可以連接到供電電極280，并且可以對第一源極施加高供電電壓ELVDD。例如，有機發(fā)光顯示裝置100可以包括供電電極280 (例如，高供電電極)和低供電電極(未示出)?？梢詫╇婋姌O280提供高供電電壓ELVDD，可以對低供電電極提供低供電電壓ELVSS。
[0041]開關(guān)晶體管TR2可以設(shè)置在緩沖層130上。在示例性實施例中，開關(guān)晶體管TR2可以包括第二有源圖案160、絕緣中間層170、第二柵極190、柵絕緣層210、第一絕緣層250、第二源極300、第二漏極310等。
[0042]存儲電容器CAP可以設(shè)置在絕緣中間層170上。在示例性實施例中，存儲電容器CAP可以包括第一電容器電極200、柵絕緣層210、第二電容器電極230等。在此，第二電容器電極230可以連接到供電電極280，可以對第二電容器電極230施加高供電電壓ELVDD。
[0043]在示例性實施例中，驅(qū)動晶體管TRl和開關(guān)晶體管TR2可以位于發(fā)光區(qū)II中。在驅(qū)動晶體管TRl和開關(guān)晶體管TR2中，第一有源圖案150和第二有源圖案160可以設(shè)置成在緩沖層130上在發(fā)光區(qū)II中彼此分隔開預(yù)定距離。第一有源圖案150和第二有源圖案160中的每個可以為半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件可以包括包含氧化物半導(dǎo)體、無機半導(dǎo)體(包括非晶硅、多晶硅等)、有機半導(dǎo)體等的有源層。絕緣中間層170可以設(shè)置在緩沖層130上。絕緣中間層17可以覆蓋第一有源圖案150和第二有源圖案160，并且可以延伸到透明區(qū)III中。絕緣中間層170可以包括娃化合物、金屬氧化物等。在示例性實施例中，絕緣中間層170可以包括氧化硅。在一些示例性實施例中，絕緣中間層170可以包括與緩沖層130的材料基本上相同的材料。在該情況下，由于絕緣中間層170和緩沖層130在透明區(qū)III中可以形成為相同的材料，所以絕緣中間層170和緩沖層130可以具有相同的折射率。因此，可以改善在透明區(qū)III中的光透射率。
[0044]第一柵極180可以設(shè)置在其下方設(shè)有第一有源圖案150的絕緣中間層170上。第二柵極190可以設(shè)置在其下方設(shè)有第二有源圖案160的絕緣中間層170上。第一柵極180和第二柵極190中的每個可以包括例如金屬、合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等。
[0045]第一電容器電極200可以設(shè)置在絕緣中間層170上。第一電容器電極200可以與第一柵極180分隔開預(yù)定距離。第一電容器電極200、第一柵極180和第二柵極190可以包括基本上相同的材料。然而，在一些不例性實施例中，第一電容器電極200、第一柵極180和第二柵極190中的每個可以包括不同的材料。
[0046]柵絕緣層210可以設(shè)置在絕緣中間層170、第一電容器電極200、第一柵極180和第二柵極190上。柵絕緣層210可以覆蓋第一電容器電極200、第一柵極180和第二柵極190，并且可以延伸到透明區(qū)III中。柵絕緣層210可以包括硅化合物、金屬氧化物等。在一些示例性實施例中，柵絕緣層210可以包括氧化娃。在示例性實施例中，柵絕緣層210可以包括與緩沖層130和絕緣中間層170的材料基本上相同的材料。在該情況下，由于柵絕緣層210、絕緣中間層170和緩沖層130在透明區(qū)III中可以形成為相同的材料，所以柵絕緣層210、絕緣中間層170和緩沖層130可以具有相同的折射率。因此，可以改善在透明區(qū)III中的光透射率。
[0047]第二電容器電極230可以設(shè)置在其下方設(shè)有第一電容器電極200的柵絕緣層210上。第二電容器電極230可以包括與第一柵極180、第二柵極190和第一電容器電極200的材料基本上相同的材料。然而，在一些示例性實施例中，第二電容器電極230、第一柵極180、第二柵極190和第一電容器電極200中的每個可以包括不同的材料。
[0048]第一絕緣層250可以設(shè)置在柵絕緣層210和第二電容器電極230上。第一絕緣層250可以覆蓋第二電容器電極230，并且可以延伸到透明區(qū)III中。例如，第一絕緣層250可以包括硅化合物、金屬氧化物等。在示例性實施例中，第一絕緣層250可以包括氧化硅。在一些示例性實施例中，第一絕緣層250可以包括與柵絕緣層210、緩沖層130和絕緣中間層170的材料基本上相同的材料。在該情況下，由于第一絕緣層250、柵絕緣層210、絕緣中間層170和緩沖層130可以在透明區(qū)III中形成為相同的材料，所以第一絕緣層250、柵絕緣層210、絕緣中間層170和緩沖層130可以具有相同的折射率。因此，可以改善在透明區(qū)III中的光透射率。因此，可以提高位于與有機發(fā)光顯示裝置100相對的對象或圖像的清晰度。第一絕緣層250的厚度可以基本上大于柵絕緣層210的厚度。在示例性實施例中，由于相對地增大了第一絕緣層250的厚度，所以可以減少在供電電極280和第二電容器電極230之間產(chǎn)生的耦合現(xiàn)象。
[0049]供電電極280、驅(qū)動晶體管TRl的第一源極、驅(qū)動晶體管TRl的第一漏極290、開關(guān)晶體管TR2的第二源極300、開關(guān)晶體管TR2的第二漏極310、第二絕緣層330的一部分以及第一電極350的一部分可以設(shè)置在第一絕緣層250的發(fā)光區(qū)II中。像素限定層370的一部分和第二電極410的一部分可以設(shè)置在第一絕緣層250的透明區(qū)III上。
[0050]第一源極和第一漏極290可以通過去除第一絕緣層250的一部分、柵絕緣層210的一部分和絕緣中間層170的一部分接觸到第一有源圖案150。第一源極和第一漏極290中的每個可以包括金屬、合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等中的至少一種。
[0051]第二源極300和第二漏極310可以通過去除第一絕緣層250的一部分、柵絕緣層210的一部分和絕緣中間層170的一部分接觸到第二有源圖案160。第二源極300和第二漏極310中的每個可以包括與第一源極和第一漏極290的材料基本上相同的材料。
[0052]供電電極280可以通過去除第一絕緣層250的一部分電接觸到第二電容器電極230，并且可以通過去除第一絕緣層250的一部分、柵絕緣層210的一部分和絕緣中間層170的一部分電接觸到第一有源圖案150。施加到供電電極280的高供電電壓ELVDD可以供給到第二電容器電極230和第一有源圖案150。供電電極280可以包括與第一漏極290、第二源極300和第二漏極310的材料基本上相同的材料。
[0053]第二絕緣層330可以覆蓋第一源極、第一漏極290、第二源極300和第二漏極310?？梢栽O(shè)置第二絕緣層330使得第二絕緣層330與供電電極280的一部分疊置。供電電極280的至少一部分可以通過第二絕緣層330暴露。第二絕緣層330可以包括無機材料。例如，第二絕緣層330可以包括諸如氧化娃(S1x)、氮化娃(SiNx)、氮氧化娃(S1xNy)、碳氧化硅(S1xCy)、碳氮化硅(SiCxNy)等的硅化合物中的至少一種。在一些示例性實施例中，第二絕緣層330可以包括有機材料。例如，第二絕緣層330可以包括聚酰亞胺類樹脂、光致抗蝕劑、丙烯酸類樹脂、聚酰胺類樹脂、硅氧烷類樹脂等中的至少一種。
[0054]第一電極350在發(fā)光區(qū)II中可以設(shè)置在第一絕緣層250的一部分、供電電極280的一部分和第二絕緣層330的一部分上。在示例性實施例中，可以設(shè)置第一電極350使得沿供電電極280和第二絕緣層330的輪廓具有基本上均勻的厚度。
[0055]第一電極350可以包括金屬、合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等。例如，第一電極350可以包括鋁(Al)、鋁合金、氮化鋁(AlNx)Jg (Ag)、銀合金、鎢(W)、氮化鎢(WNx)J (Cu)、銅合金、鎳(Ni)、鉻(Cr)、氮化鉻(CrNx)、鉬(Mo)、鉬合金、鈦(Ti)、氮化鈦(TiNx)、鈾(Pt)、鉭(Ta)、氮化鉭(TaNx)、釹(Nd)、鈧(Sc)、氧化鍶釕(SRO)、氧化鋅(ZnOx)、氧化銦錫(ITO)、氧化錫(SnOx)、氧化銦(InOx)、氧化鎵(GaOx)、氧化銦鋅(IZO)等中的至少一種。
[0056]像素限定層370可以設(shè)置在第一電極350、第二絕緣層330的一部分以及第一絕緣層250的一部分上。像素限定層370可以包括第一開口和第二開口。在發(fā)光區(qū)II中，像素限定層370的第一開口可以位于設(shè)置在第二絕緣層330上的第一電極350的一部分中。發(fā)射層390可以設(shè)置在第一開口中。像素限定層370的第二開口可以位于透明區(qū)III中。第二開口可以限定為透明窗口 380。像素限定層370可以包括單獨或組合使用的有機材料或無機材料。在一些示例性實施例中，像素限定層370可以包括與第二絕緣層330的材料基本上相同的材料。
[0057]在示例性實施例中，像素限定層370可以包括不透明材料。例如，像素限定層370可以包括諸如氧化鋯(ZrOx)和/或氧化鈦(T1x)的白色不透明材料。因此，像素限定層370可以阻擋由于因金屬布線的反射而引起的光。S卩，像素限定層370可以阻擋入射到發(fā)光區(qū)II中的光，因此，可不發(fā)生圖像的模糊。
[0058]然而，示例性實施例并不限于此。像素限定層370可以包括各種顏色的有機材料。例如，像素限定層370可以包括具有紅色、綠色或藍(lán)色的不透明有機材料。
[0059]發(fā)射層390可以設(shè)置在通過像素限定層370的第一開口暴露的第一電極350上。發(fā)射層390可以使用能夠產(chǎn)生不同顏色的光(例如，紅色光、藍(lán)色光和綠色光)的發(fā)光材料來形成。在一些示例性實施例中，發(fā)射層390可以通過堆疊能夠產(chǎn)生諸如紅色光、綠色光、藍(lán)色光等的不同的顏色光的多種發(fā)光材料而總體產(chǎn)生白色光。
[0060]第二電極410可以設(shè)置在像素限定層370、發(fā)射層390和第一絕緣層250上。第二電極410可以沿像素限定層370、發(fā)射層390和第一絕緣層250的輪廓設(shè)置為基本上均勻的厚度。第二電極410可以通過像素限定層370的第二開口接觸第一絕緣層250的一部分，并且可以延伸到透明區(qū)III中。即，第二電極410可以延伸到第二開口中。在示例性實施例中，第二電極410可以包括透明導(dǎo)電材料。例如，第二電極410可以包括ΙΤ0、SnOx、InOx、Ga0x、IZ0等。因此，位于透明區(qū)III中的第二電極410基本上不會減小透明區(qū)III的透射率。在一些示例性實施例中，第二電極410可以包括與第一電極350的材料基本上相同的材料。
[0061]圖3至圖11是示出制造圖2的有機發(fā)光顯示裝置的方法的剖視圖。
[0062]參照圖3，在基底110上形成緩沖層130。此后，在緩沖層130上形成第一有源圖案150和第二有源圖案160。
[0063]緩沖層130可以從發(fā)光區(qū)II延伸到透明區(qū)III中。緩沖層130可以防止來自基底110的金屬原子和/或雜質(zhì)的擴散(例如，排氣)。在一些示例性實施例中，緩沖層130可以控制用于形成第一有源圖案150和第二有源圖案160的結(jié)晶過程中的熱傳遞的速率，從而獲得基本均勻的第一有源圖案150和第二有源圖案160。
[0064]當(dāng)基底110的表面相對不規(guī)則時，緩沖層130可以改善基底110的表面平坦度。例如，緩沖層130可以包括氮化硅、氧化硅等。在一些示例性實施例中，根據(jù)用于基底105的材料的類型，可以在基底105上僅設(shè)置一個緩沖層或不設(shè)置緩沖層。當(dāng)緩沖層130包括氧化硅，可以通過緩沖層130透射穿透到有機發(fā)光顯示裝置100的透明區(qū)III的外部光。
[0065]在一些示例性實施例中，根據(jù)用于基底110的材料的類型，可以在基底110上設(shè)置至少兩個緩沖層，或者可以不包括緩沖層。
[0066]第一有源圖案150和第二有源圖案160可以在發(fā)光區(qū)II中位于緩沖層130上。第二有源圖案160可以沿第一方向與第一有源圖案150分隔開。第一有源圖案150和第二有源圖案160中的每個可以包括包含硅或氧化物半導(dǎo)體的材料。
[0067]參照圖4，在其上形成有緩沖層130的基底110上形成絕緣中間層170。其后，在絕緣中間層170上形成第一柵極180、第二柵極190和第一電容器電極200。
[0068]絕緣中間層170可以設(shè)置在緩沖層130上。絕緣中間層170可以覆蓋第一有源圖案150和第