8。
[0077]實(shí)施例4
[0078]在上述的實(shí)施例1中，接合襯墊16被形成在接觸孔26內(nèi)。然而，如圖22所示，接合襯墊16也可以被形成在接觸孔26的上部(S卩，與絕緣膜20的上表面相比靠上側(cè))。
[0079]實(shí)施例5
[0080]在上述的實(shí)施例中，側(cè)面部金屬層30僅在接觸孔26的側(cè)面附近覆蓋了接觸孔26的底面。然而，如圖23所示，接觸孔26的底面的整個(gè)區(qū)域也可以被厚度較薄的側(cè)面部金屬層30覆蓋。
[0081]另外，在上述的實(shí)施例中，作為阻擋金屬而采用了TiSi層、Ti層以及TiN層的層壓結(jié)構(gòu)。然而，也可以通過(guò)TiSi層和TiN層的層壓結(jié)構(gòu)而構(gòu)成阻擋金屬。此外，阻擋金屬包含金屬層(例如，TiN、TaN等)，該金屬層對(duì)阻擋金屬的上部的接觸插塞的元素向阻擋金屬的下側(cè)擴(kuò)散的情況進(jìn)行抑制。此外，阻擋金屬優(yōu)選為包含如下的金屬層(例如，TiS1、CoS1、NiSi)，即，以較低的接觸電阻而與阻擋金屬的下側(cè)的層接觸的金屬層。
[0082]此外，雖然在上述的實(shí)施例中使用了鎢以作為接觸插塞，但接觸插塞的材料也能夠采用可埋入接觸孔82中的各種金屬。例如，能夠采用Cu等以作為接觸插塞。
[0083]此外，雖然在上述的實(shí)施例中使用了AlSi以作為表面電極32，但表面電極的材料也能夠采用可進(jìn)行引線接合的各種導(dǎo)電材料。例如，能夠采用W、Cu等以作為表面電極。
[0084]此外，接觸插塞為被填充于接觸孔內(nèi)的金屬的主材料。在接觸孔內(nèi)形成有多個(gè)金屬層的情況下，也能夠?qū)⒄冀佑|孔的容積中的50%以上的容積的金屬層定義為接觸插塞。
[0085]此外，在上述的實(shí)施例中，絕緣膜20的表層部通過(guò)BPSG膜24而構(gòu)成，絕緣膜20的下層部通過(guò)NSG膜22而構(gòu)成。然而，絕緣膜20的整體也可以通過(guò)BPSG膜而構(gòu)成。即，雖然絕緣膜20的表層部?jī)?yōu)選為BPSG膜，但下層部既可以為BPSG膜也可以為其他的絕緣膜。此外，在上述的實(shí)施例中，絕緣膜80的表層部通過(guò)BPSG膜24而構(gòu)成，絕緣膜80的下層部通過(guò)NSG膜22和表面氧化膜17而構(gòu)成。然而，絕緣膜80的整體也可以通過(guò)BPSG膜而構(gòu)成。即，雖然絕緣膜80的表層部?jī)?yōu)選為BPSG膜，但下層部既可以為BPSG膜也可以為其他的絕緣膜。
[0086]本說(shuō)明書(shū)所公開(kāi)的一個(gè)示例所涉及的半導(dǎo)體裝置具有半導(dǎo)體基板、第一絕緣膜、接觸插塞、導(dǎo)電層、第二絕緣膜、側(cè)面部金屬層、第二表面電極。第一絕緣膜被形成在所述半導(dǎo)體基板上，并具有第一接觸孔。接觸插塞被配置在所述第一接觸孔內(nèi)。導(dǎo)電層被形成在所述半導(dǎo)體基板內(nèi)或所述半導(dǎo)體基板的表面上。第二絕緣膜被形成在所述導(dǎo)電層上，并具有與所述第一接觸孔相比寬度較寬的第二接觸孔。側(cè)面部金屬層對(duì)所述第二接觸孔的側(cè)面進(jìn)行覆蓋，并通過(guò)與所述接觸插塞為同種的金屬而構(gòu)成。第一表面電極以從所述第二絕緣膜上跨至所述第二接觸孔內(nèi)的方式而延伸，對(duì)所述側(cè)面部金屬層進(jìn)行覆蓋，并通過(guò)與所述接觸插塞不同的金屬而構(gòu)成。在所述第二接觸孔的底面的上部的第一表面電極中形成有接合襯墊。
[0087]本說(shuō)明書(shū)所公開(kāi)的一個(gè)示例所涉及的半導(dǎo)體裝置的所述側(cè)面部金屬層的厚度隨著從所述側(cè)面的上側(cè)趨向于下側(cè)而增加。
[0088]另外，上述的“側(cè)面部金屬層的厚度”是指，在相對(duì)于所述側(cè)面而垂直的方向上進(jìn)行測(cè)量時(shí)的側(cè)面部金屬層的尺寸。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，能夠更平坦地形成側(cè)面部金屬層上的第二表面電極。由此，提高第二表面電極的強(qiáng)度。
[0089]本說(shuō)明書(shū)所公開(kāi)的一個(gè)示例所涉及的半導(dǎo)體裝置還具有被形成在所述半導(dǎo)體基板上的第三絕緣膜。所述導(dǎo)電層被形成在所述第三絕緣膜上。
[0090]本說(shuō)明書(shū)所公開(kāi)的一個(gè)示例所涉及的半導(dǎo)體裝置還具有第二表面電極。所述第二表面電極以從所述第一絕緣膜上跨至所述接觸插塞上的方式而延伸，并通過(guò)與所述第一表面電極為同種的金屬而構(gòu)成。
[0091]根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠同時(shí)形成第一表面電極和第二表面電極。此外，在形成有金屬層的表面上存在凹凸的情況下，如果不在高溫下形成金屬層則無(wú)法使金屬層順利地生長(zhǎng)。相對(duì)于此，形成有第二表面電極的表面(即，通過(guò)第一絕緣層的表面和接觸插塞的表面而構(gòu)成的表面)為平坦。此外，第二接觸孔的外周緣的高低差通過(guò)側(cè)面部金屬層而被平滑地連接。因此，即使將形成第一表面電極和第二表面電極時(shí)的溫度設(shè)為較低的低溫，也能夠恰當(dāng)?shù)匦纬傻谝槐砻骐姌O和第二表面電極。當(dāng)在低溫下形成第一表面電極和第二表面電極時(shí)，能夠進(jìn)一步提高這些電極的強(qiáng)度。即，根據(jù)該半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)，能夠得到高強(qiáng)度的第一表面電極和第二表面電極。
[0092]在本說(shuō)明書(shū)所公開(kāi)的一個(gè)示例所涉及的半導(dǎo)體裝置中，在所述接觸插塞與所述半導(dǎo)體基板之間，以及所述側(cè)面部金屬層與所述導(dǎo)電層之間存在有阻擋金屬。
[0093]在本說(shuō)明書(shū)所公開(kāi)的一個(gè)示例所涉及的半導(dǎo)體裝置中，所述第二絕緣膜的至少表層部為BPSG膜，所述第一表面電極與所述BPSG膜直接接觸。
[0094]根據(jù)該結(jié)構(gòu)，第一表面電極變得更加不易剝離。
[0095]在本說(shuō)明書(shū)所公開(kāi)的一個(gè)示例所涉及的半導(dǎo)體裝置中，所述接觸插塞和所述側(cè)面部金屬層通過(guò)媽而構(gòu)成。
[0096]雖然以上對(duì)實(shí)施方式進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，但這些僅為例示，并不對(duì)權(quán)利要求書(shū)進(jìn)行限定。在權(quán)利要求書(shū)內(nèi)所記載的技術(shù)中，包括能夠?qū)σ陨纤镜木唧w例進(jìn)行各種各樣的改變、變更的技術(shù)。
[0097]在本說(shuō)明書(shū)或附圖中所說(shuō)明的技術(shù)要素通過(guò)單獨(dú)或者各種組合的方式而發(fā)揮技術(shù)上的有用性，并不限定于申請(qǐng)時(shí)權(quán)利要求所記載的組合。此外，本說(shuō)明書(shū)或附圖中所例示的技術(shù)同時(shí)達(dá)成多個(gè)目的，達(dá)成其中的一個(gè)目的本身便具有技術(shù)上的有用性。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體裝置，具有: 半導(dǎo)體基板； 第一絕緣膜，其被形成在所述半導(dǎo)體基板上，并具有第一接觸孔； 接觸插塞，其被配置在所述第一接觸孔內(nèi)； 第一表面電極，其以從所述第一絕緣膜上跨至所述接觸插塞上的方式而延伸； 導(dǎo)電層，其被形成在形成有所述第一絕緣膜的一側(cè)的所述半導(dǎo)體基板的表面上或露出于所述表面的半導(dǎo)體區(qū)域內(nèi)； 第二絕緣膜，其被形成在所述導(dǎo)電層上，并具有與所述第一接觸孔相比寬度較寬的第二接觸孔； 側(cè)面部金屬層，其對(duì)所述第二接觸孔的側(cè)面與底面之間的角部進(jìn)行覆蓋，并通過(guò)與所述接觸插塞為同種的金屬而構(gòu)成； 第二表面電極，其以從所述第二絕緣膜上跨至所述第二接觸孔內(nèi)的方式而延伸，對(duì)所述側(cè)面部金屬層進(jìn)行覆蓋，并通過(guò)與所述接觸插塞不同的金屬而構(gòu)成， 在所述第二接觸孔的所述底面的上部的第二表面電極中形成有接合襯墊。2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中， 所述側(cè)面部金屬層的厚度隨著從所述側(cè)面的上側(cè)趨向于下側(cè)而增加。3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其中， 還具有第三絕緣膜，所述第三絕緣膜被形成在所述半導(dǎo)體基板上， 所述導(dǎo)電層被形成在所述第三絕緣膜上。4.如權(quán)利要求1至3中的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其中， 所述第一表面電極通過(guò)與所述第二表面電極為同種的金屬而構(gòu)成。5.如權(quán)利要求1至4中的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其中， 在所述接觸插塞與所述半導(dǎo)體基板之間，以及所述側(cè)面部金屬層與所述導(dǎo)電層之間存在有阻擋金屬。6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其中， 所述第二絕緣膜的至少表層部為硼磷硅玻璃膜， 所述第二表面電極與所述硼磷硅玻璃膜直接接觸。7.如權(quán)利要求1至6中的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其中， 所述接觸插塞和所述側(cè)面部金屬層通過(guò)鎢而構(gòu)成。8.一種方法，其為制造半導(dǎo)體裝置的方法，包括: 在半導(dǎo)體基板的表面上或露出于所述表面的半導(dǎo)體區(qū)域內(nèi)形成導(dǎo)電層的工序； 在所述導(dǎo)電層的外側(cè)的范圍內(nèi)的所述半導(dǎo)體基板上形成第一絕緣膜的工序； 在所述導(dǎo)電層上形成第二絕緣膜的工序； 在所述第一絕緣膜上形成第一接觸孔的工序； 在所述第二絕緣膜上形成與所述第一接觸孔相比寬度較寬的第二接觸孔的工序；在所述第一絕緣膜上、所述第一接觸孔內(nèi)、所述第二絕緣膜上以及所述第二接觸孔內(nèi)形成金屬層的工序； 以在所述第二接觸孔的側(cè)面與底面之間的角部處殘留有所述金屬層，并且在所述第一接觸孔內(nèi)殘留有所述金屬層的方式而對(duì)所述金屬層進(jìn)行蝕刻的工序； 形成以從所述第一絕緣膜上跨至所述接觸插塞上的方式而延伸的第一表面電極的工序; 形成以從所述第二絕緣膜上跨至所述第二接觸孔內(nèi)的方式而延伸，并且對(duì)所述角部的所述金屬層進(jìn)行覆蓋的第二表面電極的工序。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供一種在接合襯墊上表面電極不易剝離的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。所提供的半導(dǎo)體裝置具有：第一絕緣膜，其被形成在半導(dǎo)體基板上并具有第一接觸孔；接觸插塞，其位于第一接觸孔內(nèi)；第二絕緣膜，其被形成在導(dǎo)電層上，并且具有與第一接觸孔相比寬度較寬的第二接觸孔；側(cè)面部金屬層，其對(duì)所述第二接觸孔的側(cè)面與底面之間的角部進(jìn)行覆蓋，并且通過(guò)與接觸插塞為同種的金屬而構(gòu)成；第一表面電極，其以從第二絕緣膜上跨至第二接觸孔內(nèi)的方式而延伸。第一表面電極對(duì)側(cè)面部金屬層進(jìn)行覆蓋，并通過(guò)與接觸插塞不同的金屬而構(gòu)成。在第二接觸孔的底面的上部的第一表面電極中形成有接合襯墊。
【IPC分類(lèi)】H01L21/768
【公開(kāi)號(hào)】CN105702620
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510920601
【發(fā)明人】巖崎真也, 荒川盛司
【申請(qǐng)人】豐田自動(dòng)車(chē)株式會(huì)社
【公開(kāi)日】2016年6月22日
【申請(qǐng)日】2015年12月11日
【公告號(hào)】DE102015121482A1, US20160172301