件分離絕緣層24。
[0063]如上所述，彼此鄰接的相應(yīng)有機(jī)發(fā)光元件10中的第二電極層16在沿Y軸方向連接的同時(shí)，通過間隙區(qū)域VZ的元件分離絕緣層24沿X軸方向彼此分離。因此，其平面形狀是其縱軸為如圖10所示的Y方向的矩形。圖10示出了設(shè)置在基板111上的第二電極層16和其周圍的布線圖案的平面形狀的概要視圖。如圖10所示，在該顯示裝置中，分別沿Y方向延伸以通過顯示區(qū)域110的第二電極層16沿X軸方向?qū)R。此外，各個(gè)第二電極層16的兩端被連接到共同的布線圖案，并且經(jīng)由襯墊Pl和P2被連接到共同的電源供給線GND(見圖2)。
[0064]金屬層17與第一電極層13—樣，形成在像素驅(qū)動(dòng)電路形成層112的表面上，并且充當(dāng)輔助布線，用以補(bǔ)償作為主電極的第二電極層16中的電壓降。金屬層17與第二電極層16在開口 24K2中接觸，并且形成了被電連接到第二電極層16的連接部21 (見圖3及圖5)。
[0065]在不存在金屬層17的情況下，由于電壓隨電源(未示出)到各個(gè)有機(jī)發(fā)光元件10R、1G和1B之間的距離而下降，所以被連接到共同的電源供給線GND(見圖2)的第二電極層16的電位在有機(jī)發(fā)光元件10R、10G和1B之間是不恒定的，從而容易發(fā)生顯著的變化。第二電極層16的電位的上述變化會(huì)引起顯示區(qū)域110的亮度不均勻，所以上述變化是所不期望的。金屬層17用以在加大顯示區(qū)域110中的屏幕的情況下。將電源到第二電極層16之間的電壓降減至最小，并且避免上述不均勻的發(fā)生。應(yīng)該注意，在上述日本未經(jīng)審查專利申請(qǐng)N0.2010-44894中，發(fā)出同色光的相應(yīng)有機(jī)發(fā)光兀件中的陰極34c也被彼此分尚。相反地，在本實(shí)施例中，發(fā)出同色光的有機(jī)發(fā)光元件1被連接在一起，不容易發(fā)生電壓降。由此，本實(shí)施例更適合增加顯示區(qū)域110的屏幕。
[0066]例如，可以如下所述來制造該顯示裝置。
[0067]首先，在由上述材料制成的基板111上，形成包括驅(qū)動(dòng)晶體管Trl和記錄晶體管Tr2的像素驅(qū)動(dòng)電路150。具體而言，首先，例如通過濺射法在基板111上形成金屬膜。隨后，例如通過光刻法、干蝕刻法或者濕蝕刻法等使該金屬膜圖案化，因此在基板111上形成了金屬層211G和221G以及一部分信號(hào)線120A。接著，用柵極絕緣膜覆蓋整個(gè)表面。此外，接著在柵極絕緣膜上形成預(yù)定形狀的溝道保護(hù)膜、漏電極和源電極以及金屬層216D和226D，還有金屬層216S和226S。在此，當(dāng)形成金屬層216D和226D，還有金屬層216S和226S時(shí)，分別形成信號(hào)線120A的一部分、掃描線130A和電源供給線140A，作為第二金屬層。此時(shí)，事先形成連接金屬層221G與掃描線130A的連接部、連接金屬層226D與信號(hào)線120A的連接部、連接金屬層226S與金屬層211G的連接部。隨后，用保護(hù)膜覆蓋全體，這便完成了像素驅(qū)動(dòng)電路150。此時(shí)，在金屬層216S上的保護(hù)膜中的預(yù)定位置處，通過干蝕刻法等形成開口。
[0068]在形成像素驅(qū)動(dòng)電路150之后，例如，通過旋涂法等將作為主構(gòu)件的具有聚酰亞胺的光敏性樹脂施加到整個(gè)表面。隨后，使該光敏性樹脂經(jīng)受光刻處理，從而形成具有連接孔124的平坦膜。具體而言，例如通過在預(yù)定位置處使用具有開口的掩膜進(jìn)行選擇性曝光及顯影，而在保護(hù)膜中設(shè)置與該開口相通的連接孔124。隨后，可選擇性地?zé)Y(jié)該平坦化膜。結(jié)果，得到了像素驅(qū)動(dòng)電路形成層112。
[0069]此外，形成由上述預(yù)定材料制成的第一電極層13和金屬層17。具體而言，通過例如濺射法在整個(gè)表面上方形成由上述材料制成的金屬膜之后，通過使用預(yù)定的掩膜在該層壓膜上形成預(yù)定形狀的抗蝕圖案(未示出)。此外，通過使用該抗蝕圖案作為掩膜，執(zhí)行該金屬膜的選擇性蝕刻。此時(shí)，形成第一電極層13，以覆蓋該平坦化膜并填充連接孔124。此外，在平坦化膜的表面上形成金屬層17，以包圍第一電極層13，并且不與信號(hào)線120A重合。期望通過使用與第一電極層13的材料類型相同的材料，同時(shí)形成第一電極層13與金屬層17。
[0070]隨后，填充彼此鄰接的第一電極層13之間的間隙，并且形成元件分離絕緣層24，以覆蓋金屬層17。此時(shí)，在預(yù)定位置處形成開口 24K1和24K2，并且在間隙區(qū)域VZ中形成沿Y方向延伸的凹部24G。通過例如執(zhí)行多次曝光處理形成凹部24G。具體而言，首先，如圖1lA所示，形成成了元件分離絕緣層24的絕緣膜24Z，以覆蓋設(shè)有第一電極層13和金屬層17的整個(gè)像素驅(qū)動(dòng)電路形成層112。隨后，如圖1lB所示，通過使用光掩膜(Photomask)Ml使與發(fā)光區(qū)域20相對(duì)應(yīng)的區(qū)域R20曝光。在此，使絕緣膜24A中沿厚度方向的一部分全部曝光。隨后，如圖1IC所示，通過使用光掩膜M2使一部分間隙區(qū)域VZ，即區(qū)域R24G曝光。此時(shí)，通過例如控制曝光時(shí)間，僅使從絕緣膜24Z的頂面到達(dá)預(yù)定厚度處的部分曝光。在此之后，通過使用預(yù)定的顯影劑執(zhí)行顯影處理，得到包括如圖1lD所示的凹部24G的元件分離絕緣層24，從而除去被曝光部?？商鎿Q地，可以通過使用半色調(diào)掩膜進(jìn)行曝光處理，來形成凹部24G。在此情況下，使用了設(shè)有與第一發(fā)光區(qū)域20相對(duì)應(yīng)的第一曝光部和與凹部24G相對(duì)應(yīng)的第二曝光部的半色調(diào)光掩膜。這可使得在一次曝光過程中，將與發(fā)光區(qū)域20相對(duì)應(yīng)的第一被曝光部和與凹部24G相對(duì)應(yīng)的第二被曝光部轉(zhuǎn)移到后來成了元件分離絕緣層24的絕緣膜。在此，在第二曝光部被用以控制曝光用的光的透過率的同時(shí)，第一曝光部允許曝光用的光充分通過其中?？刂频诙毓獠恐械耐高^率可以控制凹部24G的深度。根據(jù)使用半色條掩膜的上述曝光處理，可以進(jìn)一步提尚其生廣率。
[0071]隨后，通過例如汽相沉積法等依次層壓由預(yù)定材料制成的、并且具有上述預(yù)定厚度的正孔注入層14A、正孔輸送層14B、發(fā)光層14C和電子輸送層14D來形成有機(jī)層14，以完全覆蓋第一電極層13的被露出部分。此外，形成面對(duì)第一電極層13的第二電極層16，以覆蓋夾置在其間的有機(jī)層14，并且也覆蓋連接部21中的金屬層17的整個(gè)表面，因此完成了有機(jī)發(fā)光元件10。此時(shí)，通過凹部24G的邊緣EGl和EG2沿X軸方向劃分有機(jī)層14和第二電極層16。
[0072]隨后，形成由上述材料制成的保護(hù)膜18，以覆蓋整體。最后，在保護(hù)膜18上形成粘合層，并且繞過夾置在其間的粘合層粘貼密封襯底19。結(jié)果，完成了該顯示裝置。
[0073]在以此方式得到的顯示裝置中，掃描信號(hào)通過記錄晶體管Tr2的柵電極(金屬層221G)從掃描線驅(qū)動(dòng)電路130被供給各像素，以及來自信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路120的圖像信號(hào)經(jīng)由記錄晶體管Tr2被保持在保持電容器Cs處。另一方面，電源供給線驅(qū)動(dòng)電路140將高于第二電位的第一電位供給各個(gè)電源供給線140A，這與掃描線驅(qū)動(dòng)電路130逐條執(zhí)行的掃描同步。結(jié)果，選擇了驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的導(dǎo)電狀態(tài)，并且將驅(qū)動(dòng)電流Id注入到各個(gè)有機(jī)發(fā)光元件10R、1G和10B，從而發(fā)生了正孔與電子之間的再結(jié)合，導(dǎo)致了發(fā)光。在第一電極層13與第二電極層16之間發(fā)生了光的多路徑反射，并且當(dāng)光透過第二電極層16、保護(hù)膜18和密封襯底19之后，獲取了光。
[0074]如上所述，在本實(shí)施例中，沿X軸方向彼此鄰接的有機(jī)層14和彼此鄰接的第二電極層16通過間隙區(qū)域VZ中的元件分離絕緣層24的凹部24G彼此分離。由此，即使在有機(jī)層14因不同顏色的有機(jī)發(fā)光元件10之間的相互間距變窄而發(fā)生重合時(shí)，也可以可靠地避免第一電極層13與第二電極層16之間，以及彼此鄰接的第一電極層13之間發(fā)生短路。換言之，可以在支持有機(jī)發(fā)光元件10之間的相互間距變窄的同時(shí)，充分地控制各個(gè)有機(jī)發(fā)光元件10的驅(qū)動(dòng)。結(jié)果，可以在確保較高的數(shù)值孔徑的同時(shí)，展示出良好的顯示性能，如顯示區(qū)域110中發(fā)光亮度分布的均勻性和顏色的分離性。
[0075]另外，在本實(shí)施例中，通過事先在元件分離絕緣層24中形成凹部24G，并且通過沉積預(yù)定的材料，自然而然地形成沿Y軸方向延伸并且沿X軸方向?qū)R的第二電極層16，以覆蓋整個(gè)顯示區(qū)域110。因此，可以在不使用高精度圖案化的情況下，在合適的位置處容易地排列彼此可靠分離的第二電極層16。
[0076]鑒于上述觀點(diǎn)，已經(jīng)通過本實(shí)施例描述了本技術(shù)，但是并不限于本實(shí)施例，也可以作出各種修改。例如，在上述實(shí)施例中，在元件分離絕緣層24中設(shè)有一個(gè)凹部24G，并且因此形成了兩對(duì)階梯，但是本技術(shù)并不限于該示例。舉例來說，如在圖12所示的第一修改例中，可以在元件分離絕緣層24中形成兩個(gè)凹部24G1和24