeH4的流量為Isccm?100sccm,氯化氫1氣體的流量為Isccm?lOOOsccm, H2 的流量為 0.1slm ?50slm。
[0059]參照圖4所示，第二階段S2后，還進(jìn)行第四階段S4，第四階段S4的P型離子源氣體初始流量與第二階段S2的末尾P型離子源氣體流量相等，第四階段S4內(nèi)P型離子源氣體的流量逐漸減小，以降低硅鍺體材料162內(nèi)的P型離子含量。
[0060]雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項】
1.一種PMOS晶體管的形成方法，包括: 提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上具有柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成有sigma形凹槽； 在所述sigma形凹槽內(nèi)填充娃鍺材料以形成源漏區(qū)； 其特征在于，所述硅鍺材料的填充分籽晶層形成階段與體材料形成階段；所述籽晶層形成階段至少包括依次進(jìn)行的第一子階段與第二子階段，所述第一子階段內(nèi)，鍺源氣體的流量逐漸增大，所述第二子階段內(nèi)，所述鍺源氣體的流量平穩(wěn)；所述體材料形成階段至少包括依次進(jìn)行的第三子階段與第四子階段，所述第三子階段內(nèi)，鍺源氣體的流量逐漸增大，所述第四子階段內(nèi)，所述鍺源氣體的流量平穩(wěn)； 其中，所述第一子階段與第二子階段之間還進(jìn)行第五子階段，所述第五子階段的鍺源氣體初始流量與所述第一子階段的末尾鍺源氣體流量相等，所述第三子階段與第四子階段之間還進(jìn)行第六子階段，所述第六子階段的鍺源氣體初始流量與所述第三子階段的末尾鍺源氣體流量相等，所述第五子階段與第六子階段中的至少一個，所述鍺源氣體的流量逐漸減小。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的PMOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述第五子階段與第六子階段中的至少一個，所述鍺源氣體的流量呈直線下降。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的PMOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述第五子階段與第六子階段中，所述鍺源氣體的流量都逐漸減小。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的PMOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述第五子階段與第六子階段中，其中一個子階段中的鍺源氣體的流量逐漸減小，另一個子階段中的鍺源氣體的流量平穩(wěn)。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的PMOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述體材料形成階段還包括第七子階段，所述第七子階段的鍺源氣體初始流量與所述第四子階段的末尾鍺源氣體流量相等，所述第七子階段內(nèi)鍺源氣體的流量逐漸減小。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的PMOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述第二子階段的鍺源氣體初始流量與所述第一子階段的末尾鍺源氣體流量相等，所述第四子階段的鍺源氣體初始流量與所述第三子階段的末尾鍺源氣體流量相等。7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的PMOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述鍺源氣體為GeH4。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的PMOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述鍺源氣體的流量逐漸減小的第五子階段或第六子階段持續(xù)的時間范圍為5秒?10秒。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的PMOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述體材料形成階段還進(jìn)行P型離子原位摻雜，所述P型離子原位摻雜至少包括依次進(jìn)行的第一階段與第二階段，所述第一階段內(nèi)，P型離子源氣體的流量逐漸增大，所述第二階段內(nèi)，所述P型離子源氣體的流量平穩(wěn)；其中，所述第一階段與第二階段之間還進(jìn)行第三階段，所述第三階段的P型離子源氣體初始流量與所述第一階段的末尾P型離子源氣體流量相等，所述第三階段中所述P型離子源氣體的流量逐漸減小。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的PMOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述第三階段中所述P型離子源氣體的流量呈直線下降。11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的PMOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述第二階段的P型離子源氣體初始流量與所述第一階段的末尾P型離子源氣體流量相等。12.根據(jù)權(quán)利要求9至11中任一項所述的PMOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述P型離子為硼，所述P型離子源氣體為B2H6。13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的PMOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述第三階段持續(xù)的時間范圍為5秒?10秒。14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的PMOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述硅鍺材料的填充為外延生長法，溫度范圍為500°C?800°C，壓強(qiáng)范圍為ITorr?lOOTorr。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的PMOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述外延生長的工藝參數(shù)為:SiH4,二氯娃燒、或Si2H6的流量為Isccm?100sccm, B2H6的流量為Isccm?100sccm, GeH4的流量為Isccm?100sccm,氯化氫<氣體的流量為Isccm?100sccm, H2的流量為0.1slm?50slm。
【專利摘要】一種PMOS晶體管的形成方法，對于源漏區(qū)的sigma形凹槽內(nèi)的硅鍺籽晶層形成階段，在鍺源氣體流量逐漸增大的第一子階段與流量平穩(wěn)的第二子階段之間增加流量逐漸減小的第五子階段，第五子階段的鍺源氣體初始流量與第一子階段末尾流量相等；和/或?qū)τ隗w材料形成階段，在氣體流量逐漸增大的第三子階段與流量平穩(wěn)的第四子階段之間增加流量逐漸減小的第六子階段，第六子階段的鍺源氣體初始流量與第三子階段末尾流量相等。能避免第一子階段與第二子階段銜接處，和/或第三子階段與第四子階段銜接處的流量突變引起所形成的硅鍺材料中鍺含量突然增大，造成硅鍺材料晶格不匹配，sigma形凹槽側(cè)壁出現(xiàn)缺陷造成源漏區(qū)載流子進(jìn)入溝道區(qū)引起漏電流。
【IPC分類】H01L21/336
【公開號】CN105632927
【申請?zhí)枴緾N201410603287
【發(fā)明人】涂火金
【申請人】中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
【公開日】2016年6月1日
【申請日】2014年10月30日