本發(fā)明涉及電機(jī)驅(qū)動(dòng)技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。

背景技術(shù)：

隨著國家科學(xué)技術(shù)的進(jìn)步和社會(huì)機(jī)電自動(dòng)化的逐步實(shí)現(xiàn)，越來越多的場(chǎng)合需要直流電機(jī)來帶動(dòng)各個(gè)工業(yè)化流程，因?yàn)橹绷麟姍C(jī)有著寬廣的調(diào)速范圍、較強(qiáng)的過載能力和較大的啟動(dòng)轉(zhuǎn)矩等優(yōu)點(diǎn)，所以被廣泛用于電力機(jī)車、工礦機(jī)車、城市電車、電梯、機(jī)器人等，直流電機(jī)的大范圍使用就要求有功能強(qiáng)大、性能穩(wěn)定的驅(qū)動(dòng)電路來支撐，現(xiàn)在的一些驅(qū)動(dòng)電路存在著功率低下、功能不全、性能不穩(wěn)等不足，給直流電機(jī)的正常高效使用帶來很多不便，阻礙了機(jī)電一體化的快速發(fā)展。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中驅(qū)動(dòng)電路功率低下、功能不全、性能不穩(wěn)等問題。

為解決上述問題，本發(fā)明采用以下技術(shù)手段：一種直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路，連接一單片機(jī)控制電路，所述單片機(jī)控制電路輸出PWM控制信號(hào)控制第一電機(jī)和第二電機(jī)的運(yùn)轉(zhuǎn)速度，所述直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路包括：H橋電路，輸出端連接所述第一電機(jī)和所述第二電機(jī)，用于控制所述第一電機(jī)和所述第二電機(jī)正轉(zhuǎn)、反轉(zhuǎn)和制動(dòng)；與非邏輯電路，連接所述H橋電路，用于控制所述H橋電路中H橋的導(dǎo)通或關(guān)閉；光耦隔離電路，輸入端連接所述單片機(jī)控制電路，輸出端連接所述與非邏輯電路，用于隔離所述單片機(jī)控制電路和所述直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路，保證所述單片機(jī)控制電路的穩(wěn)定；電源電路，由蓄電池供電，分別與所述光耦隔離電路、所述與非邏輯電路和所述H橋電路連接，用于將高壓轉(zhuǎn)換成低壓供給所述光耦隔離電路、所述與非邏輯電路和所述H橋電路。

于本發(fā)明的一實(shí)施方式中，所述光耦隔離電路主要包括：由發(fā)光二極管和光敏三極管耦接組成的光耦合器U4、U5、U6、U7、U9和U10；用于單向?qū)ǖ亩O管D11、D12、D7、D8、D9和D10；用作開關(guān)的三極管Q1、Q2、Q3、Q4、Q5和Q6；所述光耦合器U4、U5、U6、U7、U9和U10中的發(fā)光二極管的輸入端均串聯(lián)電阻后連接主控板電源，輸出端均接單片機(jī)信號(hào)輸出端；所述光耦合器U4、U5、U6、U7、U9和U10中的光敏三極管的集電極均接所述電源電路，發(fā)射極分別接電阻后接地，發(fā)射極還分別正向連接所述二極管D11、D12、D7、D8、D9和D10；所述二極管D11、D12、D7、D8、D9和D10的輸出端均串聯(lián)電阻后 再分別連接所述三極管Q5、Q6、Q1、Q3、Q2和Q4的柵極，所述三極管Q5、Q6、Q1、Q3、Q2和Q4的發(fā)射極均接地，集電極均串聯(lián)電阻后接電源，集電極同時(shí)還串聯(lián)電阻后接所述與非邏輯電路和所述H橋電路；所述二極管D7的輸出端與所述二極管D9的輸出端連接；所述二極管D8的輸出端與所述二極管D10的輸出端連接。

于本發(fā)明的一實(shí)施方式中，所述單片機(jī)信號(hào)輸出端接IDC10封裝接口，所述光耦合器U4中發(fā)光二極管的輸出端接所述IDC10封裝接口的引腳ENA；所述光耦合器U5中發(fā)光二極管的輸出端接所述IDC10封裝接口的引腳ENB；所述光耦合器U6中發(fā)光二極管的輸出端接所述IDC10封裝接口的引腳IN1；所述光耦合器U7中發(fā)光二極管的輸出端接所述IDC10封裝接口的引腳IN3；所述光耦合器U9中發(fā)光二極管的輸出端接所述IDC10封裝接口的引腳IN2；所述光耦合器U10中發(fā)光二極管的輸出端接所述IDC10封裝接口的引腳IN4；所述IDC10封裝接口的引腳GND接地。

于本發(fā)明的一實(shí)施方式中，所述H橋電路包括：由P-MOS管Q8、P-MOS管Q9、N-MOS管Q13和N-MOS管Q14組成的第一H橋電路；由P-MOS管Q10、P-MOS管Q11、N-MOS管Q15和N-MOS管Q16組成的第二H橋電路；所述P-MOS管Q8和所述P-MOS管Q9的源極均接所述電源電路；所述P-MOS管Q8的漏極連接所述N-MOS管Q13的漏極，所述P-MOS管Q9的漏極連接所述N-MOS管Q14的漏極；所述N-MOS管Q13和所述N-MOS管Q14的源極均接地；所述P-MOS管Q8、所述P-MOS管Q9、所述N-MOS管Q13和所述N-MOS管Q14的柵極均連接所述與非邏輯電路；所述P-MOS管Q10和所述P-MOS管Q11的源極均接所述電源電路；所述P-MOS管Q10的漏極連接所述N-MOS管Q15的漏極，所述P-MOS管Q11的漏極連接所述N-MOS管Q16的漏極；所述N-MOS管Q15和所述N-MOS管Q16的源極均接地；所述P-MOS管Q10、所述P-MOS管Q11、所述N-MOS管Q15和所述N-MOS管Q16的柵極均連接所述與非邏輯電路。

于本發(fā)明的一實(shí)施方式中，所述P-MOS管Q8的漏極與所述N-MOS管Q13的漏極之間連接所述第一電機(jī)的一端，所述P-MOS管Q9的漏極與所述N-MOS管Q14的漏極之間連接所述第一電機(jī)的另一端；所述P-MOS管Q10的漏極與所述N-MOS管Q15的漏極之間連接所述第二電機(jī)的一端，所述P-MOS管Q11的漏極與所述N-MOS管Q16的漏極之間連接所述第二電機(jī)的另一端。

于本發(fā)明的一實(shí)施方式中，所述與非邏輯電路包括：邏輯芯片U1、邏輯芯片U2和邏輯芯片U3；所述邏輯芯片U1的引腳3接所述P-MOS管Q8的柵極，引腳6接所述P-MOS管Q9的柵極，引腳8接所述P-MOS管Q10的柵極，引腳11接所述P-MOS管Q11的柵極；所 述邏輯芯片U1的引腳1與所述三極管Q1的集電極電阻相連，引腳2與所述三極管Q5的集電極電阻相連，引腳4與所述三極管Q2的集電極電阻相連，引腳13與所述三極管Q6的集電極電阻相連，引腳12與所述三極管Q4的集電極電阻相連，引腳9與所述三極管Q3的集電極電阻相連，引腳7接所述電源電路，引腳14外接電源；所述邏輯芯片U2的引腳3接所述N-MOS管Q13的柵極，引腳6接所述N-MOS管Q14的柵極，引腳8接所述N-MOS管Q15的柵極，引腳11接所述N-MOS管Q16的柵極；所述邏輯芯片U2的引腳2和引腳5相連后與所述邏輯芯片U3連接；所述邏輯芯片U2的引腳10、引腳13相連后接所述邏輯芯片U3，同時(shí)依次串聯(lián)兩個(gè)電阻后接地，且所述兩電阻之間連接所述二極管D8和所述二極管D10的輸出端；所述邏輯芯片U2的引腳4連接所述耦合器U6中光敏三極管的發(fā)射極，引腳9連接所述耦合器U7中光敏三極管的發(fā)射極，引腳4連接所述耦合器U9中光敏三極管的發(fā)射極，引腳12連接所述耦合器U10中光敏三極管的發(fā)射極；所述邏輯芯片U2的引腳14接所述電源電路，引腳7接地；所述邏輯芯片U3的引腳1和引腳2與所述邏輯芯片U2的引腳2、引腳5相連接，且所述邏輯芯片U3的引腳1和引腳2相連后依次串聯(lián)兩個(gè)電阻后接地，所述兩電阻之間連接所述二極管D7和所述二極管D9的輸出端；所述邏輯芯片U3的引腳4、引腳5與所述邏輯芯片U2的引腳10、引腳13相連；所述邏輯芯片U3的引腳3串聯(lián)電阻后連接所述二極管D11的輸出端，引腳6串聯(lián)電阻后連接所述二極管D12的輸出端，引腳14接所述電源電路，引腳7接地。

于本發(fā)明的一實(shí)施方式中，所述邏輯芯片U1和所述邏輯芯片U3的型號(hào)均為74VHC00，所述邏輯芯片U2的型號(hào)為74VHC08。

于本發(fā)明的一實(shí)施方式中，所述電源電路通過開關(guān)穩(wěn)壓集成電路轉(zhuǎn)換后連接所述邏輯芯片U2的引腳14和所述邏輯芯片U3的引腳14；所述電源電路通過三極管Q12和穩(wěn)壓二極管D13轉(zhuǎn)換后連接所述邏輯芯片U1的引腳7。

于本發(fā)明的一實(shí)施方式中，所述單片機(jī)發(fā)送的PWM控制信號(hào)分別接入所述IDC10封裝接口的引腳ENA和引腳ENB。

于本發(fā)明的一實(shí)施方式中，還包括用于指示電路工作是否正常的指示電路，所述指示電路包括依次串聯(lián)的電阻和發(fā)光二極管。

如上所述，本發(fā)明的一種直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路，具有以下有益效果：

1、控制信號(hào)使用灌電流驅(qū)動(dòng)方式，支持絕大多數(shù)單片機(jī)直接驅(qū)動(dòng)。

2、使能信號(hào)可外接單片機(jī)輸出的PWM信號(hào)，正反轉(zhuǎn)控制信號(hào)可串聯(lián)限位開關(guān)，不僅可以控制電機(jī)的正轉(zhuǎn)、反轉(zhuǎn)以及制動(dòng)，而且還可以調(diào)節(jié)兩個(gè)直流電機(jī)的轉(zhuǎn)速。

3、每路都支持三線控制使能，采用大功率H橋原理控制正反轉(zhuǎn)及制動(dòng)。

4、通過單片機(jī)信號(hào)控制大功率電機(jī)的同時(shí)采用光電隔離，保證單片機(jī)控制電路的穩(wěn)定，解決了大功率直流電機(jī)的驅(qū)動(dòng)問題，使直流電機(jī)能在各種場(chǎng)合安全穩(wěn)定高效的工作。

附圖說明

圖1顯示為單片機(jī)通過本發(fā)明直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路控制電動(dòng)機(jī)工作的示意圖。

圖2顯示為本發(fā)明直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中H橋電路的基本組成示意圖。

圖3顯示為本發(fā)明直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的光耦隔離電路圖。

圖4顯示為本發(fā)明直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中H橋電路和與非邏輯電路圖。

圖5顯示為本發(fā)明直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中電源電路圖。

圖6顯示為本發(fā)明直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中IDC10封裝接口和電源輸入接口示意圖。

圖7顯示為本發(fā)明直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路輸出接口示意圖。

圖8顯示為本發(fā)明直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中指示電路示意圖。

圖中的標(biāo)號(hào)說明：

1 驅(qū)動(dòng)電路

2 單片機(jī)

3 電源

41 第一電機(jī)

11 光耦隔離電路

12 H橋電路

13 與非邏輯電路

14 電源電路

141 24V轉(zhuǎn)5V電路

142 24V轉(zhuǎn)18V電路

15 指示電路

具體實(shí)施方式

以下通過特定的具體實(shí)例說明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)與功效。本發(fā)明還可以通過另外不同的具體實(shí)施方式加以實(shí)施或應(yīng)用，本說明書中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)也可以基于不同觀點(diǎn)與應(yīng)用，在沒有背離本發(fā)明的精 神下進(jìn)行各種修飾或改變。需說明的是，在不沖突的情況下，以下實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。

需要說明的是，以下實(shí)施例中所提供的圖示僅以示意方式說明本發(fā)明的基本構(gòu)想，遂圖式中僅顯示與本發(fā)明中有關(guān)的組件而非按照實(shí)際實(shí)施時(shí)的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實(shí)際實(shí)施時(shí)各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復(fù)雜。

請(qǐng)參閱圖1，顯示為單片機(jī)通過本發(fā)明直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路控制電動(dòng)機(jī)工作的示意圖，所述直流電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路1連接于單片機(jī)2的控制電路，由電源3供電，通過單片機(jī)控制電路輸出PWM控制信號(hào)，驅(qū)動(dòng)大功率直流第一電機(jī)41和第二電機(jī)電機(jī)(圖中未示出)調(diào)速、正反轉(zhuǎn)以及制動(dòng)。

圖2顯示為本發(fā)明直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中H橋電路的基本組成示意圖，采用兩個(gè)P溝道和兩個(gè)N溝道場(chǎng)效應(yīng)管組成，橋臂上的4個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管相當(dāng)于四個(gè)開關(guān)，P型管在柵極為低電平時(shí)導(dǎo)通，高電平時(shí)關(guān)閉；N型管在柵極為高電平時(shí)導(dǎo)通，低電平時(shí)關(guān)閉，可輸出8A電流，足以驅(qū)動(dòng)外部大功率電機(jī)；另外，此電路的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)就是無論控制臂狀態(tài)如何(絕不允許懸空狀態(tài))，H橋都不會(huì)出現(xiàn)“共態(tài)導(dǎo)通”，即短路，在使用時(shí)的安全性上有了穩(wěn)定的保障；最后，使用光耦對(duì)全部控制信號(hào)進(jìn)行隔離，使控制單元在抗干擾及穩(wěn)定性上取得良好效果，下面具體介紹各個(gè)電路的組成。

本發(fā)明采用兩個(gè)H橋電路，輸出端分別連接所述第一電機(jī)41和所述第二電機(jī)，用于控制所述第一電機(jī)41和所述第二電機(jī)正轉(zhuǎn)、反轉(zhuǎn)和制動(dòng)；與非邏輯電路13，連接所述H橋電路12，用于控制所述H橋電路12中H橋的導(dǎo)通或關(guān)閉；光耦隔離電路11，輸入端連接所述單片機(jī)2的控制電路，輸出端連接所述與非邏輯電路13和所述H橋電路，用于隔離所述單片機(jī)控制電路和所述驅(qū)動(dòng)電路1，保證所述單片機(jī)控制電路的穩(wěn)定；電源電路14，分別與所述光耦隔離電路11、所述與非邏輯電路13和所述H橋電路12連接，用于將高壓轉(zhuǎn)換成低壓供給所述光耦隔離電路11、所述與非邏輯電路13和所述H橋電路12?？刂菩盘?hào)使用灌電流(即數(shù)字電路輸出0時(shí)，倒灌入負(fù)載的電流來驅(qū)動(dòng)單片機(jī)以控制信號(hào))驅(qū)動(dòng)方式，支持絕大多數(shù)單片機(jī)直接驅(qū)動(dòng)。

請(qǐng)參閱圖3，顯示為本發(fā)明直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的光耦隔離電路圖，所述光耦隔離電路11主要包括：由發(fā)光二極管和光敏三極管耦接組成的光耦合器U4、U5、U6、U7、U9和U10，其型號(hào)可以是EL357；用于單向?qū)ūＷo(hù)電路的二極管D11、D12、D7、D8、D9和D10；用作開關(guān)的三極管Q1、Q2、Q3、Q4、Q5和Q6，其型號(hào)可以是2N3904；所述光耦合器U4中 的發(fā)光二極管的輸入端接電阻R1，輸出端接IDC10封裝接口P1；所述光耦合器U4中的光敏三極管集電極接電源電路14，發(fā)射極接電阻R2后接地，發(fā)射極還正向連接所述二極管D11、再串聯(lián)電阻R34后連接所述三極管Q5的基極；所述三極管Q5的發(fā)射極接地，集電極通過電阻R29后連接電源3，集電極還通過電阻R32連接所述與非邏輯電路13；所述光耦合器U5中的發(fā)光二極管的輸入端接電阻R3，輸出端接IDC10封裝接口P1；所述光耦合器U5中的光敏三極管集電極接電源電路14，發(fā)射極接電阻R4后接地，發(fā)射極還正向連接所述二極管D12、再串聯(lián)電阻R35后連接所述三極管Q6的基極；所述三極管Q6的發(fā)射極接地，集電極通過電阻R31后連接電源3，集電極還通過電阻R33連接所述與非邏輯電路13；所述光耦合器U6中的發(fā)光二極管的輸入端接電阻R5，輸出端接IDC10封裝接口P1；所述光耦合器U6中的光敏三極管集電極接電源電路14，發(fā)射極接電阻R6后接地，發(fā)射極還正向連接所述二極管D7、發(fā)射極還串聯(lián)電阻R18后連接所述三極管Q1的基極；所述三極管Q1的發(fā)射極接地，集電極通過電阻R14后連接電源3，集電極還通過電阻R15連接所述與非邏輯電路13；所述光耦合器U7中發(fā)光二極管的輸入端接電阻R8，輸出端接IDC10封裝接口P1；所述光耦合器U7中的光敏三極管集電極接電源電路14，發(fā)射極接電阻R9后接地，發(fā)射極還正向連接所述二極管D8、發(fā)射極還串聯(lián)電阻R25后連接所述三極管Q3的基極；所述三極管Q3的發(fā)射極接地，集電極通過電阻R20后連接電源3，集電極還通過電阻R21連接所述與非邏輯電路13；所述光耦合器U9中的發(fā)光二極管的輸入端接電阻R10，輸出端接IDC10封裝接口P1；所述光耦合器U9中的光敏三極管集電極接電源電路14，發(fā)射極接電阻R11后接地，發(fā)射極還正向連接所述二極管D9、發(fā)射極還串聯(lián)電阻R19后連接所述三極管Q2的基極；所述三極管Q2的發(fā)射極接地，集電極通過電阻R16后連接電源3，集電極還通過R17連接所述與非邏輯電路13；所述光耦合器U10中的發(fā)光二極管的輸入端接電阻R12，輸出端接IDC10封裝接口P1；所述光耦合器U10中的光敏三極管集電極接電源電路14，發(fā)射極接電阻R13后接地，發(fā)射極還正向連接所述二極管D10、發(fā)射極還串聯(lián)電阻R26后連接所述三極管Q4的基極；所述三極管Q2的發(fā)射極接地，集電極通過電阻R22后連接電源3，集電極還通過電阻R23連接所述與非邏輯電路13；所述二極管D7的輸出端與所述二極管D9的輸出端連接，所述二極管D8的輸出端與所述二極管D10的輸出端連接，使控制端有一個(gè)高電平，從而保證輸出高電平，再通過所述與非邏輯電路13控制所述H橋電路12的通斷。所以，本發(fā)明通過單片機(jī)2的輸出信號(hào)控制大功率電機(jī)的同時(shí)采用光電隔離，保證單片機(jī)控制電路的穩(wěn)定，解決了大功率直流電機(jī)的驅(qū)動(dòng)問題，使直流電機(jī)能在各種場(chǎng)合安全穩(wěn)定高效的工作。

請(qǐng)結(jié)合圖6中的IDC10封裝接口示意圖，所述光耦合器U4中的發(fā)光二極管的輸出端接 所述IDC10封裝接口P1的引腳ENA；所述光耦合器U5中的發(fā)光二極管的輸出端接所述IDC10封裝接口P1的引腳ENB；所述光耦合器U6中的發(fā)光二極管的輸出端接所述IDC10封裝接口P1的引腳IN1；所述光耦合器U7中的發(fā)光二極管的輸出端接所述IDC10封裝接口P1的引腳IN3；所述光耦合器U9中的發(fā)光二極管的輸出端接所述IDC10封裝接口P1的引腳IN2；所述光耦合器U10中的發(fā)光二極管的輸出端接所述IDC10封裝接口P1的引腳IN4；所述IDC10封裝接口P1的引腳GND接地。每路都支持三線控制使能、正反轉(zhuǎn)及制動(dòng)，使能信號(hào)外接單片機(jī)輸出的PWM信號(hào)。

請(qǐng)參閱圖4，顯示為本發(fā)明直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中H橋電路和與非邏輯電路圖。

所述H橋電路12包括：由P-MOS管Q8、P-MOS管Q9、N-MOS管Q13和N-MOS管Q14組成的第一H橋電路；由P-MOS管Q10、P-MOS管Q11、N-MOS管Q15和N-MOS管Q16組成的第二H橋電路；所述P-MOS管Q8和所述P-MOS管Q9的源極均接所述電源電路14；所述P-MOS管Q8的漏極連接所述N-MOS管Q13的漏極，所述P-MOS管Q9的漏極連接所述N-MOS管Q14的漏極；所述N-MOS管Q13和所述N-MOS管Q14的源極均接地；所述P-MOS管Q8、所述P-MOS管Q9、所述N-MOS管Q13和所述N-MOS管Q14的柵極均連接所述與非邏輯電路13；所述P-MOS管Q10和所述P-MOS管Q11的源極均接所述電源電路14；所述P-MOS管Q10的漏極連接所述N-MOS管Q15的漏極，所述P-MOS管Q11的漏極連接所述N-MOS管Q16的漏極；所述N-MOS管Q15和所述N-MOS管Q16的源極均接地；所述P-MOS管Q10、所述P-MOS管Q11、所述N-MOS管Q15和所述N-MOS管Q16的柵極均連接所述與非邏輯電路13。

于本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述P-MOS管Q8的漏極與所述N-MOS管Q13的漏極之間連接所述第一電機(jī)41的一端，所述P-MOS管Q9的漏極與所述N-MOS管Q14的漏極之間連接所述第一電機(jī)41的另一端；所述P-MOS管Q10的漏極與所述N-MOS管Q15的漏極之間連接所述第二電機(jī)的一端，所述P-MOS管Q11的漏極與所述N-MOS管Q16的漏極之間連接所述第二電機(jī)的另一端。

于本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述與非邏輯電路13包括：邏輯芯片U1、邏輯芯片U2和邏輯芯片U3，所述邏輯芯片U1的引腳3接所述P-MOS管Q8的柵極，引腳6接所述P-MOS管Q9的柵極，引腳8接所述P-MOS管Q10的柵極，引腳11接所述P-MOS管Q11的柵極；所述邏輯芯片U1的引腳1連接所述電阻R15的輸出端；所述邏輯芯片U1的引腳2、引腳5相連后接所述電阻R32的輸出端；所述邏輯芯片U1的引腳4連接所述電阻R17的輸出端；所述邏輯芯片U1的引腳13、引腳10相連后接所述電阻R33的輸出端；所述邏輯芯片U1的 引腳12連接所述電阻R23的輸出端，引腳9連接所述電阻R21的輸出端，引腳7接所述電源電路14，引腳14外接電源；所述邏輯芯片U2的引腳3接所述N-MOS管Q13的柵極，引腳6接所述N-MOS管Q14的柵極，引腳8接所述N-MOS管Q15的柵極，引腳11接所述N-MOS管Q16的柵極；所述邏輯芯片U2的引腳2和引腳5相連后與所述邏輯芯片U3連接；所述邏輯芯片U2的引腳10、引腳13相連后接所述邏輯芯片U3，同時(shí)依次串聯(lián)電阻R30和電阻R37后接地，且所述電阻R30和電阻R37之間連接所述二極管D8和所述二極管D10的輸出端；所述邏輯芯片U2的引腳4連接所述耦合器U6中光敏三極管的發(fā)射極，引腳9連接所述耦合器U7中光敏三極管的發(fā)射極，引腳4連接所述耦合器U9中光敏三極管的發(fā)射極，引腳12連接所述耦合器U10中光敏三極管的發(fā)射極，引腳14接所述電源電路14，引腳7接地；所述邏輯芯片U3的引腳1和引腳2相連后與所述邏輯芯片U2的引腳2、引腳5連接，同時(shí)依次串聯(lián)電阻R38、電阻R28后接地，且所述電阻R38與所述電阻R28之間連接所述二極管D7和所述二極管D9的輸出端；所述邏輯芯片U3的引腳4、引腳5相連后分別與所述邏輯芯片U2的引腳10、引腳13相連；所述邏輯芯片U3的引腳3串聯(lián)電阻R39后連接所述二極管D11的輸出端；所述邏輯芯片U3的引腳6串聯(lián)電阻R40后連接所述二極管D12的輸出端；所述邏輯芯片U3的引腳14接所述電源電路14，引腳7接地。

于本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述邏輯芯片U1和所述邏輯芯片U3的型號(hào)均為74VHC00，所述邏輯芯片U2的型號(hào)為74VHC08。

圖5顯示為本發(fā)明直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中電源電路圖，所述電源電路14通過開關(guān)穩(wěn)壓集成電路LM2575轉(zhuǎn)換后連接所述邏輯芯片U2的引腳14和所述邏輯芯片U3的引腳14；所述電源電路14通過三極管Q12和穩(wěn)壓二極管D13轉(zhuǎn)換后連接所述邏輯芯片U1的引腳7。

于本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述電源電路14包括24V轉(zhuǎn)5V電路141和24V轉(zhuǎn)18V電路142，通過開關(guān)穩(wěn)壓集成電路LM2575轉(zhuǎn)換成5V電壓給所述邏輯芯片U2和所述邏輯芯片U3供電；所述電源電路14通過三極管Q12和穩(wěn)壓二極管D13轉(zhuǎn)換成18V電壓給所述邏輯芯片U1提供基準(zhǔn)電壓，該電壓相對(duì)于供電電源24V是低電平。

圖6顯示為本發(fā)明直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中IDC10封裝接口和電源輸入接口示意圖，其中P1為IDC10封裝接口，P2為電源輸入接口。

于本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述單片機(jī)2發(fā)送的PWM控制信號(hào)分別接入所述IDC10封裝接口P1的引腳ENA和引腳ENB。正反轉(zhuǎn)控制信號(hào)可串聯(lián)限位開關(guān)，不僅可以控制電機(jī)的正轉(zhuǎn)、反轉(zhuǎn)以及制動(dòng)，而且還可以調(diào)節(jié)兩個(gè)直流電機(jī)的轉(zhuǎn)速。

圖7顯示為本發(fā)明直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的輸出接口示意圖，其中P3和P4為驅(qū)動(dòng)電路的兩 路輸出接。

于本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述驅(qū)動(dòng)電路1還包括用于指示電路工作是否正常的指示電路15，如圖8所示，為本發(fā)明直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路1中指示電路15示意圖，所述指示電路15包括依次串聯(lián)的電阻和發(fā)光二極管。

綜上所述，本發(fā)明支持絕大多數(shù)單片機(jī)直接驅(qū)動(dòng)，使能信號(hào)外接單片機(jī)輸出的PWM信號(hào)，正反轉(zhuǎn)控制信號(hào)串聯(lián)限位開關(guān)，不僅可以控制電機(jī)的正轉(zhuǎn)、反轉(zhuǎn)以及制動(dòng)，而且還可以調(diào)節(jié)兩個(gè)直流電機(jī)的轉(zhuǎn)速；每路都支持三線控制使能，采用大功率H橋原理控制正反轉(zhuǎn)及制動(dòng)；采用光電隔離，保證單片機(jī)控制電路的穩(wěn)定，解決了大功率直流電機(jī)的驅(qū)動(dòng)問題，使直流電機(jī)能在各種場(chǎng)合安全穩(wěn)定高效的工作。

上述實(shí)施例僅例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。