一定堅(jiān)固性的導(dǎo)光且非金屬材料制成的基板。柵極002可以采用 金屬M(fèi)o(中文:鉬）、金屬Cu(中文:銅）、金屬Al (中文:鋁)及其合金材料制造而成，柵極002的 厚度的取值范圍可以為：2200A~3000 A,本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不作限定。
[0099]示例地，可以采用磁控濺射、熱蒸發(fā)或者等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition;簡(jiǎn)稱:PECVD)等方法在襯底基板001上沉積一層厚 度在2200A-3000 A之間的金屬M(fèi)o，得到金屬M(fèi)o材質(zhì)層，然后通過(guò)一次構(gòu)圖工藝對(duì)金屬 Mo材質(zhì)層進(jìn)行處理得到柵極002。其中，一次構(gòu)圖工藝包括:光刻膠(英文:Photoresist;簡(jiǎn) 稱:PR)涂覆、曝光、顯影、刻蝕和光刻膠剝離，因此，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝對(duì)金屬M(fèi)o材質(zhì)層進(jìn)行 處理得到柵極002可以包括:在金屬M(fèi)o材質(zhì)層上涂覆一層具有一定厚度的光刻膠形成光刻 膠層，采用掩膜版對(duì)光刻膠層進(jìn)行曝光，使得光刻膠層形成完全曝光區(qū)和非曝光區(qū)，之后采 用顯影工藝處理，使完全曝光區(qū)的光刻膠被完全去除，非曝光區(qū)的光刻膠全部保留，采用刻 蝕工藝對(duì)金屬M(fèi)o材質(zhì)層上完全曝光區(qū)對(duì)應(yīng)的區(qū)域進(jìn)行刻蝕，之后剝離非曝光區(qū)的光刻膠， 金屬M(fèi)o材質(zhì)層上非曝光區(qū)對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成柵極002。
[0100]需要說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例是以采用正性光刻膠形成柵極002為例進(jìn)行說(shuō)明的， 實(shí)際應(yīng)用中，還可以采用負(fù)性光刻膠形成柵極002,本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不做限定。
[0101]還需要說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例中，在對(duì)金屬M(fèi)o材質(zhì)層上完全曝光區(qū)對(duì)應(yīng)的區(qū)域 進(jìn)行刻蝕時(shí)，可以采用濕法刻蝕，濕法刻蝕的具體實(shí)現(xiàn)過(guò)程可以參考相關(guān)技術(shù)，本發(fā)明實(shí)施 例在此不再贅述。
[0102] 請(qǐng)參考圖3-3,其示出的是圖3-1所示實(shí)施例提供的一種在形成有柵極002的襯底 基板001上形成柵絕緣層003后的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，柵絕緣層003可以采用Si0 2(中文:二氧 化硅)材料、SiNx(中文:氮化硅)材料、SiO2和SiN x的混合材料或者樹脂等絕緣性材料形成， 且柵絕緣層003的厚度可以根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行設(shè)置，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不做限定。
[0103] 示例地，可以采用涂覆、磁控濺射、熱蒸發(fā)或者PECVD等方法在形成有柵極002的襯 底基板010上沉積一層具有一定厚度的SiO 2材料，形成SiO2材質(zhì)層，并進(jìn)行烘烤處理形成柵 絕緣層003。實(shí)際應(yīng)用中，當(dāng)柵絕緣層003包括圖形時(shí)，還可以通過(guò)一次構(gòu)圖工藝對(duì)形成SiO 2 材質(zhì)層進(jìn)行處理后形成柵絕緣層003,本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不做限定。
[0104] 步驟302、在形成有柵絕緣層的襯底基板上依次形成有源層薄膜和阻擋層薄膜。
[0105] 本發(fā)明實(shí)施例中，在形成有柵絕緣層的襯底基板上依次形成有源層薄膜和阻擋層 薄膜可以包括:在形成有柵絕緣層的襯底基板上形成有源層薄膜，在形成有有源層薄膜的 襯底基板上形成阻擋層薄膜。
[0106] 示例地，請(qǐng)參考圖3-4,其示出的是圖3-1所示實(shí)施例提供的一種在形成有柵絕緣 層003的襯底基板001上形成有源層薄膜Y后的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，有源層薄膜Y可以采用 IGZO材料形成，有源層薄膜Y的厚度可以根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行設(shè)置，示例地，可以采用磁控濺 射、熱蒸發(fā)或者PECVD等方法在形成有柵絕緣層003的襯底基板001上沉積一層具有一定厚 度的IGZO材料形成有源層薄膜Y，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不做限定。
[0107] 示例地，請(qǐng)參考圖3-5,其示出的是圖3-1所示實(shí)施例提供的一種在形成有有源層 薄膜Y的襯底基板001上形成阻擋層薄膜D后的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，阻擋層薄膜D可以采用 SiO2材料形成，阻擋層薄膜D的厚度可以根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行設(shè)置。示例地，可以采用涂覆、磁 控濺射、熱蒸發(fā)或者PECVD等方法在形成有有源層薄膜Y的襯底基板010上沉積一層具有一 定厚度的SiO 2材料，形成阻擋層薄膜D，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不做限定。
[0108] 步驟303、通過(guò)一次構(gòu)圖工藝對(duì)有源層薄膜和阻擋層薄膜進(jìn)行處理，形成有源層和 阻擋層。
[0109] 請(qǐng)參考圖3-6,其示出的是圖3-1所示實(shí)施例提供的一種通過(guò)一次構(gòu)圖工藝對(duì)有源 層薄膜Y和阻擋層薄膜D進(jìn)行處理，形成有源層004和阻擋層005后的結(jié)構(gòu)示意圖。參見圖3-6，有源層004包括臺(tái)階結(jié)構(gòu)0041，臺(tái)階結(jié)構(gòu)0041的臺(tái)階面T的寬度為d，該臺(tái)階結(jié)構(gòu)0041的臺(tái) 階面T的寬度d的取值范圍可以為：1 .Oum~1.2Um，這樣可以便于后續(xù)形成的源極和漏極與 有源層004進(jìn)行搭接。
[0110] 請(qǐng)參考圖3-7,其示出的是圖3-1所示實(shí)施例提供的一種通過(guò)一次構(gòu)圖工藝對(duì)有源 層薄膜和阻擋層薄膜進(jìn)行處理，形成有源層和阻擋層的方法流程圖，參見圖3-7，該方法可 以包括：
[0111]步驟3031、在形成有阻擋層薄膜的襯底基板上形成光刻膠層。
[0112] 請(qǐng)參考圖3-71，其示出的是圖3-1所示實(shí)施例提供的一種在形成有阻擋層薄膜D的 襯底基板001上形成光刻膠層G后的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，該光刻膠層G的厚度的取值范圍可以 為I .Sum~2. lum，且該光刻膠層G可以為正性光刻膠層或者負(fù)性光刻膠層，本發(fā)明實(shí)施例對(duì) 此不做限定，本發(fā)明實(shí)施例以該光刻膠層G為正性光刻膠層為例進(jìn)行說(shuō)明，示例地，可以在 形成有阻擋層薄膜D的襯底基板001上涂覆一層厚度在I. Sum~2. Ium之間的正性光刻膠形 成光刻膠層G。
[0113] 步驟3032、對(duì)形成有光刻膠層的襯底基板依次進(jìn)行曝光、顯影、刻蝕，形成依次疊 加的有源層、阻擋層圖形和光刻膠圖形，有源層、阻擋層圖形和光刻膠圖形的形狀相同。
[0114] 請(qǐng)參考圖3-72,其示出的是圖3-1所示對(duì)形成有光刻膠層G的襯底基板001依次進(jìn) 行曝光、顯影、刻蝕，形成依次疊加的有源層004、阻擋層圖形Dl和光刻膠圖形Gl后的結(jié)構(gòu)示 意圖，參見圖3-72,有源層004、阻擋層圖形Dl和光刻膠圖形Gl的形狀相同，其中，在對(duì)形成 有光刻膠層G的襯底基板001依次進(jìn)行曝光、顯影后，可以形成光刻膠圖形Gl，然后可以采用 干法刻蝕阻擋層薄膜D，形成阻擋層圖形Dl，最后采用濕法刻蝕有源層薄膜Y形成有源層 〇〇4。具體地，請(qǐng)參考下圖3-72a和圖3-72b。
[0115] 請(qǐng)參考圖3-72a，其示出的是圖3-72所示實(shí)施例提供的對(duì)形成有光刻膠層G的襯底 基板001依次進(jìn)行曝光、顯影后的結(jié)構(gòu)示意圖，參見圖3_72a，對(duì)形成有光刻膠層G的襯底基 板001依次進(jìn)行曝光、顯影后，形成光刻膠圖形G1。示例地，可以采用具有相應(yīng)圖形的掩膜版 對(duì)形成有光刻膠層G的襯底基板OOl進(jìn)行曝光，使得光刻膠層G形成完全曝光區(qū)和非曝光區(qū)， 之后采用顯影工藝對(duì)曝光后的基板進(jìn)行顯影處理，去除完全曝光區(qū)的光刻膠，保留非曝光 區(qū)的光刻膠，得到如圖3-72a所示的光刻膠圖形G1。
[0116] 請(qǐng)參考圖3-72b，其示出的是圖3-72所示實(shí)施例提供的對(duì)阻擋層薄膜D進(jìn)行刻蝕后 的結(jié)構(gòu)示意圖，參見圖3_72b，對(duì)阻擋層薄膜D上完全曝光區(qū)對(duì)應(yīng)的區(qū)域進(jìn)行刻蝕后，形成如 圖3-72b所示的阻擋層圖形Dl，在本發(fā)明實(shí)施例中，可以采用干法刻蝕對(duì)阻擋層薄膜D進(jìn)行 刻蝕形成阻擋層圖形Dl，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不作限定。
[0117] 在本發(fā)明實(shí)施例中，對(duì)有源層薄膜Y進(jìn)行刻蝕形成有源層004后的結(jié)構(gòu)示意圖可以 參考圖3-72,本發(fā)明實(shí)施例在此不再贅述，但是需要說(shuō)明的是，在對(duì)有源層薄膜Y進(jìn)行刻蝕 時(shí)，可以采用濕法刻蝕，濕法刻蝕的具體實(shí)現(xiàn)過(guò)程可以參考相關(guān)技術(shù)，本發(fā)明實(shí)施例在此不 再贅述。
[0118]步驟3033、對(duì)光刻膠圖形進(jìn)行灰化處理，露出阻擋層圖形的待刻蝕區(qū)域。
[0119] 請(qǐng)參考圖3-73,其示出的是圖3-1所示實(shí)施例提供的一種對(duì)光刻膠圖形Gl進(jìn)行灰 化處理，露出阻擋層圖形Dl的待刻蝕區(qū)域Q后的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，灰化(英文:Ashing)是指 利用O 2以及SF6等氣體在合適的壓強(qiáng)以及功率條件下，對(duì)光刻膠表面進(jìn)行轟擊，利用O2等和 光刻膠反應(yīng)，將光刻膠較薄的區(qū)域去除。參見圖3-73,對(duì)光刻膠圖形Gl進(jìn)行灰化處理后形成 光刻膠圖形G2，該待刻蝕區(qū)域Q的寬度的取值范圍為：1 · Oum~1 · 2um。可選地，可以采用至少 兩種氣體，在預(yù)設(shè)灰化功率、預(yù)設(shè)氣體壓力、預(yù)設(shè)灰化速率下，對(duì)光刻膠圖形Gl灰化預(yù)設(shè)時(shí) 長(zhǎng)，露出阻擋層圖形Dl的待刻蝕區(qū)域Q。其中，該至少兩種氣體可以包括:0 2(中文:氧氣）和 SF6(中文:六氟化硫氣體