有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]示例性實(shí)施例涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置和一種制造該有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。更具體而言，示例性實(shí)施例涉及一種能夠提高可視性的有機(jī)發(fā)光顯示裝置和一種制造該有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]由于平板顯示(FPD)裝置與傳統(tǒng)陰極射線管(CRT)顯示裝置相比既輕質(zhì)又薄，所以平板顯示裝置廣泛地用作各種電子裝置中的顯示裝置。平板顯示裝置的典型示例包括液晶顯示(IXD)裝置和有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置。與IXD裝置相比，OLED顯示裝置具有諸如更高的亮度和更寬的視角的許多優(yōu)點(diǎn)。由于OLED顯示裝置可以不使用背光，所以O(shè)LED顯示裝置可以比傳統(tǒng)IXD裝置薄。在OLED顯示裝置中，電子和空穴通過陰極和陽極注入到有機(jī)薄層中，然后在有機(jī)薄層中復(fù)合以產(chǎn)生激子。按照這種方式，可以發(fā)射特定波長的光。
[0003]近來，已經(jīng)開發(fā)出透明有機(jī)發(fā)光顯示裝置。透明有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以包括透明區(qū)和不透明區(qū)。在透明有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，當(dāng)有機(jī)發(fā)光顯示裝置處于接通(ON)狀態(tài)時(shí)，可以通過透明區(qū)識(shí)別出在有機(jī)發(fā)光顯示裝置的透明區(qū)的前方或后方的對(duì)象的圖像。在有機(jī)發(fā)光顯示裝置的斷開(OFF)狀態(tài)下，仍可以在有機(jī)發(fā)光顯示裝置的像素區(qū)中顯示圖像。
[0004]在現(xiàn)有的透明有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，由于晶體管和電容器位于不透明區(qū)中，所以因通過金屬布線的反射而引起的光可能入射到不透明區(qū)。因此，可能發(fā)生圖像的模糊。
[0005]在該【背景技術(shù)】部分公開的上述信息僅用于加強(qiáng)對(duì)發(fā)明構(gòu)思的背景的理解，因此，它可能包含不構(gòu)成在本國為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已經(jīng)知曉的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]不例性實(shí)施例提供了一種能夠提尚可視性的有機(jī)發(fā)光裝置。
[0007]示例性實(shí)施例還提供了一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。
[0008]本發(fā)明的附加特征將在下面的描述中進(jìn)行闡述，并且部分將通過描述變得清楚，或者可以通過本發(fā)明的實(shí)施而獲知。
[0009]一個(gè)示例性實(shí)施例公開了一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，該有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括:基底，包括發(fā)光區(qū)和透明區(qū)；第一晶體管，設(shè)置在發(fā)光區(qū)中；第二晶體管，設(shè)置在發(fā)光區(qū)中，并且鄰近于第一晶體管設(shè)置；電容器，設(shè)置在發(fā)光區(qū)中，鄰近于第一晶體管設(shè)置，并且包括第一電容器電極和與第一電容器電極疊置的第二電容器電極；像素限定層，設(shè)置在第一晶體管、第二晶體管以及電容器上，并且包括設(shè)置在發(fā)光區(qū)中的第一開口和設(shè)置在透明區(qū)中的第二開口，并且包含不透明材料。
[0010]一個(gè)示例性實(shí)施例還公開了一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，該方法包含如下步驟:在包括發(fā)光區(qū)和透明區(qū)的基底上設(shè)置緩沖層；在發(fā)光區(qū)中在緩沖層上設(shè)置第一晶體管、第二晶體管和電容器；在第一晶體管、第二晶體管和電容器上設(shè)置像素限定層。像素限定層包括設(shè)置在發(fā)光區(qū)中的第一開口和設(shè)置在透明區(qū)中的第二開口。像素限定層包含不透明材料。
[0011]將要理解的是，上面的一般的描述和下面的詳細(xì)描述是示例性和解釋性的，并意圖提供對(duì)所保護(hù)的發(fā)明的進(jìn)一步解釋。
【附圖說明】
[0012]附圖示出了發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，并與描述一起用于解釋發(fā)明構(gòu)思的原理，其中，所包括的附圖用來提供對(duì)發(fā)明構(gòu)思的進(jìn)一步理解，并且將附圖并入并構(gòu)成本說明書的一部分。
[0013]圖1是示出根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的平面圖。
[0014]圖2是沿圖1的線1-V截取的剖視圖。
[0015]圖3、圖4、圖5、圖6、圖7、圖8、圖9、圖10和圖11是示出制造圖2的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的剖視圖。
[0016]圖12是示出根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的剖視圖。
[0017]圖13、圖14和圖15是示出制造圖12的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的剖視圖。
[0018]圖16是示出根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的剖視圖。
[0019]圖17、圖18和圖19是示出制造圖16的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的剖視圖。
[0020]圖20是示出根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的剖視圖。
[0021]圖21、圖22和圖23是示出制造圖20的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的剖視圖。
[0022]圖24是示出根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的剖視圖。
[0023]圖25、圖26和圖27是示出制造圖24的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0024]以下參照附圖更充分地描述本發(fā)明，在附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以以許多不同的形式來實(shí)施，且不應(yīng)該被解釋為局限于這里所闡述的實(shí)施例。相反，這些實(shí)施例被提供為使得本公開將是徹底的和完整的，并將把本發(fā)明的范圍更充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚起見，會(huì)可以夸大層和區(qū)的尺寸和相對(duì)尺寸。
[0025]將理解的是，當(dāng)元件或?qū)颖环Q作“在”另一個(gè)元件或?qū)印吧稀薄ⅰ斑B接到”另一個(gè)元件或?qū)?、或者“結(jié)合到”另一個(gè)元件或?qū)訒r(shí)，該元件或?qū)涌梢灾苯釉诹硪粋€(gè)元件或?qū)由?、直接連接到另一個(gè)元件或?qū)印⒒蛘咧苯咏Y(jié)合到另一個(gè)元件或?qū)?，或者可以存在中間元件或中間層。相反，當(dāng)元件被稱作“直接在”另一個(gè)元件或?qū)印吧稀?、“直接連接到”另一個(gè)元件或?qū)印⒒蛘摺爸苯咏Y(jié)合到”另一個(gè)元件或?qū)訒r(shí)，不存在中間元件或中間層。同樣的附圖標(biāo)記始終指示同樣的元件。如在這里使用的，術(shù)語“和/或”包括一個(gè)或更多個(gè)相關(guān)所列項(xiàng)的任意組合和所有組合。
[0026]將理解的是，盡管在這里可使用術(shù)語第一、第二、第三等來描述各種元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)該受這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅用來將一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層或部分與另一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層或部分區(qū)分開。因此，在不脫離本發(fā)明的教導(dǎo)的情況下，下面討論的第一元件、組件、區(qū)域、層或部分可以被稱作第二元件、組件、區(qū)域、層或部分。
[0027]為了易于描述，這里可以使用諸如“在……下面”、“在……下方”、“下面的”、“在……上方”和“上面的”等空間相對(duì)術(shù)語，以描述如附圖中所示的一個(gè)元件或特征與其他元件或特征的關(guān)系。將理解的是，除了附圖中繪出的方位之外，空間相對(duì)術(shù)語還旨在包含裝置在使用中或操作中的不同方位。例如，如果將附圖中的裝置翻轉(zhuǎn)，則被描述為“在”其他元件“下方”或“下面”的元件將隨后被定位為“在”所述其他元件或特征“上方”。因此，示例性術(shù)語“在……下方”可以包含在……上方和在……下方兩種方位。裝置可以被另外定位(旋轉(zhuǎn)90度或者在其他方位)并且相應(yīng)地解釋這里使用的空間相對(duì)描述語。
[0028]這里使用的述語僅出于描述具體實(shí)施例的目的，且不意圖限制本發(fā)明。如這里所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數(shù)形式的“一個(gè)”、“一種”和“該”也意圖包括復(fù)數(shù)形式。還將理解的是，這里使用的術(shù)語“包括”和/或“包含”表示存在所陳述的特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件它們的組，但不排除存在或添加一個(gè)或更多個(gè)其他特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。
[0029]在此參照作為本發(fā)明的理想實(shí)施例(和中間結(jié)構(gòu))的示意圖的圖來描述本發(fā)明的實(shí)施例。如此，預(yù)計(jì)將出現(xiàn)例如由制造技術(shù)和/或公差引起的圖示的形狀的變化。因此，本發(fā)明的實(shí)施例不應(yīng)被解釋為限制于這里示出的區(qū)域的具體形狀，而是要包括由例如制造引起的形狀的偏差。例如，示出為矩形的注入?yún)^(qū)將通常在其邊緣具有圓形或彎曲的特征和/或注入濃度的梯度，而不是從注入?yún)^(qū)到非注入?yún)^(qū)的二元變化。同樣地，通過注入形成的埋區(qū)可能在埋區(qū)與注入發(fā)生所通過的表面之間的區(qū)域中引起一些注入。因此，在圖中示出的區(qū)域本質(zhì)上是示意性的，并且它們的形狀不是意圖示出裝置的區(qū)域的實(shí)際形狀且不意圖限制本發(fā)明的范圍。
[0030]除非另有定義，否則這里使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語)具有與本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所通常理解的意思相同的意思。將進(jìn)一步理解的是，除非這里明確定義，否則術(shù)語(例如在通用的字典中定義的術(shù)語)應(yīng)該被解釋為具有與相關(guān)領(lǐng)域的上下文中它們的意思相一致的意思，而不是理想地或者過于正式地解釋它們的意思。
[0031 ] 以下，將參照附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明。
[0032]圖1是示出根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的平面圖。圖2是沿圖1的線1-1r截取的剖視圖。
[0033]參照?qǐng)D1和圖2，根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以包括發(fā)光區(qū)II和透明區(qū)III。像素60、70和80可以位于發(fā)光區(qū)II中，透明窗口 90可以位于透明區(qū)III中。例如，像素60可以為發(fā)射紅色的像素，像素70可以為發(fā)射綠色的像素，像素80可以為發(fā)射藍(lán)色的像素。透明窗口 90可以透射外部光。在此，布線或線(例如，數(shù)據(jù)線、掃描線、供電電極等)和絕緣層(例如，像素限定層、VIA層等)可以設(shè)置在圍繞像素60、70和80與透明窗口 90的區(qū)域(例如，無效區(qū))中。
[0034]有機(jī)發(fā)光顯示裝置100可以包括基底110、驅(qū)動(dòng)晶體管TR1、開關(guān)晶體管TR2、存儲(chǔ)電容器CAP、供電電極280、緩沖層130、絕緣中間層170、柵絕緣層210、第一絕緣層250、第二絕緣層330、第一電極350、像素限定層370、透明窗口 380、發(fā)射層390、第二電極410等。在示例性實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光顯示裝置100可以包括發(fā)光區(qū)II和透明區(qū)III。驅(qū)動(dòng)晶體管TRl、開關(guān)晶體管TR2、存儲(chǔ)電容器CAP、供電電極280、第二絕緣層330、第一電極350和發(fā)射層390可以位于發(fā)光區(qū)II中。透明窗口 380可以位于透明區(qū)III中。在示例性實(shí)施例中，可以在發(fā)光區(qū)II中顯示圖像，并且可以在透明區(qū)III中透射位于與有機(jī)發(fā)光顯示裝置100相對(duì)的對(duì)象或圖像。
[0035]基底110可以包括透明無機(jī)材料或柔性塑料。例如，基底110可以包括玻璃基底、石英基底等?？商娲兀?10可以包括柔性透明樹脂基底。在此，用于基底110的柔性透明樹脂基底可以包括聚酰亞胺基底。例如，聚酰亞胺基底可以包括第一聚酰亞胺層、阻擋膜層、第二聚酰亞胺層等。
[0036]在一些示例性實(shí)施例中，基底110可以具有在玻璃基底上堆疊第一聚酰亞胺層、阻擋膜層和第二聚酰亞胺層的結(jié)構(gòu)。在此，在將絕緣層設(shè)置在第二聚酰亞胺層上之后，包括發(fā)光結(jié)構(gòu)(例如，驅(qū)動(dòng)晶體管TR1、開關(guān)晶體管TR2、存儲(chǔ)電容器CAP、供電電極280、第一電極350、發(fā)射層390、第二電極410等)的上部結(jié)構(gòu)可以設(shè)置在絕緣層上。在將上部結(jié)構(gòu)形成在絕緣層上之后，可以去除玻璃基底。由于聚酰亞胺基底較薄且柔性，所以難以直接在聚酰亞胺基底上形成上部結(jié)構(gòu)。因此，在剛性玻璃基底上形成上部結(jié)構(gòu)，然后在除去玻璃基底之后，聚酰亞胺基底可以代替剛性玻璃基底110。由于有機(jī)發(fā)光顯示裝置100可以包括發(fā)光區(qū)II和透明區(qū)III，所以基底110也可以包括發(fā)光區(qū)II和透明區(qū)III。
[0037]緩沖層130可以設(shè)置在基底110上。如圖2所示，緩沖層130可以從發(fā)光區(qū)II延伸到透明區(qū)III中。緩沖層130可以防止來自基底110的金屬原子和/或雜質(zhì)的擴(kuò)散(例如，排氣)。緩沖層130也可以控制用于形成第一有源圖案150和第二有源圖案160的結(jié)晶工藝中的熱傳遞的速率，從而獲得基本均勻的第一有源圖案150和第二有源圖案160。
[0038]此外，當(dāng)基底110的表面相對(duì)不規(guī)則時(shí)，緩沖層130可以改善基底110的表面平坦度。例如，緩沖層130可以包括氮化硅、氧化硅等。在一些示例性實(shí)施例中，根據(jù)基底105的類型，可以在基底105上僅設(shè)置一個(gè)緩沖層或不設(shè)置緩沖層。當(dāng)緩沖層130包括氧化硅時(shí)，穿透有機(jī)發(fā)光顯示裝置100的透明區(qū)III的外部光可以透射通過緩沖層130。
[0039]在一些示例性實(shí)施例中，根據(jù)基底110的類型，可以在基底110上設(shè)置兩個(gè)或更多個(gè)緩沖層，或者可以根本不包括緩沖層。
[0040]驅(qū)動(dòng)晶體管TRl可以設(shè)置在緩沖層130上。在示例性實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)晶體管TRl可以包括第一有源圖案150、絕緣中間層170、第一柵極180、柵絕緣層210、第一絕緣層250、第一源極(供電電極280的部分)、第一漏極290等。在此，第一源極