實施例中，所述GOA區(qū)域的第二絕緣層16上方覆蓋有密封膠13，用于粘接陣列基板及彩膜基板。
[0119]另外，本發(fā)明實施例所提供的陣列基板可由上述任意一種陣列基板的制作方法制作得到，在此不再詳述。
[0120]基于同樣的發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明另一實施例提供了一種包括上述任意一種陣列基板的顯示裝置，該顯示裝置可以為:液晶顯示面板、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。該顯示裝置由于包括上述任意一種陣列基板的顯示裝置，因而可以解決同樣的技術(shù)問題，并取得相同的技術(shù)效果。
[0121]在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，術(shù)語“上”、“下”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接;可以是機(jī)械連接，也可以是電連接;可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內(nèi)部的連通。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。
[0122]還需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關(guān)系術(shù)語僅僅用來將一個實體或者操作與另一個實體或操作區(qū)分開來，而不一定要求或者暗示這些實體或操作之間存在任何這種實際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設(shè)備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。
[0123]以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其限制；盡管參照前述實施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換;而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實施例技術(shù)方案的精神和范圍。
【主權(quán)項】
1.一種陣列基板的制作方法，所述陣列基板包括顯示區(qū)域和GOA區(qū)域，其特征在于，該方法包括: 在襯底上形成顯示區(qū)域的薄膜晶體管TFT結(jié)構(gòu)，及所述GOA區(qū)域的TFT結(jié)構(gòu)； 在所述顯示區(qū)域的TFT結(jié)構(gòu)和所述GOA區(qū)域的TFT結(jié)構(gòu)上依次形成第一絕緣層、ITO層及光刻膠層； 采用半色調(diào)掩膜板，對所述光刻膠層進(jìn)行曝光顯影，并對所述ITO層進(jìn)行刻蝕，形成GOA區(qū)域電極層及顯示區(qū)域電極層;所述GOA區(qū)域電極層上剩余光刻膠的厚度大于所述顯示區(qū)域電極層上剩余光刻膠的厚度； 對剩余光刻膠進(jìn)行灰化處理，以完全去除所述顯示區(qū)域電極層上的光刻膠，及減薄所述GOA區(qū)域電極層上的光刻膠； 其中，所述GOA區(qū)域電極層通過第一過孔與柵線金屬層連接，所述GOA區(qū)域電極層通過第二過孔與數(shù)據(jù)線金屬層連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用半色調(diào)掩膜板，對所述光刻膠進(jìn)行曝光顯影，并對所述ITO層進(jìn)行刻蝕，形成GOA區(qū)域電極層及顯示區(qū)域電極層，包括: 采用半色調(diào)掩膜板，對所述光刻膠層進(jìn)行曝光，顯影后在所述GOA區(qū)域形成光刻膠完全去除區(qū)域和光刻膠完全保留區(qū)域，在所述顯示區(qū)域形成光刻膠完全去除區(qū)域和光刻膠部分保留區(qū)域； 對所述ITO層進(jìn)行刻蝕，在所述光刻膠完全保留區(qū)域形成所述GOA區(qū)域電極層，在所述光刻膠部分保留區(qū)域形成所述顯示區(qū)域電極層。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述半色調(diào)掩膜板包括:所述GOA區(qū)域電極層對應(yīng)的不透光子掩膜板、所述GOA區(qū)域除電極層外對應(yīng)的全透光子掩膜板、所述顯示區(qū)域電極層對應(yīng)的半透光子掩膜板以及所述顯示區(qū)域除電極層外對應(yīng)的全透光子掩膜板。4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項所述的方法，其特征在于，所述方法還包括: 在所述GOA區(qū)域電極層的光刻膠上方涂覆密封膠； 其中，所述密封膠用于粘接所述陣列基板與彩膜基板。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述顯示區(qū)域的TFT結(jié)構(gòu)和所述GOA區(qū)域的TFT結(jié)構(gòu)上依次形成第一絕緣層、ITO層及光刻膠層，包括: 在所述顯示區(qū)域的TFT結(jié)構(gòu)和所述GOA區(qū)域的TFT結(jié)構(gòu)上形成第一絕緣層； 在所述GOA區(qū)域，形成貫穿所述第一絕緣層及柵絕緣層且與柵線金屬層接觸的第一過孔，及形成貫穿所述第一絕緣層且與所述數(shù)據(jù)線金屬層接觸的第二過孔;以及在所述顯示區(qū)域，形成貫穿所述第一絕緣層且與源漏極接觸的第三過孔； 在所述第一過孔、所述第二過孔、所述第三過孔及所述第一絕緣層上依次形成ITO層及光刻膠層。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述顯示區(qū)域電極層為像素電極。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括: 采用退火工藝，對所述GOA區(qū)域電極層上剩余的光刻膠進(jìn)行熱固化。8.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括: GOA區(qū)域，包括GOA區(qū)域TFT結(jié)構(gòu)，及依次形成于所述GOA區(qū)域TFT結(jié)構(gòu)上方的第一絕緣層、第一電極層及第二絕緣層;所述第一電極層通過所述第一絕緣層上的第一過孔與所述GOA區(qū)域TFT結(jié)構(gòu)的柵線金屬層連接，所述第一電極層通過所述第一絕緣層上的第二過孔與所述GOA區(qū)域TFT結(jié)構(gòu)的數(shù)據(jù)線金屬層連接； 顯示區(qū)域，包括顯示區(qū)域TFT結(jié)構(gòu)，及依次形成于所述顯示區(qū)域TFT結(jié)構(gòu)上方的第一絕緣層及第二電極層；所述第二電極層通過所述第一絕緣層上的第三過孔與所述顯示區(qū)域TFT結(jié)構(gòu)的源漏極連接； 其中，所述第二絕緣層完全覆蓋所述第一電極層。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述第二絕緣層為光刻膠。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述GOA區(qū)域的第二絕緣層上方覆蓋有密封膠。11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述第二電極層為像素電極。12.—種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求8-11中任一項所述的陣列基板。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。其中，方法包括：在襯底上形成顯示區(qū)域的TFT結(jié)構(gòu)，及所述GOA區(qū)域的TFT結(jié)構(gòu)；在TFT結(jié)構(gòu)上依次形成第一絕緣層、ITO層及光刻膠層；采用半色調(diào)掩膜板，對所述光刻膠層進(jìn)行曝光顯影，并對所述ITO層進(jìn)行刻蝕，形成GOA區(qū)域電極層及顯示區(qū)域電極層；所述GOA區(qū)域電極層上剩余光刻膠的厚度大于所述顯示區(qū)域電極層上剩余光刻膠的厚度；對剩余光刻膠進(jìn)行灰化處理，以完全去除所述顯示區(qū)域電極層上的光刻膠，及減薄所述GOA區(qū)域電極層上的光刻膠。本發(fā)明實施例中光刻膠能夠?qū)OA區(qū)域上的過孔形成保護(hù)，從而為進(jìn)一步減小面板的邊框以形成TN型窄邊框顯示面板提供了可能。
【IPC分類】H01L21/77, H01L27/12
【公開號】CN105702685
【申請?zhí)枴緾N201610115048
【發(fā)明人】盧彥春, 蔣學(xué)兵
【申請人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 合肥鑫晟光電科技有限公司
【公開日】2016年6月22日
【申請日】2016年3月1日