N層28c)。由此，得到圖12所示的阻擋金屬28。
[0062]接下來，如圖13所示，使鎢層94在半導(dǎo)體基板12的表面上生長(zhǎng)。鎢層94生長(zhǎng)在位于接觸孔26的內(nèi)表面、接觸孔82的內(nèi)表面以及BPSG膜24的上部的阻擋金屬28上。在此，形成接觸孔82的寬度(在本實(shí)施例中為大約0.6μπι)的一半以上的厚度(S卩，0.3μπι以上的厚度)的鎢層94。在本實(shí)施例中，鎢層94的厚度為大約0.4μπι。因此，鎢層94在接觸孔82內(nèi)無間隙地生長(zhǎng)。此外，由于接觸孔26的寬度(大約800μπι)遠(yuǎn)大于鎢層94的厚度(大約0.4μπι)，因此，在接觸孔26內(nèi)，鎢層94沿著接觸孔26的內(nèi)表面而生長(zhǎng)。即，鎢層94沿著接觸孔26的內(nèi)表面以大致均勻的厚度而生長(zhǎng)。另外，在形成鎢層94時(shí)，通過阻擋金屬28(尤其是TiN層)而防止了構(gòu)成鎢層94的鎢向半導(dǎo)體基板12擴(kuò)散的情況。由此，防止了在半導(dǎo)體基板12的接觸部處形成缺陷等的情況。此外，通過阻擋金屬28而防止了鎢從鎢層94向柵極配線18擴(kuò)散的情況。
[0063]接下來，如圖14所示，通過對(duì)鎢層94進(jìn)行蝕刻，從而將位于絕緣膜20、80的上部的鎢層94去除。由此，使絕緣膜20、80上的阻擋金屬28露出。此外，使鎢層94殘留在接觸孔82內(nèi)。更詳細(xì)而言，以使殘留在接觸孔82內(nèi)的鎢層94的上表面與絕緣膜80的上表面大致一致的方式而實(shí)施蝕刻。殘留在接觸孔82內(nèi)的鎢層94為接觸插塞86。此外，接觸孔26內(nèi)的鎢層94也被實(shí)施蝕刻。接觸孔26的底面的鎢層94的厚度與位于絕緣膜20、80的上部的鎢層94的厚度大致相等。因此，接觸孔26的底面的鎢層94被去除。因此，阻擋金屬28在接觸孔26的底面露出。另一方面，由于蝕刻劑不易到達(dá)接觸孔26的底面與側(cè)面之間的角部附近，因此，在角部附近蝕刻速度變慢。因此，以覆蓋接觸孔26的角部(更詳細(xì)而言，側(cè)面和角部附近的底面)的方式而殘留有鎢層94。殘留在接觸孔26的角部附近的鎢層94為側(cè)面部金屬層30。在本實(shí)施例中，側(cè)面部金屬層30以覆蓋接觸孔26的側(cè)面的大致整個(gè)區(qū)域的方式而殘留。但是，在其他的實(shí)施例中，側(cè)面部金屬層30也可以僅被形成在接觸孔26的側(cè)面中的角部附近的區(qū)域內(nèi)。當(dāng)以這種方式形成側(cè)面部金屬層30時(shí)，側(cè)面部金屬層30的厚度(即，相對(duì)于接觸孔26的側(cè)面而垂直的方向上的側(cè)面部金屬層30的寬度)隨著從上側(cè)趨向于下側(cè)而增加。因此，側(cè)面部金屬層30的表面成為傾斜為錐形形狀的形狀。因此，通過側(cè)面部金屬層30而使接觸孔26的外周緣的高低差平滑化。
[0064]接下來，如圖15所示，通過對(duì)阻擋金屬28進(jìn)行蝕刻，從而將絕緣膜20、80上的阻擋金屬28去除。由此，使BPSG膜24的上表面露出。由于接觸孔82內(nèi)的阻擋金屬28被接觸插塞86覆蓋，因此未被蝕刻。因此，在接觸孔82內(nèi)殘留有阻擋金屬28。此外，接觸孔26內(nèi)的側(cè)面部金屬層30的下側(cè)的阻擋金屬28也未被蝕刻。即，在側(cè)面部金屬層30與柵極配線18之間以及側(cè)面部金屬層30與絕緣膜20之間殘留有阻擋金屬28。接觸孔26內(nèi)的未被側(cè)面部金屬層30覆蓋的范圍內(nèi)的阻擋金屬28(8卩，接觸孔26的底面的阻擋金屬28)去除。因此，柵極配線18在接觸孔26的底面露出。
[0065]接下來，如圖16所示，使AlSi層92在半導(dǎo)體基板12的表面上生長(zhǎng)。另外，在本實(shí)施例中，使AlSi層92在低溫(例如，200度以下的溫度)下生長(zhǎng)。當(dāng)使AlSi層92在低溫下生長(zhǎng)時(shí)，在AlSi層92中不易析出Si的結(jié)核(nodule)，從而能夠形成高強(qiáng)度的AlSi層92。此外，當(dāng)使AlSi層92在具有凹凸的表面上生長(zhǎng)時(shí)，存在有在AlSi層92的表面上形成較深的槽的情況。尤其在使AlSi層92在低溫下生長(zhǎng)的情況下，在AlSi層92的表面上容易形成槽。在本實(shí)施例中，元件部54的表面(S卩，通過絕緣膜80的上表面和接觸插塞86的上表面而構(gòu)成的表面)為大致平坦。因此，能夠在元件部54上形成表面平坦的AlSi層92。此外，雖然在襯墊部14中，于接觸孔26的底面與絕緣膜20的上表面之間形成有高低差，但該高低差通過側(cè)面部金屬層30而被平滑化。因此，如圖16所示，即使在襯墊部14中，也不會(huì)在AlSi層92的表面上形成槽，從而使AlSi層92的表面變得平滑。另外，圖17圖示了在不存在側(cè)面部金屬層30的狀態(tài)下形成了 AlSi層92的情況。當(dāng)不存在側(cè)面部金屬層30時(shí)，AlSi層92將直接生長(zhǎng)在接觸孔26的側(cè)面與底面之間的角部上。當(dāng)AlSi層98以這種方式生長(zhǎng)時(shí)，將在角部附近的AlSi層92的表面上形成槽98。相對(duì)于此，在本實(shí)施例的方法中，如圖16所示，能夠防止形成槽98的情況。此外，雖然根據(jù)條件，在本實(shí)施例的方法中也存在形成槽98的情況，但是即使在該情況下，也能夠使槽98的深度與圖17相比較淺。當(dāng)如圖17那樣形成有較深的槽98時(shí)，AlSi層92的強(qiáng)度將變?nèi)?。此外，圖17那樣的較深的槽98容易成為裂紋的起點(diǎn)，從而AlSi層92的耐久性降低。相對(duì)于此，根據(jù)本實(shí)施例的方法，能夠形成具有較高的強(qiáng)度以及耐久性的AlSi層92。
[0066]此外，在AlSi層92的形成前，BPSG膜24是露出的。因此，AlSi層92與BPSG膜24直接接觸。因此，AlSi層92與BPSG膜24以高強(qiáng)度貼合。由此，AlSi層92不易剝離。即，當(dāng)在BPSG膜24與AlSi層92之間存在有阻擋金屬28時(shí)，由于阻擋金屬28易于從BPSG膜24上剝離，因此，AlSi層92容易與阻擋金屬28—起從BPSG膜24上剝離。相對(duì)于此，在本實(shí)施例中，由于AlSi層92與BPSG膜24直接接觸，因此，AlSi層92不易從BPSG膜24上剝離。
[0067]接下來，如圖18所示，通過對(duì)AlSi層92選擇性地進(jìn)行蝕刻，從而對(duì)AlSi層92進(jìn)行圖案形成。通過以從絕緣膜20上跨至接觸孔26內(nèi)的方式而延伸的AlSi層92，形成了表面電極32。此外，通過以從接觸插塞86上跨至絕緣膜80上的方式而延伸的AlSi層92，形成了發(fā)射極56 ο
[0068]接下來，如圖19所示，在BPSG膜24的表面上形成聚酰亞胺膜34。聚酰亞胺膜34以覆蓋表面電極32的端部的方式而形成。未被聚酰亞胺膜34覆蓋的部分的表面電極32成為接合襯墊16。此外，聚酰亞胺膜34以覆蓋發(fā)射極56的端部的方式而形成。
[0069]接下來，實(shí)施半導(dǎo)體裝置10的下表面12b側(cè)的加工，從而形成集電區(qū)68和集電極58。由此，完成圖1、圖2所示的半導(dǎo)體裝置10。
[0070]在對(duì)半導(dǎo)體裝置10進(jìn)行安裝時(shí)，通過錫焊而使集電極58與未圖示的電極連接。此夕卜，通過錫焊而使發(fā)射極56與未圖示的電極連接。此外，在接合襯墊16上連接引線36。引線36的另一端部與未圖示的電極連接。在將引線36接合在接合襯墊16上時(shí)，表面電極32被強(qiáng)力地向上方拉拽。然而，如上述那樣，在半導(dǎo)體裝置10中，接合襯墊16被形成在接觸孔26內(nèi)。因此，在接合襯墊16的下側(cè)全體，表面電極32與柵極配線18連接。即，在接合襯墊16的下側(cè)，于表面電極32與柵極配線18之間不存在絕緣膜。因此，接合襯墊16的下側(cè)的表面電極32以較高的強(qiáng)度而被連接在柵極配線18上。因此，防止了表面電極32發(fā)生剝離的情況。因此，能夠?qū)Π雽?dǎo)體裝置10的安裝時(shí)的不良的產(chǎn)生進(jìn)行抑制。此外，如上述那樣，在半導(dǎo)體裝置10中，表面電極32具有較高的強(qiáng)度。由此，也抑制了引線接合時(shí)的表面電極32的剝離。
[0071 ]此外，在實(shí)施例1中，BPSG膜24的表面被平坦化。因此，能夠使形成在BPSG膜24上的發(fā)射極56形成得較為平坦。當(dāng)在發(fā)射極56的表面上形成有凹凸時(shí)，由于在半導(dǎo)體裝置10的使用時(shí)反復(fù)對(duì)發(fā)射極56施加熱量，從而容易在發(fā)射極56中產(chǎn)生裂紋。當(dāng)裂紋到達(dá)半導(dǎo)體基板12時(shí)，半導(dǎo)體裝置10的特性將發(fā)生劣化。相對(duì)于此，當(dāng)如實(shí)施例1那樣，發(fā)射極56的表面為平坦時(shí)，將變得不易產(chǎn)生裂紋，并且裂紋不易向半導(dǎo)體基板12側(cè)發(fā)展。因此，實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置10的特性不易發(fā)生劣化。
[0072]另外，在下文中，對(duì)實(shí)施例與本發(fā)明的各結(jié)構(gòu)要素的對(duì)應(yīng)關(guān)系進(jìn)行說明。實(shí)施例的絕緣膜80為本發(fā)明的第一絕緣膜的一個(gè)示例。實(shí)施例的接觸孔82為本發(fā)明的第一接觸孔的一個(gè)示例。實(shí)施例的接觸插塞86為本發(fā)明的接觸插塞的一個(gè)示例。實(shí)施例的發(fā)射極56為本發(fā)明的第一表面電極的一個(gè)示例。實(shí)施例的柵極配線18為本發(fā)明的導(dǎo)電層的一個(gè)示例。實(shí)施例的絕緣膜20為本發(fā)明的第二絕緣膜的一個(gè)示例。實(shí)施例的接觸孔26為本發(fā)明的第二接觸孔的一個(gè)示例。實(shí)施例的側(cè)面部金屬層30為本發(fā)明的側(cè)面部金屬層的一個(gè)示例。實(shí)施例的表面電極32為本發(fā)明的第二表面電極的一個(gè)示例。實(shí)施例的表面氧化膜17為本發(fā)明的第三絕緣膜的一個(gè)示例。
[0073]實(shí)施例2
[0074]在上述的實(shí)施例1中，構(gòu)成接合襯墊16的表面電極32與柵極配線18連接。然而，如圖20所示，也可以使表面電極32與半導(dǎo)體基板12連接。即，本發(fā)明中的導(dǎo)電層既可以為柵極配線，也可以為半導(dǎo)體基板12內(nèi)的半導(dǎo)體層(更詳細(xì)而言，露出于半導(dǎo)體基板12的表面的半導(dǎo)體層)。此外，導(dǎo)電層也可以為柵極配線以外的配線。
[0075]實(shí)施例3
[0076]在上述的實(shí)施例1中，在BPSG膜24的上表面未形成有阻擋金屬28。由此，實(shí)現(xiàn)了BPSG膜24與電極32、56之間的連接強(qiáng)度的提高。然而，由于BPSG膜24被形成在接合襯墊16的外側(cè)，因此，BPSG膜24上的電極32、56的剝離成為問題的情況較少。因此，如圖21所示，也可以在BPSG膜24上形成有阻擋金屬2