遲)。另外，術(shù)語“同時(shí)”意指某個(gè)動(dòng)作至少發(fā)生在起始動(dòng)作的持續(xù)期間的一些部分內(nèi)。詞“大約”或“基本上”的使用意指項(xiàng)的值具有預(yù)期接近于闡明的值或位置的參數(shù)。然而，如本領(lǐng)域眾所周知的，總存在阻礙所述值或位置與所闡明的完全相同的小的偏差。本領(lǐng)域已經(jīng)確立，上至至少百分之十(10% )的偏差(對(duì)半導(dǎo)體摻雜濃度，上至百分之二十(20% ))是距離嚴(yán)格如所述的理想目標(biāo)的合理的偏差。當(dāng)結(jié)合信號(hào)的狀態(tài)使用時(shí)，術(shù)語“(被)斷言(asserted)”意指信號(hào)的有效狀態(tài)，而術(shù)語“(被)取反(negated)”意指信號(hào)的無效狀態(tài)。信號(hào)實(shí)際的電壓值或邏輯狀態(tài)(諸如“I”或“O”)取決于使用的是正邏輯還是負(fù)邏輯。因此，取決于使用的是正邏輯還是負(fù)邏輯，斷言可以是高電壓或高邏輯或者是低電壓或低邏輯，以及取決于使用的是正邏輯還是負(fù)邏輯，取反可以是低電壓或低狀態(tài)或者是高電壓或高邏輯。此處，正邏輯慣例被使用，但本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，負(fù)邏輯慣例也可以被使用。權(quán)利要求書中和/或【具體實(shí)施方式】中的術(shù)語第一、第二和第三等等(如用在元件的名字的一部分中)，用于區(qū)分相似的元件，而不是必然用于描述以排序或以任何其它方式的時(shí)間或空間的順序。應(yīng)理解，這樣使用的術(shù)語在適當(dāng)?shù)臈l件下可以互相替換，而此處描述的實(shí)施例能以此處描述的或示出的以外的其它順序操作。對(duì)“一個(gè)實(shí)施例”或“實(shí)施例”的引述意指與所述實(shí)施例相關(guān)描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性包括在本實(shí)用新型的至少一個(gè)實(shí)施例中。因此，“在一個(gè)實(shí)施例中”或“在實(shí)施例中”這樣的詞組在貫穿本說明書的各種地方的出現(xiàn)不是必然全部指的是相同的實(shí)施例，但是在一些情況下其可以指的是相同的實(shí)施例。另外，如本領(lǐng)域技術(shù)人員將清楚的，在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，特定特征、結(jié)構(gòu)或特性可以按照任何適合的方式組合。為了附圖的清楚，裝置結(jié)構(gòu)的摻雜區(qū)被示出為具有基本直線的邊緣和角度精確的拐角。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，由于摻雜物的擴(kuò)散和激活，摻雜區(qū)的邊緣一般可能不是直線并且拐角可能不是精確的角。
[0031]另外，說明書示出了多單元(cellular)設(shè)計(jì)(其中體區(qū)是多個(gè)單元區(qū)域)而不是單體設(shè)計(jì)(其中體區(qū)是由以拉長的樣式(典型地以彎曲的樣式)形成的單區(qū)域構(gòu)成)。然而，意圖在于，說明可應(yīng)用于多單元實(shí)現(xiàn)方式和單基體實(shí)現(xiàn)方式兩者。
【具體實(shí)施方式】
[0032]圖1示意性地示出了包括MOS晶體管12和異質(zhì)結(jié)晶體管11的半導(dǎo)體裝置10的一部分的實(shí)施例的示例。晶體管11可以由材料的多種不同組合形成，所述材料包括在元素周期表中的族II系或族III系中的材料。在一個(gè)示例實(shí)施例中，晶體管11包括GaN晶體管，其包括GaN材料。裝置10起到晶體管的作用并且操作作為晶體管，其具有柵電極或柵極端子16、源電極或源極端子15以及漏電極或漏極端子13。在一個(gè)實(shí)施例中，晶體管11和晶體管12按照共源共柵電路配置連接。在該實(shí)施例中，晶體管11具有連接到裝置10的端子13的漏極、連接到端子15和晶體管12的源極的柵極以及連接到共同節(jié)點(diǎn)14的源極。晶體管12包括連接到裝置10的端子15的源極、連接到裝置10的端子16的柵極以及共同連接到節(jié)點(diǎn)14和晶體管11的源極的漏極。在一些實(shí)施例中，晶體管11可以具有比晶體管12更高的擊穿電壓，這可以允許裝置10被用在比單獨(dú)使用晶體管12的情況更高電壓的應(yīng)用中。在該實(shí)施例中，晶體管12可以提供比由晶體管11單獨(dú)能夠提供的更簡單的裝置10的開關(guān)和控制。響應(yīng)于施加在晶體管12的柵極和源極之間的電壓大于晶體管12的柵極-源極閾值電壓(Vth)(或稱作閾值電壓(Vth))，裝置10被啟用以將電流從晶體管11的漏極傳導(dǎo)到晶體管12的源極。通常，響應(yīng)于施加在晶體管12的柵極和漏極之間的具有小于晶體管12的閾值電壓Vth的值的電壓，裝置10被禁用。閾值電壓(Vth)是在晶體管開始傳導(dǎo)電流的柵極-源極電壓。
[0033]如將在下文中進(jìn)一步看到的，在一個(gè)實(shí)施例中，晶體管12可以被形成為使得對(duì)晶體管12的柵極上可能引起的瞬態(tài)電壓(例如，作為禁用裝置10或晶體管12的結(jié)果)的敏感性最小化(例如，減少響應(yīng)于瞬態(tài)電壓的晶體管12或裝置10的錯(cuò)誤啟用)禁用。一個(gè)實(shí)施例可以包括形成具有這樣的閾值電壓Vth的晶體管12，所述閾值電壓Vth隨著沿著晶體管12的長度的距離而變化，或者替代地，沿著晶體管12的晶體管單元的長度的距離而變化。在一個(gè)實(shí)施例中，晶體管12的晶體管單元的體區(qū)的摻雜濃度可以被形成為:從晶體管單元的末端附近的第一值朝向晶體管單元的體區(qū)的內(nèi)部部分變化到第二值。另一個(gè)實(shí)施例可以包括晶體管12被形成為使得最小化對(duì)接收自晶體管11的泄漏電流的敏感性。一個(gè)實(shí)施例可以包括形成晶體管12以最小化晶體管11的泄漏電流導(dǎo)致的損壞。在一些實(shí)施例中，晶體管11可以是耗盡型MOS晶體管，而晶體管12可以是增強(qiáng)型異質(zhì)結(jié)晶體管。
[0034]一個(gè)實(shí)施例可以包括在如由包圍晶體管11和晶體管12的虛線所示出的半導(dǎo)體封裝200中形成裝置10。在一個(gè)實(shí)施例中，裝置10可以被形成為混合電路，晶體管11和晶體管12形成為兩個(gè)分開的管芯(die)，其可以被一起封裝在共同的半導(dǎo)體封裝200中。然而，在一些實(shí)施例中，晶體管11和晶體管12可以在一個(gè)襯底上一起形成并且形成為一個(gè)管芯。
[0035]圖2示出了作為晶體管12的替代實(shí)施例的硅MOS晶體管17的一部分的實(shí)施例的示例的放大的平面圖。在一個(gè)實(shí)施例中，晶體管17可以被形成為具有這樣的柵極-源極閾值電壓(Vth)，其降低晶體管17可能被在晶體管17的柵極上引起的瞬態(tài)柵極-源極電壓啟用的可能性。在一個(gè)實(shí)施例中，晶體管17可以被形成為多個(gè)晶體管單元，所述多個(gè)晶體管單元互連在一起以起到與晶體管12(圖1)類似的單個(gè)晶體管的功能。晶體管單元48到晶體管單元50示出晶體管單元的示例，并且由箭頭大體標(biāo)識(shí)。在一個(gè)實(shí)施例中，晶體管單元(例如單元48到單元50)的每一個(gè)形成為跨半導(dǎo)體襯底延伸的條帶。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，晶體管單元在其它實(shí)施例中可以具有其它幾何配置，例如形成為彎曲形狀。每個(gè)晶體管單元包括源極區(qū)和柵極結(jié)構(gòu)。柵極結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)施例包括被形成為柵極結(jié)構(gòu)的一部分的內(nèi)柵極導(dǎo)體。在一個(gè)實(shí)施例中，晶體管17具有在襯底42的表面上的漏極導(dǎo)體45，所述表面與面向源極導(dǎo)體28的表面相反。
[0036]晶體管17也可以包括外柵極導(dǎo)體(例如，外柵極導(dǎo)體18和外柵極導(dǎo)體19)，被利用以形成與內(nèi)柵極導(dǎo)體的低電阻電連接。例如，導(dǎo)體18或?qū)w19可以與晶體管單元中的一個(gè)或全部的內(nèi)柵極導(dǎo)體的一部分電接觸且物理接觸。在一些實(shí)施例中，外柵極導(dǎo)體18和外柵極導(dǎo)體19也可以被用于提供內(nèi)柵極導(dǎo)體和柵極墊(pad) 20之間的電連接。柵極墊20典型地方便將柵極導(dǎo)體連接到封裝的柵極端子，諸如連接到柵極端子16(圖1)，例如通過接合線或連接夾或其它眾所周知用于將半導(dǎo)體裝置的一部分連接到半導(dǎo)體封裝的端子的
目.ο
[0037]圖3示出了沿著圖2的截面線3-3的晶體管17的一部分的放大等距圖。該說明參照對(duì)圖2和圖3。在一個(gè)實(shí)施例中，晶體管17形成在半導(dǎo)體襯底42上。襯底42典型地包括體半導(dǎo)體襯底40 ο在一些實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)外延層可以形成于襯底40上或者覆在襯底40上面。襯底42的摻雜區(qū)41的至少一部分形成晶體管17的體區(qū)。晶體管單元48到晶體管單元50 (作為晶體管17的其它晶體管單元的代表)也可以包括體區(qū)，所述體區(qū)是晶體管17的體區(qū)的一部分。在一個(gè)實(shí)施例中，區(qū)域41可以形成為襯底40上的硅外延層。在其它實(shí)施例中，區(qū)域41可以形成為襯底40的摻雜區(qū)或者另一外延層(未在圖3中示出)的摻雜區(qū)。單元48到單元50中的一個(gè)或更多單元的體區(qū)具有末端35 (位于朝向區(qū)域41的朝向?qū)w19的一端或位于該端附近)以及末端36 (位于朝向區(qū)域41的朝向?qū)w18的一端或位于該端附近)。體區(qū)的內(nèi)部部分被定位為沿著長度34遠(yuǎn)離端35和端36。在一個(gè)實(shí)施例中，體區(qū)的內(nèi)部部分被示出為方位或位置37。端35在圖3中由虛線一般性示出。本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，體區(qū)41典型地終止在單元的有源源極區(qū)的端部附近，并且在一些實(shí)施例中，可以延伸超過有源源極區(qū)的所述端部一段距離。摻雜區(qū)44可以是區(qū)域41的在單元(諸如單元48到單元50的一個(gè))的體區(qū)外或者在晶體管17的體區(qū)外的部分。在一些實(shí)施例中，區(qū)域44可以是所述體區(qū)的中止區(qū)。在多數(shù)實(shí)施例中，區(qū)域44不延伸到管芯的邊緣。在一些實(shí)施例中，區(qū)域44可以被省略。一個(gè)實(shí)施例可以包括:柵極結(jié)構(gòu)21到柵極結(jié)構(gòu)23與體區(qū)相鄰地形成，例如與區(qū)域41的至少一部分相鄰。
[0038]晶體管單元48到晶體管單元50 (作為晶體管17的其它晶體管單元的代表)包括各自的柵極結(jié)構(gòu)21到柵極結(jié)構(gòu)23。摻雜區(qū)26和摻雜區(qū)27形成單元48到單元50的每個(gè)單元的源極區(qū)。在一個(gè)實(shí)施例中，柵極結(jié)構(gòu)21到柵極結(jié)構(gòu)23可以從區(qū)域41的表面延伸通過區(qū)域41并且進(jìn)入下層(例如，襯底40)。在一個(gè)實(shí)施例中，柵極結(jié)構(gòu)21到柵極結(jié)構(gòu)23可以形