晶圓托盤結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型為一種晶圓托盤結(jié)構(gòu)，特別為一種可提升晶圓片的散熱效率與溫度均勻性的晶圓托盤結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體制造過程中，公知晶圓托盤常會遇到散熱效果不佳或不均勻的問題。晶圓片在歷經(jīng)一段加工制造過程后，會產(chǎn)生吸熱溫升現(xiàn)象，此時晶圓片的高溫必須獲得適當?shù)睦鋮s降溫，否則將會產(chǎn)生形變而影響其表面平坦度，進而影響了晶圓產(chǎn)出的良率。
[0003]如圖1所示，其為公知的一種晶圓托盤結(jié)構(gòu)的立體示意圖。公知的晶圓托盤結(jié)構(gòu)100主要是由托盤本體10與多個晶圓平臺12所組成。晶圓平臺12凸出形成于托盤本體10的表面11上。晶圓平臺12的容置面13上形成有氣孔14。氣孔14的功用是在制造過程進行中，可以自氣孔14通入冷卻氣體，做為溫度傳導(dǎo)的介質(zhì)，使得置于晶圓平臺12上方的晶圓片的高溫能獲得適當?shù)睦鋮s降溫。
[0004]然而，在半導(dǎo)體制造過程中，常會遇到一個問題就是，距離托盤本體10的中心點15越近的晶圓平臺其溫度就越高，例如晶圓平臺12A的溫度會比晶圓平臺12B的溫度還要高，導(dǎo)致在散熱過程中晶圓片會有散熱不均勻的現(xiàn)象。
[0005]因此，一種可解決散熱過程中導(dǎo)致晶圓片會有散熱不均勻的創(chuàng)新晶圓托盤結(jié)構(gòu)便有應(yīng)運而生的急迫需求。
[0006]有鑒于上述現(xiàn)有的晶圓托盤結(jié)構(gòu)存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品設(shè)計制造多年豐富的實務(wù)經(jīng)驗及專業(yè)知識，并配合學(xué)理的運用，積極加以研宄創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新型的晶圓托盤結(jié)構(gòu)，能夠改進一般現(xiàn)有的晶圓托盤結(jié)構(gòu)，使其更具有實用性。經(jīng)過不斷的研宄、設(shè)計，并經(jīng)反復(fù)試作樣品及改進后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實用價值的本實用新型。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本實用新型的目的在于，克服現(xiàn)有的晶圓托盤結(jié)構(gòu)存在的缺陷，而提供一種新型的晶圓托盤結(jié)構(gòu)，所要解決的技術(shù)問題是使其在晶圓片進行散熱過程時，使得置于托盤本體的不同區(qū)域上的晶圓片獲得不同的散熱效率，以解決位于不同位置的晶圓平臺上的晶圓片之間會有散熱不均勻的問題，從而更加適于實用。本實用新型的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下的技術(shù)方案來實現(xiàn)的。依據(jù)本實用新型提出的一種晶圓托盤結(jié)構(gòu)，其包括:托盤本體，具有表面，該表面上定義有第一區(qū)域及第二區(qū)域，該第一區(qū)域是以該托盤本體的任一點為圓心的圓形區(qū)域，該第二區(qū)域是圍繞于該圓形區(qū)域外側(cè)的同心環(huán)形區(qū)域；至少一個第一晶圓平臺，凸出形成于該表面上且位于該第一區(qū)域內(nèi)，該第一晶圓平臺的容置面上形成有至少一個第一氣孔；以及多個第二晶圓平臺，凸出形成于該表面上且位于該第二區(qū)域內(nèi)，每一個該第二晶圓平臺的容置面上形成有至少一個第二氣孔；其中，該第一區(qū)域內(nèi)的該第一氣孔的總面積大于該第二區(qū)域內(nèi)的該第二氣孔的總面積。
[0008]本實用新型的目的以及解決其技術(shù)問題還可以采用以下的技術(shù)措施來進一步實現(xiàn)。
[0009]前述的晶圓托盤結(jié)構(gòu)，其中所述的第一區(qū)域的圓心為該托盤本體的中心點。
[0010]前述的晶圓托盤結(jié)構(gòu)，其中所述的第一氣孔的孔徑大于該第二氣孔的孔徑。
[0011]前述的晶圓托盤結(jié)構(gòu)，其中所述的第一晶圓平臺的容置面形成有多個第一氣孔時，所述的第一氣孔的數(shù)量多于第二氣孔的數(shù)量。
[0012]前述的晶圓托盤結(jié)構(gòu)，其中所述的第二晶圓平臺的容置面形成有多個第二氣孔。
[0013]前述的晶圓托盤結(jié)構(gòu)，其中所述的第一氣孔的孔徑等于第二氣孔的孔徑，且所述的第一晶圓平臺的容置面形成有多個第一氣孔時，所述的第一氣孔的數(shù)量多于第二氣孔的數(shù)量。
[0014]本實用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點和有益效果。借由上述技術(shù)方案，本實用新型晶圓托盤結(jié)構(gòu)可達到相當?shù)募夹g(shù)進步性及實用性，并具有產(chǎn)業(yè)上的廣泛利用價值，借由本實用新型的實施，可達到下列進步功效:
[0015]一、提升晶圓片的降溫效率。
[0016]二、使晶圓片的散熱效果均勻。
[0017]為了使任何熟習相關(guān)技藝者了解本實用新型的技術(shù)內(nèi)容并據(jù)以實施，且根據(jù)本說明書所揭露的內(nèi)容、權(quán)利要求范圍及圖式，任何熟習相關(guān)技藝者可輕易地理解本實用新型相關(guān)的目的及優(yōu)點，因此將在實施方式中詳細敘述本實用新型的詳細特征以及優(yōu)點。
【附圖說明】
[0018]圖1為公知的一種晶圓托盤結(jié)構(gòu)的立體示意圖；
[0019]圖2為本實用新型第一實施例一種晶圓托盤結(jié)構(gòu)的立體示意圖；
[0020]圖3為本實用新型第二實施例一種晶圓托盤結(jié)構(gòu)的立體示意圖；
[0021]圖4為本實用新型第三實施例一種晶圓托盤結(jié)構(gòu)的立體示意圖；以及
[0022]圖5為本實用新型第四實施例一種晶圓托盤結(jié)構(gòu)的立體示意圖。
[0023]【主要組件符號說明】
[0024]100、200:晶圓托盤結(jié)構(gòu)
[0025]10,20:托盤本體
[0026]11、21:表面
[0027]12、12A、12B:晶圓平臺
[0028]13、23A、23B:容置面
[0029]14:氣孔
[0030]15、25:中心點
[0031]21:表面
[0032]22A:第一晶圓平臺
[0033]22B:第二晶圓平臺
[0034]24A、28:第一氣孔
[0035]24B、29:第二氣孔
[0036]26:第一區(qū)域
[0037]27:第二區(qū)域
【具體實施方式】
[0038]以下各實施例和圖式使用相同標號代表相同或類似構(gòu)件，因此對于重復(fù)構(gòu)件不再贅述。
[0039]如圖2所示，本實用新型第一實施例為一種晶圓托盤結(jié)構(gòu)200，其包括有:托盤本體20、至少一個第一晶圓平臺22A及多個第二晶圓平臺22B。托盤本體20具有表面21，表面21上定義有第一區(qū)域26及第二區(qū)域27，第一區(qū)域26是以托盤本體20的任一點為圓心的圓形區(qū)域，第二區(qū)域27是圍繞于圓形區(qū)域外側(cè)的同心環(huán)形區(qū)域。
[0040]第一晶圓平臺22A凸出形成于表面21上且位于第一區(qū)域26內(nèi)，第一晶圓平臺22A的容置面23A上形成有至少一個第一氣孔24A。第二晶圓平臺22B凸出形成于表面21上且位于第二區(qū)域27內(nèi)，且第二晶圓平臺22B的容置面23B上形成有至少一個第二氣孔24B。其中，第一區(qū)域26內(nèi)的第一氣孔24A的總面積大于第二區(qū)域27內(nèi)的第二氣孔24B的總面積。
[0041]在本實施例中，較佳的是，第一區(qū)域26的圓心為托盤本體20的中心點25。此外，第一氣孔24A的孔徑等于第二氣孔24B的孔徑，第一晶圓平臺22A的容置面23A上形成有多個第一氣孔24A，且第一氣孔24A的數(shù)量多于第二氣孔24B的數(shù)量。
[0042]在本實施例與圖式中，第一晶圓平臺22k的容置面23A上形成有5個第一氣孔24A，第二晶圓平臺22B的容置面23B上形成有I個第