向漂移區(qū)（也即，漏歐姆 接觸區(qū)8B和低壓阱3之間的區(qū)域）的長度減小，而且并不具有P型滲雜的埋層，其他結(jié)構(gòu) 基本相同，僅是尺寸的變化。 陽109] 柵氧HVMOS器件103可W包括：高壓阱2,位于高壓器件區(qū)的半導(dǎo)體襯底1內(nèi)；P型 滲雜的低壓阱3,與高壓阱2并列地位于高壓器件區(qū)的半導(dǎo)體襯底1內(nèi)，低壓阱3和高壓阱 2的邊界之間可W具有間隙；柵極結(jié)構(gòu)7,位于高壓器件區(qū)中的半導(dǎo)體襯底1上，從低壓阱3 延伸至覆蓋部分高壓阱2 ;源極歐姆接觸區(qū)8A，位于低壓阱內(nèi)；漏極歐姆接觸區(qū)8B，位于高 壓阱2內(nèi)；體歐姆接觸區(qū)8C，位于低壓阱3內(nèi)；多個互連線10,分別與柵極結(jié)構(gòu)7、源極歐姆 接觸區(qū)8A、漏極歐姆接觸區(qū)8B、體歐姆接觸區(qū)8C等電連接。
[0110] 與高壓N-LDMOS器件101相比，柵氧HVMOS器件103的橫向漂移區(qū)（也即，漏歐姆 接觸區(qū)8B和低壓阱3之間的區(qū)域）的長度減小，而且在高壓阱2中并不具有P型滲雜的埋 層W及場氧層，其他結(jié)構(gòu)基本相同，僅是尺寸的變化。 陽111] 下面參考圖2對本實施例的BCD器件的低壓器件區(qū)進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0112] 其中，半導(dǎo)體襯底1與高壓器件區(qū)的半導(dǎo)體襯底是同一半導(dǎo)體襯底，例如可W是P 型滲雜的襯底。
[0113] 低壓NMOS器件201可W包括：位于低壓器件區(qū)的P型滲雜的低壓阱3,低壓阱3可W采用不同于高壓阱的光刻和離子注入工藝形成；場氧層6,覆蓋部分低壓阱3,尤其是低 壓阱3的邊界區(qū)域；柵極結(jié)構(gòu)7,位于低壓阱3的表面上；N型滲雜的源極歐姆接觸區(qū)8A和 漏極歐姆接觸區(qū)8B，分別位于柵極結(jié)構(gòu)7兩側(cè)的低壓阱3內(nèi)；多個互連線10,分別與柵極結(jié) 構(gòu)7、源極歐姆接觸區(qū)8A、漏極歐姆接觸區(qū)8B等電連接。
[0114] 其中，柵極結(jié)構(gòu)7可W包括柵介質(zhì)層和位于柵介質(zhì)層上的柵電極，其中，柵介質(zhì)層 的材料例如可W是氧化娃，柵電極的材料例如可W是多晶娃。場氧層6主要用于橫向的器 件隔離?；ミB線10可W是侶線或者其他導(dǎo)電材料制成的互連線。
[0115] 低壓PMOS器件202可W包括：高壓阱2,位于低壓器件區(qū)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)；場氧層 6,覆蓋部分高壓阱2,尤其是覆蓋高壓阱2的邊界區(qū)域；柵極結(jié)構(gòu)7,位于高壓阱2的表面 上；P型滲雜的源極歐姆接觸區(qū)9A和漏極歐姆接觸區(qū)9B，分別位于柵極結(jié)構(gòu)7兩側(cè)的高壓 阱2內(nèi)；多個互連線10,分別與柵極結(jié)構(gòu)7、源極歐姆接觸區(qū)9A、漏極歐姆接觸區(qū)9B等電連 接。
[0116] 其中，柵極結(jié)構(gòu)7可W包括柵介質(zhì)層和位于柵介質(zhì)層上的柵電極，柵介質(zhì)層的材 料例如可W是氧化娃，柵電極的材料例如可W是多晶娃。場氧層6主要用于橫向的器件隔 離。互連線10可W是侶線或者其他導(dǎo)電材料制成的互連線。
[0117] 縱向NPNS極管203可W包括：低壓器件區(qū)中的高壓阱2 ;場氧層6,覆蓋部分高 壓阱2,尤其是高壓阱2的邊界部分；P型滲雜的低壓阱3,位于高壓阱2內(nèi)，低壓阱3作為 NPNS極管203的基區(qū)；多個歐姆接觸區(qū)10A、IOB和10C，分布于低壓阱3和高壓阱2內(nèi)，其 中，低壓阱3內(nèi)的歐姆接觸區(qū)IOA可W是N型滲雜的，低壓阱3內(nèi)的歐姆接觸區(qū)IOB可W是 P型滲雜的，高壓阱2內(nèi)的歐姆接觸區(qū)IOC可W是N型滲雜的；多個互連線10,分別與多個 歐姆接觸區(qū)IOAUOB和IOC等電連接。
[0118] 互連線10可W是侶線或者其他導(dǎo)電材料制成的互連線。場氧層6主要用作橫向 的器件隔離。
[0119] 橫向PNPS極管206可W包括：低壓器件區(qū)中的高壓阱2,高壓阱2作為橫向PNP S極管206的基區(qū)；P型滲雜的多個低壓阱3,并列地位于高壓阱2內(nèi)；多個歐姆接觸區(qū)13A 和13B，分布于低壓阱3和高壓阱2內(nèi)，其中，位于低壓阱3內(nèi)的歐姆接觸區(qū)13A可W是P型 滲雜的，位于高壓阱2內(nèi)的歐姆接觸區(qū)13B可W是N型滲雜的；場氧層6,覆蓋部分高壓阱 2,尤其是高壓阱2的邊界部分；多個互連線10,分別與柵極結(jié)構(gòu)7、歐姆接觸區(qū)13A、13B等 電連接。
[0120] 互連線10可W是侶線或者其他導(dǎo)電材料制成的互連線。場氧層6主要用作橫向 的器件隔離。 陽121] 襯底PNPS極管207可W包括：低壓器件區(qū)中的高壓阱2,高壓阱2作為襯底PNP S極管207的基區(qū)；多個歐姆接觸區(qū)14A、14B和14C，分布于高壓阱2內(nèi)W及高壓阱2兩側(cè) 的半導(dǎo)體襯底1內(nèi)；場氧層6,覆蓋部分高壓阱2,尤其是高壓阱2的邊界部分；多個互連線 10,分別與歐姆接觸區(qū)14AU4B等電連接。
[0122] 互連線10可W是侶線或者其他導(dǎo)電材料制成的互連線。場氧層6主要用作橫向 的器件隔離。 陽123] 電阻204可W包括：P型滲雜的低壓阱3,位于低壓器件區(qū)中的半導(dǎo)體襯底1內(nèi)； 至少兩個P型滲雜的歐姆接觸區(qū)11A，位于低壓阱3內(nèi)；場氧層6,覆蓋部分低壓阱3,尤其 是低壓阱3的邊界部分；多個互連線10,與歐姆接觸區(qū)IlA等電連接。
[0124] 電容205可W包括：P型滲雜的低壓阱3,位于低壓器件區(qū)中的半導(dǎo)體襯底1內(nèi)；柵 極結(jié)構(gòu)7,位于低壓阱3的表面上；歐姆接觸區(qū)12A，位于低壓阱3內(nèi)，該歐姆接觸區(qū)12A可 W是P型滲雜；互連線10,與歐姆接觸區(qū)12A電連接。
[0125] 參考圖3,本實施例的BCD的制造方法包括：
[01%] 步驟Sll，提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括高壓器件區(qū)和低壓器件區(qū)，所述 高壓器件區(qū)用于形成高壓器件，所述低壓器件區(qū)用于形成低壓器件； 陽127] 步驟S12,在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成多個N型滲雜的高壓阱，所述多個高壓阱分布 于所述高壓器件區(qū)和低壓器件區(qū)；
[0128] 步驟S13,在所述高壓器件區(qū)中形成高壓器件，在所述低壓器件區(qū)中形成低壓器 件，其中，所述高壓器件的至少部分組成結(jié)構(gòu)位于所述高壓器件區(qū)中的高壓阱內(nèi)，至少部分 低壓器件位于所述低壓器件區(qū)中的高壓阱內(nèi)。
[0129] 下面結(jié)合圖4至圖10進(jìn)行詳細(xì)說明。為了簡化，圖4至圖10所示的制造方法中， BCD器件包含了N-LDMOS器件、低壓NMOS器件和低壓PMOS器件。
[0130] 參考圖4,提供半導(dǎo)體襯底1。該半導(dǎo)體襯底1例如可W是P型滲雜，其電阻率可 W是 60~IOOohm?cm。 陽131] 參考圖5,在半導(dǎo)體襯底1的高壓器件區(qū)和低壓器件區(qū)分別形成N型滲雜的高壓阱 2。
[0132] 高壓阱2的形成方法可W包括：在半導(dǎo)體襯底1上形成氧化層，例如采用熱氧化 法生成0. 5~2. 5ym的氧化層；采用光刻定位出高壓阱2的位置并腐蝕氧化層；進(jìn)行高能 離子注入，注入能量為160陸VW上，優(yōu)選為500陸V~2. 5MEV;之后，再次生長氧化層，例如 在去除光刻膠之后通過熱氧化法生成0. 5~1. 0ym的氧化層，通過氧化層可W在半導(dǎo)體襯 底1上形成一對位臺階，該對位臺階可W用作后續(xù)光刻對位，從而省去常規(guī)的零對位光刻 步驟，W進(jìn)一步降低光刻成本；之后，去除氧化層，再在半導(dǎo)體襯底1上生長注入墊氧化層， 例如生長厚度為:1〇Q~100〇A的注入墊氧化層，然后進(jìn)行高溫推結(jié)W形成高壓阱2。其中， 高壓阱2的高溫推結(jié)時間可W是300分鐘到600分鐘，溫度可W是115(TC至1200°C。采用 高能離子注入，只需要短時間的高溫推結(jié)，即可形成結(jié)深達(dá)到7~10ym的、適用于超高壓 工藝的高壓阱2。
[0133] 參考圖6,在高壓器件區(qū)和低壓器件區(qū)分別形成P型滲雜的低壓阱3,該低壓阱3 與高壓阱2并列位于半導(dǎo)體襯底1內(nèi)。
[0134] 低壓阱3的形成方法可W包括光刻、離子注入、推結(jié)等。其中，推結(jié)溫度可W是 lioor，推結(jié)時間可W是90至150分鐘。
[0135] 參考圖7,形成場氧層6,例如，可W采用熱氧化法形成場氧層6,場氧層6的厚度可 W是0. 3~1. 0ym。在高壓器件區(qū)，場氧層6覆蓋高壓阱2的一部分W及高壓阱2和低壓 阱3的邊界區(qū)域；在低壓器件區(qū)，場氧層6覆蓋高壓阱2和低壓阱3的邊界區(qū)域。 陽136] 參考圖8,形成P型滲雜的埋層51和52,其中，埋層51位于高壓器件區(qū)的高壓阱 2,埋層52位于高壓器件區(qū)的低壓阱3下方，埋層52可W和低壓阱3的底部相接。埋層51 和52的形成方法可W包括光刻、離子注入和推結(jié)。其中，離子注入為高能離子注入，能量優(yōu) 選為500KEV至2. 5MEV。推結(jié)可W是爐管推結(jié)，也可W是快速熱退火。
[0137] 參考圖9,形成柵極結(jié)構(gòu)7。在高壓器件區(qū)，柵極結(jié)構(gòu)7從低壓阱3延伸至覆蓋部 分場氧層6 ;在低壓器件區(qū)，柵極結(jié)構(gòu)7位于高壓阱2和低壓阱3上。柵極結(jié)構(gòu)7的形成方 法可W包括：采用熱氧化法形成薄的柵氧化層；通