一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著薄膜晶體管液晶顯不器(thinfilm transistor-liquid crystal display,簡稱TFT-LCD)的技術(shù)發(fā)展，特別是小尺寸屏幕對窄邊框的要求越來越高，陣列基板行驅(qū)動技術(shù)(Gate Drive On Array，簡稱GOA)技術(shù)的使用更加頻繁。GOA技術(shù)可以將柵極驅(qū)動電路集成在TFT基板上，減少Gate IC的使用，并減小面板的邊框設(shè)計，使得面板更加符合技術(shù)的發(fā)展趨勢。
[0003]在TN型顯示面板的設(shè)計過程中，由于其液晶偏轉(zhuǎn)原理的特性，必須將彩膜基板側(cè)ITO電極層利用密封膠內(nèi)的金Au球與陣列基板側(cè)的像素電極導(dǎo)通。而對于具有GOA設(shè)計的TN型面板，GOA區(qū)域的驅(qū)動電路設(shè)計有許多過孔，如圖1所示的GOA區(qū)域典型的過孔設(shè)計，其中101為Gate線金屬，102為Data線金屬，103為GI/PVX過孔，104為將兩層金屬導(dǎo)通的ΙΤ0。而GOA區(qū)域的過孔如果與彩膜基板側(cè)ITO電極層導(dǎo)通會造成顯示不良。現(xiàn)有TN型顯示面板的設(shè)計方法是:使密封膠涂覆位置與GOA電路保留一定距離，如此，就造成了 TN型顯示面板邊框比ADS型產(chǎn)品的邊框?qū)挕?br>
【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]針對現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本發(fā)明提供了一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，能夠解決現(xiàn)有技術(shù)中GOA區(qū)域的過孔容易與彩膜基板側(cè)ITO電極層導(dǎo)通，從而造成顯示不良的問題。
[0005]第一方面，本發(fā)明提供了一種陣列基板的制作方法，所述陣列基板包括顯示區(qū)域和GOA區(qū)域，該方法包括:
[0006]在襯底上形成顯示區(qū)域的薄膜晶體管TFT結(jié)構(gòu)，及所述GOA區(qū)域的TFT結(jié)構(gòu)；
[0007]在所述顯示區(qū)域的TFT結(jié)構(gòu)和所述GOA區(qū)域的TFT結(jié)構(gòu)上依次形成第一絕緣層、ITO層及光刻膠層；
[0008]采用半色調(diào)掩膜板，對所述光刻膠層進(jìn)行曝光顯影，并對所述ITO層進(jìn)行刻蝕，形成GOA區(qū)域電極層及顯示區(qū)域電極層;所述GOA區(qū)域電極層上剩余光刻膠的厚度大于所述顯示區(qū)域電極層上剩余光刻膠的厚度；
[0009]對剩余光刻膠進(jìn)行灰化處理，以完全去除所述顯示區(qū)域電極層上的光刻膠，及減薄所述GOA區(qū)域電極層上的光刻膠；
[0010]其中，所述GOA區(qū)域電極層通過第一過孔與柵線金屬層連接，所述GOA區(qū)域電極層通過第二過孔與數(shù)據(jù)線金屬層連接。
[0011]優(yōu)選地，所述采用半色調(diào)掩膜板，對所述光刻膠進(jìn)行曝光顯影，并對所述ITO層進(jìn)行刻蝕，形成GOA區(qū)域電極層及顯示區(qū)域電極層，包括:
[0012]采用半色調(diào)掩膜板，對所述光刻膠層進(jìn)行曝光，顯影后在所述GOA區(qū)域形成光刻膠完全去除區(qū)域和光刻膠完全保留區(qū)域，在所述顯示區(qū)域形成光刻膠完全去除區(qū)域和光刻膠部分保留區(qū)域；
[0013]對所述ITO層進(jìn)行刻蝕，在所述光刻膠完全保留區(qū)域形成所述GOA區(qū)域電極層，在所述光刻膠部分保留區(qū)域形成所述顯示區(qū)域電極層。
[0014]優(yōu)選地，所述半色調(diào)掩膜板包括:所述GOA區(qū)域電極層對應(yīng)的不透光子掩膜板、所述GOA區(qū)域除電極層外對應(yīng)的全透光子掩膜板、所述顯示區(qū)域電極層對應(yīng)的半透光子掩膜板以及所述顯示區(qū)域除電極層外對應(yīng)的全透光子掩膜板。
[0015]優(yōu)選地，所述方法還包括:
[0016]在所述GOA區(qū)域電極層的光刻膠上方涂覆密封膠；
[0017]其中，所述密封膠用于粘接所述陣列基板與彩膜基板。
[0018]優(yōu)選地，所述在所述顯示區(qū)域的TFT結(jié)構(gòu)和所述GOA區(qū)域的TFT結(jié)構(gòu)上依次形成第一絕緣層、ITO層及光刻膠層，包括:
[0019]在所述顯示區(qū)域的TFT結(jié)構(gòu)和所述GOA區(qū)域的TFT結(jié)構(gòu)上形成第一絕緣層；
[0020]在所述GOA區(qū)域，形成貫穿所述第一絕緣層及柵絕緣層且與柵線金屬層接觸的第一過孔，及形成貫穿所述第一絕緣層且與所述數(shù)據(jù)線金屬層接觸的第二過孔;以及
[0021]在所述顯示區(qū)域，形成貫穿所述第一絕緣層且與源漏極接觸的第三過孔；
[0022]在所述第一過孔、所述第二過孔、所述第三過孔及所述第一絕緣層上依次形成ITO層及光刻膠層。
[0023]優(yōu)選地，所述顯示區(qū)域電極層為像素電極。
[0024]優(yōu)選地，所述方法還包括:
[0025]采用退火工藝，對所述GOA區(qū)域電極層上剩余的光刻膠進(jìn)行熱固化。
[0026]第二方面，本發(fā)明提供了一種陣列基板，所述陣列基板包括:
[0027 ] GOA區(qū)域，包括GOA區(qū)域TFT結(jié)構(gòu)，及依次形成于所述GOA區(qū)域TFT結(jié)構(gòu)上方的第一絕緣層、第一電極層及第二絕緣層;所述第一電極層通過所述第一絕緣層上的第一過孔與所述GOA區(qū)域TFT結(jié)構(gòu)的柵線金屬層連接，所述第一電極層通過所述第一絕緣層上的第二過孔與所述GOA區(qū)域TFT結(jié)構(gòu)的數(shù)據(jù)線金屬層連接；
[0028]顯示區(qū)域，包括顯示區(qū)域TFT結(jié)構(gòu)，及依次形成于所述顯示區(qū)域TFT結(jié)構(gòu)上方的第一絕緣層及第二電極層;所述第二電極層通過所述第一絕緣層上的第三過孔與所述顯示區(qū)域TFT結(jié)構(gòu)的源漏極連接；
[0029]其中，所述第二絕緣層完全覆蓋所述第一電極層。
[0030]優(yōu)選地，所述第二絕緣層為光刻膠。
[0031 ]優(yōu)選地，所述GOA區(qū)域的第二絕緣層上方覆蓋有密封膠。
[0032]優(yōu)選地，所述第二電極層為像素電極。
[0033]第三方面，本發(fā)明提供了一種顯示裝置，包括上述任意一種陣列基板。
[0034]由上述技術(shù)方案可知，本發(fā)明實施例通過半色調(diào)掩膜板對光刻膠膠層進(jìn)行曝光顯影，使得陣列基板上的GOA區(qū)域電極層剩余光刻膠的厚度大于顯示區(qū)域電極層上剩余光刻膠的厚度，如此，對剩余光刻膠進(jìn)行灰化處理后，能夠保留GOA區(qū)域上方的部分光刻膠，以使光刻膠能夠覆蓋GOA區(qū)域上的過孔，對過孔區(qū)域形成保護(hù)。進(jìn)一步地，若將密封膠能夠涂覆在GOA區(qū)域上后，不會造成過孔與彩膜基板側(cè)的ITO電極層導(dǎo)通，從而為進(jìn)一步減小面板的邊框以形成TN型窄邊框顯示面板提供了可能。
[0035]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明只需使用半色調(diào)掩膜板作為ITOMask，無需增加額外的Mask就能夠?qū)崿F(xiàn)在GOA區(qū)域的過孔位置保留光刻膠而作為絕緣層，以隔離GOA區(qū)域的過孔與密封膠。
[0036]當(dāng)然，實施本發(fā)明的任一產(chǎn)品或方法并不一定需要同時達(dá)到以上所述的所有優(yōu)點。
【附圖說明】
[0037]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些圖獲得其他的附圖。
[0038]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中GOA區(qū)域典型的過孔設(shè)計的示意圖；
[0039]圖2是本發(fā)明一實施例提供的一種陣列基板的制作方法的流程示意圖；
[0040]圖3是本發(fā)明另一實施例提供的陣列基板中形成柵電極層及柵線金