>其中第二值小于第一值。
[0074]所述方法的另一實(shí)施例可以包括:在柵極結(jié)構(gòu)與體區(qū)的內(nèi)部部分相鄰的內(nèi)部部分處形成第一值，以及在柵極結(jié)構(gòu)與體區(qū)的末端部分相鄰的其它部分處形成第二值。
[0075]所述方法的一個實(shí)施例可以包括:將閾值電壓形成為隨著沿著體區(qū)的長度的距離而變化。
[0076]在一個實(shí)施例中，所述方法可以包括:將閾值電壓形成為隨著與柵極結(jié)構(gòu)的末端的距離的增加而變化。
[0077]所述方法的另一實(shí)施例可以包括:將閾值電壓形成為隨著與柵極結(jié)構(gòu)的末端的距離的增加而增加。
[0078]所述方法的一個實(shí)施例可以包括:形成所述裝置以包括垂直MOS晶體管，其柵極結(jié)構(gòu)被形成為溝槽型柵極結(jié)構(gòu)。
[0079]所述方法的另一實(shí)施例可以包括形成半導(dǎo)體裝置以包括硅MOS晶體管，其中形成閾值電壓可以包括形成娃MOS晶體管的體區(qū)以具有在娃MOS晶體管的內(nèi)部部分處的第一摻雜濃度和在硅MOS晶體管的另一部分處的第二摻雜濃度，其中第一摻雜濃度大于第二摻雜濃度。
[0080]方法的一個實(shí)施例可以包括:形成第一摻雜濃度為隨著與硅MOS晶體管的所述另一部分的距離的增加而從第二摻雜濃度增加。
[0081]方法的另一實(shí)施例可以包括:形成具有柵極絕緣體的娃MOS晶體管，該柵極絕緣體具有從半導(dǎo)體裝置的內(nèi)部部分處的第一厚度變化到遠(yuǎn)離內(nèi)部部分的半導(dǎo)體裝置的另一部分處的第二厚度的厚度，其中第二厚度大于第一厚度。
[0082]本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，半導(dǎo)體裝置的一個實(shí)施例可以包括:
[0083]MOS晶體管(例如晶體管12)，形成為半導(dǎo)體襯底(例如襯底40或襯底42)上的多個晶體管單元(例如單元49或單元72的一個)，所述MOS晶體管具有MOS柵極、源極和漏極；
[0084]第一晶體管(例如晶體管11)，由III系或者IV系半導(dǎo)體材料形成，第一晶體管具有第一柵極、第一源極和第一漏極；
[0085]所述MOS晶體管按照共源共柵配置與第一晶體管耦接，所述MOS晶體管具有MOS柵極和MOS源極；以及
[0086]電阻器或背對背二極管(例如背對背二極管91和背對背二極管92)中的一方按照串聯(lián)配置耦接在MOS柵極和MOS源極之間。
[0087]鑒于以上所有內(nèi)容，顯然公開了一種新穎的裝置和方法。包括了將硅MOS晶體管形成為具有沿著晶體管的體區(qū)的長度變化的閾值電壓Vth等特征。變化的閾值電壓改善了對于在晶體管的柵極上可能引起的瞬態(tài)電壓的抗性。一個實(shí)施例可以包括:將體區(qū)的摻雜濃度形成為沿著晶體管的長度變化。改變摻雜濃度是改變閾值電壓Vth并提供其優(yōu)點(diǎn)的一種方法。另一實(shí)施例可以包括:將在晶體管的漏極上接收的電流分流到連接到晶體管的柵極的電路。將電流分流到連接到柵極的電路使晶體管的關(guān)斷狀態(tài)下的VdS電壓最小化，因而例如改善了晶體管的長期可靠性。
[0088]盡管用具體的優(yōu)選實(shí)施例和示例實(shí)施例描述說明的主題，但前述附圖和其說明僅描述主題的實(shí)施例的典型情況和示例，因此不應(yīng)被認(rèn)為是限制其范圍，顯然對本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，很多替代和改變是顯而易見的。如本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解的，盡管參照連接到異質(zhì)結(jié)晶體管的硅晶體管說明了若干特征，但是這些特征也可以應(yīng)用于任何硅晶體管，而不管其它元素(包括與其連接的晶體管類型)。例如，這些特征可以應(yīng)用于具有其它幾何結(jié)構(gòu)的MOS晶體管(諸如具有溝槽柵極結(jié)構(gòu)的MOS晶體管)，應(yīng)用于屏蔽柵極結(jié)構(gòu)，以及應(yīng)用于溝槽中的柵極下分離式屏蔽電極結(jié)構(gòu)。
[0089]如下面的權(quán)利要求所反映的，在少于單個前述公開的實(shí)施例的全部特征的情況下，也可以存在創(chuàng)造性的方面。因此，這里將如下所述的權(quán)利要求明確并入【具體實(shí)施方式】，每項(xiàng)權(quán)利要求本身獨(dú)立作為本實(shí)用新型的單獨(dú)實(shí)施例。此外，如本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解的，盡管此處描述的一些實(shí)施例包括其它實(shí)施例中的一些特征而不包括其它特征，但不同實(shí)施例的特征的組合意圖在本實(shí)用新型的范圍內(nèi)，并且形成不同的實(shí)施例。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括: MOS晶體管，形成為半導(dǎo)體襯底上的多個晶體管單元； 所述多個晶體管單元的第一單元的體區(qū)，形成為具有寬度和長度的第一摻雜區(qū)，所述第一摻雜區(qū)具有第一導(dǎo)電類型； 所述第一單元的源極區(qū)，形成為所述第一摻雜區(qū)內(nèi)的第二摻雜區(qū)，所述第二摻雜區(qū)具有第二導(dǎo)電類型； 柵極結(jié)構(gòu)，與所述源極區(qū)以及所述體區(qū)的一部分相鄰地形成，所述柵極結(jié)構(gòu)具有內(nèi)柵極導(dǎo)體，所述內(nèi)柵極導(dǎo)體連接到外柵極導(dǎo)體，所述外柵極導(dǎo)體在所述半導(dǎo)體襯底上并且在所述柵極結(jié)構(gòu)的外部；以及 所述第一摻雜區(qū)的摻雜濃度被形成為沿著所述第一摻雜區(qū)的長度隨著距所述外柵極導(dǎo)體的距離的增加而增加。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述摻雜濃度隨著距所述內(nèi)柵極導(dǎo)體和所述外柵極導(dǎo)體的相交處的距離增加而增加。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述MOS晶體管包括下列的一個: 平面MOS晶體管，其柵極結(jié)構(gòu)的一部分與所述第一摻雜區(qū)的一部分鄰近并且在所述第一摻雜區(qū)的所述一部分上；或者 垂直MOS晶體管，其中所述半導(dǎo)體襯底的一部分形成所述MOS晶體管的漏極區(qū)的一部分，所述垂直MOS晶體管包括包含柵極導(dǎo)體的溝槽柵極結(jié)構(gòu)，其中所述柵極結(jié)構(gòu)延伸到所述第一摻雜區(qū)中一段距離，并且其中所述柵極結(jié)構(gòu)的第一部分與所述第一摻雜區(qū)相鄰并且所述柵極結(jié)構(gòu)的第二部分與所述第二摻雜區(qū)相鄰。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述多個晶體管單元中的每個晶體管單元包括體區(qū)，所述體區(qū)具有沿著所述第一摻雜區(qū)的長度隨著距所述外柵極導(dǎo)體的距離增加而增加的摻雜濃度。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述多個晶體管單元中的每個晶體管單元包括在所述第一摻雜區(qū)上或者延伸到所述第一摻雜區(qū)中的柵極結(jié)構(gòu)。6.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于包括: MOS晶體管，形成在半導(dǎo)體襯底上； 體區(qū)； 柵極結(jié)構(gòu)，沿著所述體區(qū)的長度與所述體區(qū)相鄰；以及 其中所述半導(dǎo)體裝置的閾值電壓具有在所述半導(dǎo)體裝置的內(nèi)部部分處的第一值和在遠(yuǎn)離所述內(nèi)部部分的所述半導(dǎo)體裝置的另一部分處的第二值，其中所述第二值小于所述第一值。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第一值在所述柵極結(jié)構(gòu)與所述體區(qū)的內(nèi)部部分相鄰的內(nèi)部部分處形成，，而所述第二值在所述柵極結(jié)構(gòu)與所述體區(qū)的末端部分相鄰的其它部分處形成。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述閾值電壓隨著沿著所述體區(qū)的所述長度的距離而變化。9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體裝置是硅MOS晶體管，而所述硅MOS晶體管的體區(qū)在所述硅MOS晶體管的所述內(nèi)部部分處具有第一摻雜濃度，和在所述硅MOS晶體管的所述另一部分處具有第二摻雜濃度，其中所述第一摻雜濃度大于所述第二摻雜濃度。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第一摻雜濃度隨著距所述硅MOS晶體管的所述另一部分的距離增加而從所述第二摻雜濃度增加。11.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于包括: MOS晶體管，形成為半導(dǎo)體襯底上的多個晶體管單元，所述MOS晶體管具有MOS柵極、源極和漏極； 第一晶體管，由III系或者IV系半導(dǎo)體材料形成，所述第一晶體管具有第一柵極、第一源極和第一漏極； 所述MOS晶體管與所述第一晶體管按照共源共柵配置耦接，所述MOS晶體管具有MOS柵極和MOS源極；以及 電阻器或背對背二極管的一方，按照串聯(lián)配置耦接到所述MOS柵極和所述MOS源極之間。
【專利摘要】本公開涉及半導(dǎo)體裝置。根據(jù)一個實(shí)施例，提供了一種半導(dǎo)體裝置，包括：MOS晶體管，形成為半導(dǎo)體襯底上的多個晶體管單元；所述多個晶體管單元的第一單元的體區(qū)，形成為具有寬度和長度的第一摻雜區(qū)，所述第一摻雜區(qū)具有第一導(dǎo)電類型；所述第一單元的源極區(qū)，形成為所述第一摻雜區(qū)內(nèi)的第二摻雜區(qū)，所述第二摻雜區(qū)具有第二導(dǎo)電類型；柵極結(jié)構(gòu)，與所述源極區(qū)以及所述體區(qū)的一部分相鄰地形成，所述柵極結(jié)構(gòu)具有內(nèi)柵極導(dǎo)體，所述內(nèi)柵極導(dǎo)體連接到外柵極導(dǎo)體，所述外柵極導(dǎo)體在所述半導(dǎo)體襯底上并且在所述柵極結(jié)構(gòu)的外部；以及所述第一摻雜區(qū)的摻雜濃度被形成為沿著所述第一摻雜區(qū)的長度隨著距所述外柵極導(dǎo)體的距離的增加而增加。根據(jù)本公開的多種實(shí)施例，可以提供包括MOS晶體管的半導(dǎo)體裝置，所述MOS晶體管對柵電極上的瞬態(tài)電壓具有降低的敏感度(例如在MOS晶體管停用期間)，或者其可以使來自施加到MOS晶體管的電流的損壞最小化。
【IPC分類】H01L27/105, H01L27/102
【公開號】CN204946898
【申請?zhí)枴緾N201520743611
【發(fā)明人】劉春利, K·黃, A·薩利
【申請人】半導(dǎo)體元件工業(yè)有限責(zé)任公司
【公開日】2016年1月6日
【申請日】2015年9月23日
【公告號】US20160099314