二氣孔24B，然而氣孔數(shù)量并不限制于此，例如第一晶圓平臺(tái)22k的容置面23A上可形成10個(gè)第一氣孔24A，第二晶圓平臺(tái)22B的容置面23B上可形成3個(gè)第二氣孔24B，只要使第一區(qū)域26內(nèi)的第一氣孔24A的總面積大于第二區(qū)域27內(nèi)的第二氣孔24B的總面積即可。
[0043]由于本實(shí)施例在第一區(qū)域26內(nèi)的第一晶圓平臺(tái)22A的容置面23A上設(shè)置的第一氣孔24A的數(shù)量多于第二區(qū)域27內(nèi)的第二晶圓平臺(tái)22B的容置面23B上設(shè)置的第二氣孔24B的數(shù)量，因此在晶圓片進(jìn)行散熱過程時(shí)，可經(jīng)由第一氣孔24A通入較多的冷卻氣體，使得置于第一晶圓平臺(tái)22A上方的晶圓片的高溫能更快速獲得冷卻降溫。
[0044]如圖3所示，其為本實(shí)用新型第二實(shí)施例的晶圓托盤結(jié)構(gòu)的立體示意圖，在本實(shí)施例中與第一實(shí)施例相同的結(jié)構(gòu)不再多加贅述。第二實(shí)施例中第一晶圓平臺(tái)22A的容置面23A上形成有至少一個(gè)第一氣孔28，第二晶圓平臺(tái)22B的容置面上則形成有至少一個(gè)第二氣孔29，其中第一氣孔28的孔徑大于第二氣孔29的孔徑，以使得第一區(qū)域26內(nèi)的第一氣孔28的總面積大于第二區(qū)域27內(nèi)的第二氣孔29的總面積。
[0045]在本實(shí)施例與圖式中，第一晶圓平臺(tái)22A的容置面23A上形成有I個(gè)第一氣孔28，第二晶圓平臺(tái)22B的容置面23B上形成有I個(gè)第二氣孔29，然而氣孔數(shù)量并不限制于此，第一氣孔28及第二氣孔29的數(shù)量皆可為多個(gè)，且第一氣孔28的數(shù)量多于第二氣孔29的數(shù)量，使得第一氣孔28的總面積大于第二氣孔29的總面積。例如第一晶圓平臺(tái)22A的容置面23A上可形成5個(gè)第一氣孔28，第二晶圓平臺(tái)22B的容置面23B上可形成2個(gè)第二氣孔29，因第一氣孔28的孔徑大于第二氣孔29的孔徑，使得第一區(qū)域26內(nèi)的第一氣孔28的總面積大于第二區(qū)域27內(nèi)之第二氣孔29的總面積。
[0046]由于本實(shí)施例在第一區(qū)域26內(nèi)的第一晶圓平臺(tái)22k的容置面23A上設(shè)置的第一氣孔28的孔徑大于第二區(qū)域27內(nèi)之第二晶圓平臺(tái)22B的容置面23B上設(shè)置的第二氣孔29的孔徑，因此在晶圓進(jìn)行散熱過程時(shí)，可經(jīng)由第一氣孔28通入較多的冷卻氣體，使得置于第一晶圓平臺(tái)22A上方之晶圓片的高溫能更快速獲得冷卻降溫。
[0047]如圖4所示，其為本實(shí)用新型第三實(shí)施例一種晶圓托盤結(jié)構(gòu)200。本實(shí)施例晶圓托盤結(jié)構(gòu)200與第二實(shí)施例晶圓托盤結(jié)構(gòu)200相類似，差異在于本實(shí)施例在第一晶圓平臺(tái)22A的容置面23A上形成有多個(gè)第一氣孔28 (例如4個(gè)氣孔)，且第一氣孔28的孔徑大于第二氣孔29的孔徑，使得第一區(qū)域26內(nèi)的第一氣孔28的總面積大于第二區(qū)域27內(nèi)的第二氣孔29的總面積。
[0048]如圖5所示，其為本實(shí)用新型第四實(shí)施例一種晶圓托盤結(jié)構(gòu)200，本實(shí)施例晶圓托盤結(jié)構(gòu)200與第三實(shí)施例晶圓托盤結(jié)構(gòu)200相類似，差異在于本實(shí)施例在第一晶圓平臺(tái)22A的容置面23A上形成的多個(gè)第一氣孔28的孔徑小于第二氣孔29的孔徑，但第一氣孔28的數(shù)量大于第二氣孔29的數(shù)量，使得第一區(qū)域26內(nèi)的第一氣孔28的總面積大于第二區(qū)域27內(nèi)第二氣孔29的總面積。
[0049]在上述各實(shí)施例中，以托盤本體的圓心為中心點(diǎn)向外延伸分為第一區(qū)域與第二區(qū)域?yàn)槔徊⒉幌抻谥荒芊譃閮蓚€(gè)區(qū)域，例如也可以在表面上定義出第三區(qū)域?yàn)閲@于第二區(qū)域的同心環(huán)形區(qū)域，并使第二區(qū)域內(nèi)的第二氣孔的總面積大于第三區(qū)域內(nèi)的第三氣孔的總面積。
[0050]此外，第一晶圓平臺(tái)22A及第二晶圓平臺(tái)22B可以是與托盤本體20 —體成型，也可以是托盤本體20形成之后再固設(shè)第一晶圓平臺(tái)22A及第二晶圓平臺(tái)22B于托盤本體20之上。此外，托盤本體20、第一晶圓平臺(tái)22A及第二晶圓平臺(tái)22B可以是由金屬材質(zhì)、合金材質(zhì)或金屬化合物材質(zhì)所制成。
[0051]總而言之，如以上各實(shí)施例所述，晶圓托盤結(jié)構(gòu)中第一區(qū)域內(nèi)的第一氣孔的總面積大于第二區(qū)域內(nèi)的第二氣孔的總面積，因此在晶圓片進(jìn)行散熱過程時(shí)，可經(jīng)由第一氣孔通入較多的冷卻氣體，使得置于第一晶圓平臺(tái)上方的晶圓片的高溫能更快速獲得冷卻降溫，進(jìn)而可解決各晶圓片之間會(huì)有散熱不均勻的問題。
[0052]上述各實(shí)施例用以說明本實(shí)用新型的特點(diǎn)，其目的在使熟習(xí)該技術(shù)者能了解本實(shí)用新型的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，而非限定本實(shí)用新型的專利范圍，故凡其他未脫離本實(shí)用新型所揭示的精神而完成的等效修飾或修改，仍應(yīng)包含在以上所述的權(quán)利要求范圍中。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種晶圓托盤結(jié)構(gòu)，其特征在于，其包括: 托盤本體，具有表面，該表面上形成有第一區(qū)域及第二區(qū)域，該第一區(qū)域是以該托盤本體的任一點(diǎn)為圓心的圓形區(qū)域，該第二區(qū)域是圍繞于該圓形區(qū)域外側(cè)的同心環(huán)形區(qū)域；至少一個(gè)第一晶圓平臺(tái)，凸出形成于該表面上且位于該第一區(qū)域內(nèi)，該第一晶圓平臺(tái)的容置面上形成有至少一個(gè)第一氣孔；以及 多個(gè)第二晶圓平臺(tái)，凸出形成于該表面上且位于該第二區(qū)域內(nèi)，每一個(gè)該第二晶圓平臺(tái)的容置面上形成有至少一個(gè)第二氣孔； 其中，該第一區(qū)域內(nèi)的該第一氣孔的總面積大于該第二區(qū)域內(nèi)的該第二氣孔的總面積。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓托盤結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中所述的第一區(qū)域的圓心為該托盤本體的中心點(diǎn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓托盤結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中所述的第一氣孔的孔徑大于該第二氣孔的孔徑。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的晶圓托盤結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中所述的第一晶圓平臺(tái)的容置面形成有多個(gè)第一氣孔時(shí)，所述的第一氣孔的數(shù)量多于第二氣孔的數(shù)量。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶圓托盤結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中所述的第二晶圓平臺(tái)的容置面形成有多個(gè)第二氣孔。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓托盤結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中所述的第一氣孔的孔徑等于第二氣孔的孔徑，且所述的第一晶圓平臺(tái)的容置面形成有多個(gè)第一氣孔時(shí)，所述的第一氣孔的數(shù)量多于第二氣孔的數(shù)量。
【專利摘要】本實(shí)用新型為一種晶圓托盤結(jié)構(gòu)，其包括托盤本體、至少一個(gè)第一晶圓平臺(tái)及多個(gè)第二晶圓平臺(tái)。托盤本體具有表面，表面上定義有第一區(qū)域及第二區(qū)域，第一區(qū)域是以托盤本體的任一點(diǎn)為圓心的圓形區(qū)域，第二區(qū)域是圍繞于圓形區(qū)域外側(cè)的同心環(huán)形區(qū)域。第一晶圓平臺(tái)凸出形成于表面上且位于第一區(qū)域內(nèi)，第一晶圓平臺(tái)的容置面上形成有至少一個(gè)第一氣孔，而多個(gè)第二晶圓平臺(tái)凸出形成于表面上且位于第二區(qū)域內(nèi)，每一個(gè)第二晶圓平臺(tái)的容置面上形成有至少一個(gè)第二氣孔，其中第一區(qū)域內(nèi)的第一氣孔的總面積大于第二區(qū)域內(nèi)的第二氣孔的總面積。借由本實(shí)用新型的實(shí)施，可達(dá)到下列進(jìn)步功效：①提升晶圓片的降溫效率，②使晶圓片的散熱效果均勻。
【IPC分類】H01L21-673, H01L21-677
【公開號(hào)】CN204407308
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520018551
【發(fā)明人】白英宏, 張繼允
【申請(qǐng)人】聚昌科技股份有限公司
【公開日】2015年6月17日
【申請(qǐng)日】2015年1月12日