面24BS1之間產(chǎn)生了裂縫。具體而言，當(dāng)凹部24G兩側(cè)上的部分分別具有如圖7所示的倒梯形的斷面形狀時(shí)，有機(jī)層14和第二電極層16會(huì)更加可靠地彼此分咼。
[0049 ]覆蓋有機(jī)發(fā)光元件1的保護(hù)膜18由諸如硅氮化物(S i Nx)之類的絕緣材料制成。此夕卜，設(shè)置于在保護(hù)膜18上的密封襯底19與保護(hù)膜18和粘合層(未示出)一起密封有機(jī)發(fā)光元件10，并且該密封襯底19由諸如允許發(fā)光層14C中所產(chǎn)生的光透過(guò)其中的透明玻璃之類的材料制成。
[0050]接著，除了圖4至圖6以外，還參考圖8及圖9，將對(duì)襯底11和有機(jī)發(fā)光元件10的每一者的具體構(gòu)造進(jìn)行描述。應(yīng)該注意，有機(jī)發(fā)光元件10R、1G和1B因有機(jī)層14的結(jié)構(gòu)而部分不同，但是除此之外，都具有相同的構(gòu)造，因此將對(duì)其共同進(jìn)行描述。
[0051 ]圖8示出了其中一個(gè)有機(jī)發(fā)光元件10中的被設(shè)置在像素驅(qū)動(dòng)電路形成層112中的像素驅(qū)動(dòng)電路150的平面構(gòu)造的概要視圖。
[0052]襯底11是其中在由玻璃、硅(Si)晶片或者樹(shù)脂等制成的基板111上設(shè)置包括像素驅(qū)動(dòng)電路150的像素驅(qū)動(dòng)電路形成層112的元件。在基板111的表面上，作為驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的柵電極的金屬層211G、作為記錄晶體管Tr2的柵電極的金屬層221G以及信號(hào)線120A的一部分被設(shè)置為第一階層的金屬層。這些金屬層211G和221G，以及信號(hào)線120A被由硅氮化物或者硅氧化物等制成的柵極絕緣膜(未示出)覆蓋。
[0053]在驅(qū)動(dòng)晶體管Trl中，柵極絕緣膜上的一部分區(qū)域，即與金屬層211G相對(duì)應(yīng)的部分，設(shè)有由非結(jié)晶硅等制成的半導(dǎo)體薄膜溝道層(未示出)。在該溝道層上，絕緣溝道保護(hù)膜(未示出)被設(shè)置為占據(jù)溝道區(qū)域(其中心區(qū)域)，并且在其兩側(cè)區(qū)域中分別設(shè)有由η型半導(dǎo)體(η型非結(jié)晶硅等制成)形成的漏電極(未示出)和源電極(未示出)。這些漏電極和源電極通過(guò)上述溝道保護(hù)膜彼此分離，并且沿溝道區(qū)域夾置在其間的相應(yīng)端面彼此分開(kāi)。此外，充當(dāng)漏布線的金屬層216D和充當(dāng)源布線的金屬層216S被設(shè)置為第二階層的金屬電極，以分別覆蓋漏電極和源電極。金屬層216D和216S分別具有其中依次層壓例如鈦(Ti)層、鋁(Al)層和鈦層的結(jié)構(gòu)。記錄晶體管Tr2具有與驅(qū)動(dòng)晶體管Trl相似的結(jié)構(gòu)。應(yīng)該注意，在圖8中，充當(dāng)?shù)谝浑A層的金屬層的金屬層221G、充當(dāng)?shù)诙A層的金屬層的金屬層226D(漏布線)和金屬層226S(源布線)被示為記錄晶體管Tr2的構(gòu)件。
[0054]作為第二階層的金屬層，不同于上述的金屬層216D和226D以及金屬層216S和226S，設(shè)有掃描線130A和電源供給線140A。應(yīng)該注意，在本文中已經(jīng)描述了具有反交疊結(jié)構(gòu)(所謂的底柵型)的驅(qū)動(dòng)晶體管Trl和記錄晶體管Tr2，但是它們可以具有正交疊結(jié)構(gòu)(所謂的頂柵型)。此外，在除了掃描線130A與電源供給線140A的交叉點(diǎn)以外的區(qū)域中，信號(hào)線120A被設(shè)置為第二階層的金屬層。
[0055]像素驅(qū)動(dòng)電路150作為一個(gè)整體被由硅氮化物等制成的保護(hù)膜(未示出)覆蓋，并且此外，在其上設(shè)有絕緣性平坦化膜(未示出)。期望平坦化膜具有表面平滑性極高的表面。另外，在平坦化膜和保護(hù)膜的一部分區(qū)域中，設(shè)有極小的連接孔124(見(jiàn)圖8)。期望平坦化膜由圖案精度較高的材料如聚酰亞胺有機(jī)材料等制成。連接孔124由第一電極層13填充，這便與形成驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的源布線的金屬層216S建立了導(dǎo)通。
[0056]第一電極層13形成在平坦化膜上，并且充當(dāng)反射層，其中該平坦化膜是像素驅(qū)動(dòng)電路形成層112的最上層。由此，為了增加發(fā)光效率，期望第一電極層13由具有最高反射率的材料制成。具體而言，第一電極層13由高反射率材料如鋁(AL)或者鋁釹合金(AlNd)制成。應(yīng)該注意，鋁在形成元件分離絕緣層24的開(kāi)口 24K1和24K2的同時(shí)，對(duì)顯影處理過(guò)程中所使用的顯影劑具有較低的抵抗性，因此容易發(fā)生腐蝕。相反地，AlNd對(duì)顯影劑具有較高的抵抗性，并且不易發(fā)生腐蝕。因此，推薦第一電極層13是AlNd的單層結(jié)構(gòu)或者包含鋁層和AlNd(Al層(下層)/AlNd層(上層))的雙層結(jié)構(gòu)。具體而言，在Al層(下層)/ALNd層(上層)的雙層結(jié)構(gòu)的情況下，與AlNd的單層結(jié)構(gòu)相比，其抵抗性降低，因此期望這種情況。第一電極層13的整體厚度例如是大于等于10nm且小于等于I ,OOOnm。此外，第一電極層13可以是兩層結(jié)構(gòu)，其上層(與有機(jī)層14接觸的層)可以由上述高反射率的材料制成，并且其下層(與像素驅(qū)動(dòng)電路形成層112的平坦化膜接觸的層)可以由低反射率材料諸如鉬(Mo)或者其化合物(合金)制成。這是因?yàn)樵谂c設(shè)有驅(qū)動(dòng)晶體管Trl和記錄晶體管Tr2的像素驅(qū)動(dòng)電路形成層112接觸的表面上設(shè)置光吸收率較高的層，可以吸收外部光或者不期望的光，如從有機(jī)發(fā)光元件10中露出的光。應(yīng)該注意，如上所述，第一電極層13被形成為覆蓋平坦化膜的表面，并且填充連接孔124。
[0057]有機(jī)層14毫無(wú)間隙地形成在由元件分離絕緣層24所限定的發(fā)光區(qū)域20的整個(gè)表面上方。如圖9所示，例如，有機(jī)層14具有其中從第一電極層13—側(cè)依次層壓正孔注入層14A、正孔輸送層14B、發(fā)光層14C和電子輸送層14D的構(gòu)造。但是，可以有選擇地設(shè)置除發(fā)光層14C以外的層。應(yīng)該注意，圖9示出了圖4至圖6所示的有機(jī)層14的斷面的放大部分。
[0058]正孔注入層14A是增加注入效率并防止泄露的緩沖層。正孔輸送層14B意在增加正孔到發(fā)光層14V的輸送效率。發(fā)光層14C產(chǎn)生被施加了電場(chǎng)的光，從而使電子與正孔進(jìn)行再結(jié)合。電子輸送層14D意在增加電子到發(fā)光層14C的輸送效率。應(yīng)該注意，可以將由LiF或者Li2O等制成的電子注入層(未示出)設(shè)置在電子輸送層14D與第二電極層16之間。
[0059]此外，有機(jī)層14的構(gòu)造隨有機(jī)發(fā)光元件10R、1G和1B的發(fā)光色的不同而變化。有機(jī)發(fā)光元件1R的正孔注入層14A具有例如，大于等于5nm且小于等于300nm的厚度，并且由4，4’，4〃_三(3-甲基苯基苯胺基)三苯胺(m-MTDATA)或者4，4’，4〃_三(2-萘基苯胺基)三苯胺(2-TNATA)制成。有機(jī)發(fā)光元件1R的正孔輸送層14B具有例如，大于等于5nm且小于等于300nm的厚度，并且由二 [(N-萘基)-N-苯基]對(duì)二氨基聯(lián)苯(α-NPD)制成。有機(jī)發(fā)光元件1R的發(fā)光層14C具有例如，大于等于1nm且小于等于10nm的厚度，并且由混合了 40 %的2，6-二[4-[N-(4-甲氧苯基)-N-苯基]氨基苯乙烯基]萘-1,5-碳腈(BSN-BCN)的8-羥基喹啉鋁混合物(Alq3)制成。有機(jī)發(fā)光元件1R的電子輸送層14D具有例如，大于等于5nm且小于等于300nm的厚度，并且由Alq3制成。
[0000]有機(jī)發(fā)光元件1G的正孔注入層14A具有例如，大于等于5nm且小于等于300nm的厚度，并且由m-MTDATA或者2-TNATA制成。有機(jī)發(fā)光元件1G的正孔輸送層14B具有例如，大于等于5nm且小于等于300nm的厚度，并且由a-NPD制成。有機(jī)發(fā)光元件1G的發(fā)光層14C具有例如，大于等于1nm且小于等于300nm的厚度，并且由混合了3%的香豆素6的Alq3制成。有機(jī)發(fā)光元件106的電子輸送層140具有例如，大于等于5]11]1且小于等于300111]1的厚度，并且由Alq3制成。
[0061 ] 有機(jī)發(fā)光元件1B的正孔注入層14A具有例如，大于等于5nm且小于等于300nm的厚度，并且由m-MTDATA或者2-TNATA制成。有機(jī)發(fā)光元件1B的正孔輸送層14B具有例如，大于等于5nm且小于等于300nm的厚度，并且由a-NPD制成。有機(jī)發(fā)光元件1B的發(fā)光層14C具有例如，大于等于1nm且小于等于10nm的厚度，并且由螺旋(spiro)6C>制成。有機(jī)發(fā)光元件1B的電子輸送層14D具有例如，大于等于5nm且小于等于300nm的厚度，并且由Alq3制成。
[0062]第二電極層16具有，例如大于等于5nm且小于等于50nm的厚度，并且由簡(jiǎn)單的物質(zhì)或者金屬元素諸如鋁(Al)、鎂(Mg)、鈣(Ca)或者鈉(Na)的合金制成。綜上所述，優(yōu)選鎂和銀的合金(MgAl合金)或者鋁(Al)和鋰(Li)(AlLi合金)。第二電極層16例如通常被設(shè)置為用于所有的有機(jī)發(fā)光元件10R、1G和10B，并且被配置為面對(duì)各個(gè)有機(jī)發(fā)光元件10R、1G和1B的第一電極層13。此外，第二電極層16被形成為不僅覆蓋有機(jī)層14，而且還覆蓋元