導(dǎo)線架及四方扁平無外引腳封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種導(dǎo)線架及封裝結(jié)構(gòu)，特別是涉及一種引腳具有支撐結(jié)構(gòu)的導(dǎo)線架，及一種使用該導(dǎo)線架的四方扁平無外引腳(QFN)封裝結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]四方扁平無外引腳(QFN，quadflat no_lead)封裝結(jié)構(gòu)，因?yàn)闆]有向外延伸的引腳，因此，可大幅減小封裝尺寸。此外，因?yàn)镼FN具有較短的訊號傳遞路徑及較快的訊號傳遞速度，因此，也更適用于高速及高頻的電子產(chǎn)品。
[0003]參閱圖1，圖1是一般常見的QFN封裝結(jié)構(gòu)，包含一導(dǎo)線架11、一晶片12、多條導(dǎo)線13，及一封裝層14，該導(dǎo)線架11包括一框座111、一晶片座112，及多條自該框座111朝向該晶片座112延伸的引腳113，其中該框座111與該晶片座112成一間隙間隔，且所述引腳113也與該晶片座112不相接觸。該晶片12設(shè)置于該晶片座112上，并通過所述導(dǎo)線13與所述引腳113電連接，該封裝層14則覆蓋該框座111及晶片12，并填置于該框座111及晶片座112之間的間隙。
[0004]然而，由于晶片的尺寸隨著半導(dǎo)體制程的進(jìn)步而逐漸縮小，使得該晶片12與所述引腳113之間的間距逐漸增加，因此，用于電連接該晶片12與所述引腳113的導(dǎo)線13的長度也會增加，而導(dǎo)線13的長度增加會導(dǎo)致信號傳輸效率衰減，此外，較長的導(dǎo)線13也容易產(chǎn)生崩塌、變形或是偏移的問題。為了避免此問題，有利用將所述引腳113長度延伸的方式，以避免所述導(dǎo)線13長度過長的缺點(diǎn)。然而，因?yàn)樗鲆_113為懸空延伸，因此長度過長也容易會因?yàn)橹涡圆蛔愣冃?，或是在封裝過程產(chǎn)生位移或凹塌的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本實(shí)用新型的目的在于提供一種引腳具有支撐結(jié)構(gòu)的導(dǎo)線架。
[0006]本實(shí)用新型該導(dǎo)線架，包含一個框座、一個晶片座、多條引腳，及一成形膠層。
[0007]該框座具有一上表面，及一個自該上表面向下延伸的內(nèi)圍面。
[0008]該內(nèi)圍面圍繞該晶片座并與該晶片座成一間距相隔，且該框座的上表面與該晶片座的頂面齊平。
[0009]所述引腳分別自該框座的上表面朝向該晶片座延伸，該每一條引腳具有一自該內(nèi)圍面的上表面朝向該晶片座延伸并與該晶片座成一間隙間隔的引腳部，及一自該引腳部鄰近該晶片座的位置向下延伸且與該晶片座不相接觸的支撐部，且其中，該引腳部與該支撐部為由相同材料所構(gòu)成。
[0010]該成形膠層形成于該框座與該晶片座之間的間隙。
[0011]本實(shí)用新型所述該導(dǎo)線架，還包含一覆蓋該支撐部反向該引腳部的表面的絕緣層。
[0012]本實(shí)用新型所述該導(dǎo)線架，該絕緣層選自防焊絕緣材料。
[0013]本實(shí)用新型所述該導(dǎo)線架，該框座與該晶片座的高度實(shí)質(zhì)相同，該引腳部與該支撐部的垂直高度總和與該晶片座的高度實(shí)質(zhì)相同。
[0014]本實(shí)用新型所述該導(dǎo)線架，該框座、該晶片座及所述引腳為由相同材料所構(gòu)成。
[0015]本實(shí)用新型所述該導(dǎo)線架，該支撐部是自該引腳部鄰近該晶片座的端緣向下延伸。
[0016]本實(shí)用新型所述該導(dǎo)線架，該成形膠層的材料為環(huán)氧樹脂，該成形膠層不覆蓋該框座上表面、晶片座頂面及所述引腳的上表面。
[0017]本實(shí)用新型的另一目的在于提供一種四方扁平無外引腳封裝結(jié)構(gòu)，包含一個導(dǎo)線架，及一個晶片單元。
[0018]該導(dǎo)線架如前所述，包括該框座、該晶片座、所述引腳，及該成形膠層。
[0019]該晶片單元具有一設(shè)置于該導(dǎo)線架的晶片座的頂面的晶片，及多條分別電連接該晶片與所述引腳部的導(dǎo)線。
[0020]本實(shí)用新型所述四方扁平無外引腳封裝結(jié)構(gòu)，還包含一覆蓋該晶片及該導(dǎo)線架表面的封裝層。
[0021]本實(shí)用新型的有益的效果在于:利用在導(dǎo)線架的引腳部的端緣形成該支撐部以支撐該引腳部，因此可避免引腳部因長度較長或懸空所導(dǎo)致的引腳部變形或凹塌的問題，并利用預(yù)形成該成形膠層維持導(dǎo)線架整體結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性，而可更便于后段封裝制程使用。
【附圖說明】
[0022]圖1是現(xiàn)有四方扁平無外引腳(QFN)封裝結(jié)構(gòu)的一示意圖；
[0023]圖2是本實(shí)用新型該導(dǎo)線架的實(shí)施例的一示意圖；
[0024]圖3是說明本實(shí)用新型該實(shí)施例的一制作流程示意圖；及
[0025]圖4是說明利用本實(shí)用新型該實(shí)施例封裝而得的四方扁平無外引腳(QFN)封裝結(jié)構(gòu)的一示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0026]下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0027]參閱圖2，圖2是本實(shí)用新型的導(dǎo)線架2的一實(shí)施例的剖視示意圖。
[0028]該導(dǎo)線架2包含一個框座21、一個晶片座22、多條引腳23、一成形膠層24，及一絕緣層25。
[0029]該框座21具有一與該晶片座22的頂面齊平的上表面211，及一自該上表面211向下延伸的內(nèi)圍面212。
[0030]該晶片座22為配合該內(nèi)圍面212設(shè)置，該內(nèi)圍面212圍繞該晶片座22并與該晶片座22成一間距相隔。
[0031]所述引腳23分別自該框座21朝向該晶片座22延伸。該每一條引腳23具有一自該框座21的上表面211朝向該晶片座22延伸并與該晶片座22成一間隙間隔的引腳部231，及一自該引腳部231鄰近該晶片座22的位置向下延伸且與該晶片座22不相接觸的支撐部232，且該框座21、晶片座22及所述引腳23為由相同材料所構(gòu)成。較佳地，該支撐部232是自該引腳部231鄰近該晶片座22的端緣向下延伸，而可具有較佳的支撐性。更佳地，該框座21與該晶片座22的高度實(shí)質(zhì)相同，且該引腳部231與該支撐部232的垂直高度總和與該晶片座22的高度實(shí)質(zhì)相同。
[0032]該成形膠層24填置于該框座21與該晶片座22之間的間隙且不會覆蓋該框座21上表面、晶片座22頂面及所述引腳23的上表面，本實(shí)施例中成型膠層24覆蓋框座21的內(nèi)圍面212、引腳部231的下表面、支撐部232的周面及晶片座22的周面，使框座21的上、下表面與外圍