本發(fā)明涉及電路板技術(shù)，尤其涉及一種具有較好產(chǎn)品品質(zhì)的電路板及其制作方法。

背景技術(shù)：
隨著科學(xué)技術(shù)的進(jìn)步，電路板在電子產(chǎn)品得到的廣泛的應(yīng)用。關(guān)于電路板的應(yīng)用請(qǐng)參見文獻(xiàn)Takahashi,A.Ooki,N.Nagai,A.Akahoshi,H.Mukoh,A.Wajima,M.Res.Lab,HighdensitymultilayerprintedcircuitboardforHITACM-880，IEEETrans.onComponents,Packaging,andManufacturingTechnology,1992,15(4):418-425。電路板表面的線路一般通過(guò)覆蓋膜進(jìn)行保護(hù)，而覆蓋膜一般通過(guò)壓合的方法貼合在線路表面。然而，在貼合過(guò)程中，非常容易在覆蓋膜與線路之間產(chǎn)生氣泡，如此則使得覆蓋膜的貼合效果不良，不但使得線路無(wú)法得到有效保護(hù)易于氧化，還會(huì)增加在后序工序中爆板的危險(xiǎn)，另外也影響電路板產(chǎn)品的外觀。也就是說(shuō)，覆蓋膜的貼合效果不良將導(dǎo)致電路板產(chǎn)品品質(zhì)降低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
因此，有必要提供一種具有較好產(chǎn)品品質(zhì)的電路板及其制作方法。以下將以實(shí)施例說(shuō)明一種電路板及其制作方法。一種電路板的制作方法，包括步驟：提供電路基板，所述電路基板包括依次堆疊的基底、絕緣層及第一銅箔層，所述電路基板具有產(chǎn)品區(qū)及與產(chǎn)品區(qū)連接的廢料區(qū)；蝕刻電路基板，以將所述產(chǎn)品區(qū)的第一銅箔層形成導(dǎo)電線路，并在所述廢料區(qū)形成貫穿第一銅箔層的多個(gè)第一導(dǎo)氣槽，所述多個(gè)第一導(dǎo)氣槽彼此相鄰且相互平行，多個(gè)第一導(dǎo)氣槽均自產(chǎn)品區(qū)與廢料區(qū)的交界向遠(yuǎn)離產(chǎn)品區(qū)的方向延伸；以及將具有至少一個(gè)第一導(dǎo)氣通孔的第一覆蓋膜貼合于電路基板的第一銅箔層，以使第一覆蓋膜貼合在產(chǎn)品區(qū)的導(dǎo)電線路的表面，并遮蔽廢料區(qū)的多個(gè)第一導(dǎo)氣槽，每個(gè)第一導(dǎo)氣槽均與一個(gè)第一導(dǎo)氣通孔相連通。優(yōu)選的，每個(gè)第一導(dǎo)氣槽的寬度為0.1毫米至0.3毫米，相鄰兩個(gè)第一導(dǎo)氣槽的間距為0.1毫米至0.3毫米。優(yōu)選的，所述電路基板還包括設(shè)置在絕緣層及第一銅箔層之間的第一粘膠層，所述多個(gè)第一導(dǎo)氣槽貫穿第一銅箔層和第一粘膠層。優(yōu)選的，在提供電路基板之后，還包括在電路基板上開設(shè)多個(gè)第一對(duì)位孔的步驟；在將第一覆蓋膜貼合于電路基板的第一銅箔層之前，在第一覆蓋膜中開設(shè)多個(gè)第一開口、多個(gè)第二對(duì)位孔及所述至少一個(gè)第一導(dǎo)氣通孔，所述多個(gè)第一開口對(duì)應(yīng)于第一銅箔層的導(dǎo)電線路的邊接頭及焊盤，所述多個(gè)第二對(duì)位孔與多個(gè)第一對(duì)位孔相對(duì)應(yīng)；在第一覆蓋膜中開設(shè)多個(gè)第二對(duì)位孔之后在將第一覆蓋膜貼合于電路基板的第一銅箔層之前，通過(guò)多個(gè)第一對(duì)位孔和多個(gè)第二對(duì)位孔的配合將第一覆蓋膜與電路基板對(duì)齊。優(yōu)選的，所述電路基板的基底包括第二銅箔層；在蝕刻電路基板的第一銅箔層時(shí)，還蝕刻所述第二銅箔層，以將所述產(chǎn)品區(qū)的第二銅箔層形成導(dǎo)電線路，并在所述廢料區(qū)形成貫穿第二銅箔層的多個(gè)第二導(dǎo)氣槽，所述多個(gè)第二導(dǎo)氣槽彼此相鄰且相互平行，多個(gè)第二導(dǎo)氣槽均自產(chǎn)品區(qū)與廢料區(qū)的交界向遠(yuǎn)離產(chǎn)品區(qū)的方向延伸；在將第一覆蓋膜貼合于電路基板的第一銅箔層之后，提供具有至少一個(gè)第二導(dǎo)氣通孔的第二覆蓋膜，并將第二覆蓋膜貼合于電路基板的第二銅箔層表面，以使第二覆蓋膜遮蔽廢料區(qū)的多個(gè)第二導(dǎo)氣槽，每個(gè)第二導(dǎo)氣槽均與一個(gè)第二導(dǎo)氣通孔相連通。優(yōu)選的，每個(gè)第二導(dǎo)氣槽的寬度為0.1毫米至0.3毫米，相鄰兩個(gè)第二導(dǎo)氣槽的間距為0.1毫米至0.3毫米。一種電路板，其包括依次堆疊的基底、絕緣層、第一銅箔層及第一覆蓋膜，所述電路板具有產(chǎn)品區(qū)及與產(chǎn)品區(qū)連接的廢料區(qū)，所述產(chǎn)品區(qū)的第一銅箔層形成有導(dǎo)電線路，所述廢料區(qū)形成有貫穿第一銅箔層且被第一覆蓋膜遮蔽的多個(gè)第一導(dǎo)氣槽，所述多個(gè)第一導(dǎo)氣槽彼此相鄰且相互平行，多個(gè)第一導(dǎo)氣槽均自產(chǎn)品區(qū)與廢料區(qū)的交界向遠(yuǎn)離產(chǎn)品區(qū)的方向延伸，所述第一覆蓋膜的廢料區(qū)形成有至少一個(gè)第一導(dǎo)氣通孔，每個(gè)第一導(dǎo)氣槽均與一個(gè)第一導(dǎo)氣通孔相連通。優(yōu)選的，每個(gè)第一導(dǎo)氣槽的寬度為0.1毫米至0.3毫米，相鄰兩個(gè)第一導(dǎo)氣槽的間距為0.1毫米至0.3毫米。優(yōu)選的，所述基底包括第二銅箔層，所述電路板還包括設(shè)置在第二銅箔層遠(yuǎn)離絕緣層一側(cè)的第二覆蓋膜，所述產(chǎn)品區(qū)的第二銅箔層也形成有導(dǎo)電線路，所述廢料區(qū)還形成有貫穿第二銅箔層且被第二覆蓋膜遮蔽的多個(gè)第二導(dǎo)氣槽，所述多個(gè)第二導(dǎo)氣槽彼此相鄰且相互平行，多個(gè)第二導(dǎo)氣槽均自產(chǎn)品區(qū)與廢料區(qū)的交界向遠(yuǎn)離產(chǎn)品區(qū)的方向延伸，所述第二覆蓋膜的廢料區(qū)形成有至少一個(gè)第二導(dǎo)氣通孔，每個(gè)第二導(dǎo)氣槽均與一個(gè)第二導(dǎo)氣通孔相連通。優(yōu)選的，每個(gè)第二導(dǎo)氣槽的寬度為0.1毫米至0.3毫米，相鄰兩個(gè)第二導(dǎo)氣槽的間距為0.1毫米至0.3毫米。本技術(shù)方案電路板的制作方法具有如下優(yōu)點(diǎn)：本技術(shù)方案中，在電路基板的產(chǎn)品區(qū)蝕刻制作導(dǎo)電線路時(shí)同時(shí)在廢料區(qū)蝕刻形成多個(gè)第一導(dǎo)氣槽，而在電路基板的導(dǎo)電線路表面壓合第一覆蓋膜之前，已在第一覆蓋膜中開設(shè)至少一個(gè)第一導(dǎo)氣通孔，如此，在導(dǎo)電線路表面壓合第一覆蓋膜時(shí)，電路基板與第一覆蓋膜之間的氣體可以通過(guò)多個(gè)第一導(dǎo)氣槽導(dǎo)出，并最終從與第一導(dǎo)氣槽連通的第一導(dǎo)氣通孔逸出。并且，多個(gè)第一導(dǎo)氣槽密切相鄰，第一覆蓋膜不會(huì)塌陷在任何一個(gè)第一導(dǎo)氣槽之內(nèi)，如此則充分保證了第一導(dǎo)氣槽的導(dǎo)氣性能。因此，本技術(shù)方案避免了在壓合過(guò)程中在第一覆蓋膜和電路基板之間產(chǎn)生氣泡，使得第一覆蓋膜和電路基板緊密接觸，提高了壓合效果和最終的電路板成品性能。本技術(shù)方案的電路板具有良好的產(chǎn)品品質(zhì)和平整的外觀。附圖說(shuō)明圖1為本技術(shù)方案實(shí)施方式提供的電路板的制作方法的流程示意圖。圖2為本技術(shù)方案實(shí)施方式提供的電路基板的正視圖。圖3為本技術(shù)方案實(shí)施方式提供的電路基板的俯視圖。圖4為本技術(shù)方案實(shí)施方式提供的蝕刻電路基板后的第一銅箔層的俯視示意圖。圖5為圖4沿V-V線的剖視圖。圖6為本技術(shù)方案實(shí)施方式提供的蝕刻電路基板后的第二銅箔層的仰視示意圖。圖7為本技術(shù)方案實(shí)施方式提供的第一覆蓋膜的俯視示意圖。圖8為本技術(shù)方案實(shí)施方式提供的第一覆蓋膜貼合在電路基板的第一銅箔層表面后在第一導(dǎo)氣槽位置處的剖視示意圖。圖9為本技術(shù)方案實(shí)施方式提供的第一覆蓋膜貼合在電路基板的第一銅箔層表面后在第一導(dǎo)氣槽位置處的正視示意圖。圖10為本技術(shù)方案實(shí)施方式提供的第二覆蓋膜的仰視示意圖。圖11為本技術(shù)方案實(shí)施方式獲得的電路板的正視示意圖。主要元件符號(hào)說(shuō)明電路基板10第一銅箔層11第一粘膠層12絕緣層13第二粘膠層14第二銅箔層15基底100產(chǎn)品區(qū)101廢料區(qū)102第一對(duì)位孔103第一導(dǎo)氣槽104第二導(dǎo)氣槽105邊接頭111第一焊盤112第一線路113第二焊盤151第二線路152第一覆蓋膜16第一開口161第一導(dǎo)氣通孔162第二對(duì)位孔163第二覆蓋膜17第二開口171第二導(dǎo)氣通孔172第三對(duì)位孔173電路板108如下具體實(shí)施方式將結(jié)合上述附圖進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本技術(shù)方案提供的電路板的制作方法及制出的電路板作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。請(qǐng)參閱圖1，本技術(shù)方案提供的電路板的制作方法，包括步驟：第一步，請(qǐng)參閱圖2及圖3，提供電路基板10。在本實(shí)施例中，所述電路基板10為雙面有膠軟性覆銅板，其包括從上到下依次設(shè)置的第一銅箔層11、第一粘膠層12、絕緣層13、第二粘膠層14及第二銅箔層15。所述絕緣層13起到支撐作用，其最常用材料為聚酰亞胺（Polyimide,PI），但也可以為聚乙烯對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PolyethyleneTerephtalate,PET)或?yàn)榫圯炼姿嵋叶?poly(ethylenenaphthalate),PEN)。所述第二粘膠層14和第二銅箔層15構(gòu)成基底100。當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，電路基板10可以為其他結(jié)構(gòu)。例如，電路基板10可以為雙面無(wú)膠軟性覆銅板，即為僅包括第一銅箔層11、絕緣層13及第二銅箔層15的結(jié)構(gòu)，而不包括第一粘膠層12和第二粘膠層14。再例如，電路基板10可以為多層基板，即，基底100為包括多層交替排列的銅箔層與絕緣層的結(jié)構(gòu)。所述電路基板10具有產(chǎn)品區(qū)101及與產(chǎn)品區(qū)101連接的廢料區(qū)102。產(chǎn)品區(qū)101用于構(gòu)成電路板成品，廢料區(qū)102不構(gòu)成電路板成品，用于在電路板成品的制作過(guò)程中起到支撐輔助產(chǎn)品區(qū)101的作用，將在制成電路板成品前被去除。在本實(shí)施例中，產(chǎn)品區(qū)101為長(zhǎng)方形，廢料區(qū)102位于產(chǎn)品區(qū)101四周，且環(huán)繞連接產(chǎn)品區(qū)101。產(chǎn)品區(qū)101與廢料區(qū)102均具有相同的堆疊結(jié)構(gòu)，即，均包括第一銅箔層11、第一粘膠層12、絕緣層13、第二粘膠層14及第二銅箔層15的一部分。在進(jìn)行下一步之前，還可以對(duì)電路基板10進(jìn)行開孔、鍍銅等步驟，以在電路基板10的產(chǎn)品區(qū)101形成導(dǎo)通第一銅箔層11和第二銅箔層15的導(dǎo)通孔，并在廢料區(qū)102開出用于后續(xù)對(duì)位的多個(gè)第一對(duì)位孔103。第二步，請(qǐng)一并參閱圖4至圖6，蝕刻電路基板10，以將所述產(chǎn)品區(qū)101的第一銅箔層11和第二銅箔層15均形成導(dǎo)電線路，并在所述廢料區(qū)102形成多個(gè)第一導(dǎo)氣槽104和多個(gè)第二導(dǎo)氣槽105。需要說(shuō)明的是，導(dǎo)電線路的具體設(shè)計(jì)需根據(jù)具體產(chǎn)品的需求而定，在圖4中，僅是示意性繪出導(dǎo)電線路在本實(shí)施例中的結(jié)構(gòu)。本實(shí)施例中，第一銅箔層11的導(dǎo)電線路包括多個(gè)邊接頭111、多個(gè)第一焊盤112及多條第一線路113，當(dāng)然第一銅箔層11的導(dǎo)電線路還可以包括其他線路元件。第二銅箔層15的導(dǎo)電線路包括多個(gè)第二焊盤151和多條第二線路152，當(dāng)然還可以包括其他線路元件。另外，用于蝕刻電路基板10的化學(xué)蝕刻液具有較強(qiáng)的蝕刻性能，一般來(lái)說(shuō)，在蝕刻去除部分銅箔層11、15從而形成導(dǎo)電線路的同時(shí)還能蝕刻去除部分粘膠層12、14。也就是說(shuō)，一般而言，導(dǎo)電線路之間是暴露出的絕緣層13，導(dǎo)氣槽104、105也暴露出絕緣層13。每個(gè)第一導(dǎo)氣槽104均貫穿第一銅箔層11和第一粘膠層12，且暴露出絕緣層13。所述多個(gè)第一導(dǎo)氣槽104彼此相鄰且相互平行。每個(gè)第二導(dǎo)氣槽105均貫穿第二銅箔層15和第二粘膠層14，且暴露出絕緣層13。多個(gè)第二導(dǎo)氣槽105也彼此相鄰且相互平行。多個(gè)第一導(dǎo)氣槽104和多個(gè)第二導(dǎo)氣槽105均自產(chǎn)品區(qū)101與廢料區(qū)102的交界向遠(yuǎn)離產(chǎn)品區(qū)101的方向延伸。具體地，多個(gè)第一導(dǎo)氣槽104從產(chǎn)品區(qū)101的一個(gè)邊角向廢料區(qū)102延伸，多個(gè)第二導(dǎo)氣槽105從產(chǎn)品區(qū)101的一條邊向廢料區(qū)102延伸。第一導(dǎo)氣槽104和第二導(dǎo)氣槽105的數(shù)量不限，在本實(shí)施例中，第一導(dǎo)氣槽104和第二導(dǎo)氣槽105的數(shù)量均為5個(gè)，每個(gè)導(dǎo)氣槽104、105的寬度約為0.11mm，相鄰兩個(gè)第一導(dǎo)氣槽104的寬度為0.1mm，相鄰兩個(gè)第二導(dǎo)氣槽105的寬度為0.1mm。在實(shí)際應(yīng)用中，每個(gè)導(dǎo)氣槽104、105的寬度范圍為0.1mm至0.3mm。相鄰兩個(gè)第一導(dǎo)氣槽104的寬度范圍為0.1mm至0.3mm，相鄰兩個(gè)第二導(dǎo)氣槽105的寬度范圍為0.1mm至0.3mm。每個(gè)第一導(dǎo)氣槽104的深度為第一銅箔層11的厚度與第一粘膠層12的厚度的加和，在本實(shí)施例中，約為30μm。通常在實(shí)際應(yīng)用中，第一銅箔層11的厚度范圍約為12μm-30μm，第一粘膠層12的厚度約為10μm-25μm，因此，第一導(dǎo)氣槽104的深度范圍為22μm-55μm。第二導(dǎo)氣槽105的深度為第二銅箔層15的厚度與第二粘膠層14的厚度的加和，第二導(dǎo)氣槽105深度范圍為22μm-55μm。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，當(dāng)電路基板10為不包括粘膠層12、14的雙面無(wú)膠軟性覆銅板時(shí)，第一導(dǎo)氣槽104僅貫穿第一銅箔層11并暴露出絕緣層13，其厚度范圍相當(dāng)于第一銅箔層11的厚度范圍；第二導(dǎo)氣槽105僅貫穿第二銅箔層15并暴露出絕緣層13，其厚度范圍相當(dāng)于第二銅箔層15的厚度范圍。第三步，請(qǐng)參閱圖7至圖9，提供第一覆蓋膜16，并將第一覆蓋膜16貼合在電路基板10的第一銅箔層11的表面。第一覆蓋膜16的尺寸形狀與電路基板10相對(duì)應(yīng)。在貼合之前，需通過(guò)沖型或鉆孔等方式先在第一覆蓋膜16中開孔，以在第一覆蓋膜16中對(duì)應(yīng)于產(chǎn)品區(qū)101的區(qū)域開設(shè)多個(gè)第一開口161，并在第一覆蓋膜16中對(duì)應(yīng)于廢料區(qū)102的區(qū)域開設(shè)至少一個(gè)第一導(dǎo)氣通孔162和多個(gè)第二對(duì)位孔163。多個(gè)第一開口161用于暴露出產(chǎn)品區(qū)101中需要在后序進(jìn)行表面處理的區(qū)域，例如金手指區(qū)域、焊盤等。所述至少一個(gè)第一導(dǎo)氣通孔162與多個(gè)第一導(dǎo)氣槽104對(duì)應(yīng)，所述多個(gè)第二對(duì)位孔163與多個(gè)第一對(duì)位孔103相對(duì)應(yīng)，用于在貼合第一覆蓋膜16時(shí)使得第一覆蓋膜16與電路基板10配合對(duì)位。通過(guò)多個(gè)第二對(duì)位孔163與多個(gè)第一對(duì)位孔103配合對(duì)位，可以使得第一覆蓋膜16和電路基板10對(duì)齊，如此，即可使得第一覆蓋膜16可以通過(guò)壓合的方法貼合在第一銅箔層11的表面。具體地，在產(chǎn)品區(qū)101，第一覆蓋膜16貼合在第一銅箔層11的導(dǎo)電線路的表面，多個(gè)第一開口161暴露出第一銅箔層11的導(dǎo)電線路中需要在后序進(jìn)行表面處理的區(qū)域，例如邊接頭111、第一焊盤112等；在廢料區(qū)102，第一覆蓋膜16遮蔽廢料區(qū)102的多個(gè)第一導(dǎo)氣槽104，同時(shí)還使得每個(gè)第一導(dǎo)氣槽104均與一個(gè)第一導(dǎo)氣通孔162相連通，如圖9所示。在本實(shí)施例中，所述至少一個(gè)第一導(dǎo)氣通孔162為一個(gè)第一導(dǎo)氣通孔162，五個(gè)第一導(dǎo)氣槽104均與該第一導(dǎo)氣通孔162連通。該第一導(dǎo)氣通孔162的直徑范圍為1mm至4mm。需要說(shuō)明的是，第一導(dǎo)氣通孔162的數(shù)量不限，與一個(gè)第一導(dǎo)氣通孔162連通的第一導(dǎo)氣槽104的數(shù)量也不限，僅需使得每個(gè)第一導(dǎo)氣槽104均與一個(gè)第一導(dǎo)氣通孔162相連通即可。例如，可以在第一覆蓋膜16開設(shè)兩個(gè)第一導(dǎo)氣通孔162，使得兩個(gè)第一導(dǎo)氣槽104分別與一個(gè)第一導(dǎo)氣通孔162對(duì)應(yīng)連通，另三個(gè)第一導(dǎo)氣槽104與另一個(gè)第一導(dǎo)氣通孔162對(duì)應(yīng)連通。再例如，在其他實(shí)施例中，可以在第一覆蓋膜16開設(shè)五個(gè)第一導(dǎo)氣通孔162，使得每個(gè)第一導(dǎo)氣槽104分別與一個(gè)第一導(dǎo)氣通孔162對(duì)應(yīng)連通。再例如，各個(gè)第一導(dǎo)氣槽104的長(zhǎng)度可以不一致，如此，五個(gè)第一導(dǎo)氣通孔162的分布位置可以依各第一導(dǎo)氣槽104的長(zhǎng)度而定。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，第一覆蓋膜16貼合在第一銅箔層11的表面的過(guò)程中，非常容易在第一覆蓋膜16和第一銅箔層11的表面之間產(chǎn)生微小氣泡，尤其是在第一覆蓋膜16對(duì)應(yīng)于產(chǎn)品區(qū)101的區(qū)域中遠(yuǎn)離第一開口161的位置。在本實(shí)施例中，第一開口161集中于產(chǎn)品區(qū)101的上側(cè)及右側(cè)，因而，在產(chǎn)品區(qū)101的左下側(cè)易于在壓合過(guò)程中產(chǎn)生氣泡。然而，在本技術(shù)方案中，由于產(chǎn)品區(qū)101的左下側(cè)具有自廢料區(qū)102延伸的多個(gè)第一導(dǎo)氣槽104的存在，可以使得壓合過(guò)程中在產(chǎn)品區(qū)101的左下側(cè)易于產(chǎn)生氣泡的氣體通過(guò)多個(gè)第一導(dǎo)氣槽104導(dǎo)出，并最終從第一導(dǎo)氣通孔162逸出。并且，由于每個(gè)第一導(dǎo)氣槽104的寬度較小，多個(gè)第一導(dǎo)氣槽104密切相鄰，第一覆蓋膜16并不會(huì)塌陷在任何一個(gè)第一導(dǎo)氣槽104之內(nèi)，如圖8所示，如此則充分保證了第一導(dǎo)氣槽104的導(dǎo)氣性能。因此，本技術(shù)方案避免了在壓合過(guò)程中在第一覆蓋膜16和第一銅箔層11之間產(chǎn)生氣泡，使得第一覆蓋膜16和第一銅箔層11緊密接觸，提高了壓合效果和最終的電路板成品性能。根據(jù)上述說(shuō)明，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，第一導(dǎo)氣槽104的開設(shè)位置和開設(shè)數(shù)量不限，優(yōu)選開設(shè)于遠(yuǎn)離第一銅箔層11的導(dǎo)電線路中需要在后序進(jìn)行表面處理的區(qū)域。事實(shí)上，在本實(shí)施例中，除了在第一銅箔層11的產(chǎn)品區(qū)101的左下側(cè)開設(shè)多個(gè)第一導(dǎo)氣槽104外，還可以在第一銅箔層11的產(chǎn)品區(qū)101的左側(cè)和下側(cè)均開設(shè)多個(gè)第一導(dǎo)氣槽104，如此即可更好起到導(dǎo)氣的效果。另外，需要指出，第一導(dǎo)氣通孔162可以為各種孔，例如可以為工具孔，在起到工具孔的作用的同時(shí)還起到導(dǎo)氣的作用。第四步，將貼合了第一覆蓋膜16的電路基板10翻面，并在電路基板10的第二銅箔層15表面貼合如圖10所示的第二覆蓋膜17。第二覆蓋膜17的尺寸形狀也與電路基板10相對(duì)應(yīng)。在貼合之前，需通過(guò)沖型或鉆孔等方式先在第二覆蓋膜17中開孔，以在第二覆蓋膜17中對(duì)應(yīng)于產(chǎn)品區(qū)101的區(qū)域開設(shè)多個(gè)第二開口171，并在第二覆蓋膜17中對(duì)應(yīng)于廢料區(qū)102的區(qū)域開設(shè)至少一個(gè)第二導(dǎo)氣通孔172和多個(gè)第三對(duì)位孔173。多個(gè)第二開口171用于暴露出產(chǎn)品區(qū)101的第二銅箔層15的導(dǎo)電線路中需要在后序進(jìn)行表面處理的區(qū)域，例如第二焊盤151等。所述至少一個(gè)第二導(dǎo)氣通孔172與多個(gè)第二導(dǎo)氣槽105對(duì)應(yīng)，所述多個(gè)第三對(duì)位孔173與多個(gè)第一對(duì)位孔103相對(duì)應(yīng)，用于在貼合第二覆蓋膜17時(shí)使得第二覆蓋膜17與電路基板10配合對(duì)位。第二覆蓋膜17的貼合工藝與第一覆蓋膜16的貼合工藝相近，可以通過(guò)壓合的方法貼合在第二銅箔層15的表面。具體地，在產(chǎn)品區(qū)101，第二覆蓋膜17貼合在第二銅箔層15的導(dǎo)電線路的表面，多個(gè)第二開口171暴露出需要在后序進(jìn)行表面處理的區(qū)域；在廢料區(qū)102，第二覆蓋膜16遮蔽廢料區(qū)102的多個(gè)第二導(dǎo)氣槽105，同時(shí)還使得每個(gè)第二導(dǎo)氣槽105均與一個(gè)第二導(dǎo)氣通孔172相連通。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，在貼合第二覆蓋膜17過(guò)程中，非常容易在第二覆蓋膜17和第二銅箔層15的表面之間產(chǎn)生微小氣泡，尤其是在第二覆蓋膜17對(duì)應(yīng)于產(chǎn)品區(qū)101的區(qū)域中遠(yuǎn)離第二開口171的位置。在本實(shí)施例中，第二開口171集中于產(chǎn)品區(qū)101的左上側(cè)及左下側(cè)，因而，在產(chǎn)品區(qū)101的左側(cè)易于在壓合過(guò)程中產(chǎn)生氣泡。然而，在本技術(shù)方案中，由于產(chǎn)品區(qū)101的左側(cè)具有自廢料區(qū)102延伸的多個(gè)第二導(dǎo)氣槽105的存在，可以使得壓合過(guò)程中在產(chǎn)品區(qū)101的右側(cè)易于產(chǎn)生氣泡的氣體通過(guò)多個(gè)第二導(dǎo)氣槽105導(dǎo)出，并最終從第二導(dǎo)氣通孔172逸出。如此，則避免了在壓合過(guò)程中在第二覆蓋膜17和第二銅箔層15之間產(chǎn)生氣泡。另外，需要指出的是，當(dāng)基底100為已包含有覆蓋膜的單層、雙層或多層結(jié)構(gòu)時(shí)，本技術(shù)方案可以不包括第四步的步驟。在貼合第二覆蓋膜17之后，即可將電路基板10制成電路板108。需要說(shuō)明的是，貼合第二覆蓋膜17的步驟也可以與貼合第一覆蓋膜16的步驟同時(shí)完成。本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知，在貼合第二覆蓋膜17之后，還可以對(duì)電路板108進(jìn)行鍍金、沖型等處理工藝，最終獲得電路板成品。請(qǐng)一并參閱圖1至圖11，通過(guò)上述工藝制成的電路板108包括自下而上依次堆疊的第二覆蓋膜17、基底100、絕緣層13、第一粘膠層12、第一銅箔層11及第一覆蓋膜16。所述電路板108具有產(chǎn)品區(qū)101及與產(chǎn)品區(qū)101連接的廢料區(qū)102，所述產(chǎn)品區(qū)101的第一銅箔層11形成有導(dǎo)電線路，所述廢料區(qū)102形成有貫穿第一銅箔層11且被第一覆蓋膜16遮蔽的多個(gè)第一導(dǎo)氣槽104，所述多個(gè)第一導(dǎo)氣槽104彼此相鄰且相互平行，多個(gè)第一導(dǎo)氣槽104均自產(chǎn)品區(qū)101與廢料區(qū)102的交界向遠(yuǎn)離產(chǎn)品區(qū)101的方向延伸。所述廢料區(qū)102的第一覆蓋膜16形成有至少一個(gè)第一導(dǎo)氣通孔162，每個(gè)第一導(dǎo)氣槽104均與一個(gè)第一導(dǎo)氣通孔162相連通。在本實(shí)施例中，基底100為包括一層銅箔層的單層結(jié)構(gòu)，在其他實(shí)施例中，基底100可以為包括不包括銅箔層的絕緣基底，也可以為包括兩層以上銅箔層的多層結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中，基底100不包括覆蓋膜，在其他實(shí)施例中，基底100可以為包括絕緣膜的多層結(jié)構(gòu)，例如，基底100可以為包括第二粘膠層14、第二銅箔層15及第二覆蓋膜17的結(jié)構(gòu)，或者可以為包括交替排列的多層銅箔層與多層絕緣層及一層覆蓋膜的結(jié)構(gòu)。如此，電路板108中的第二覆蓋膜17并非為必要技術(shù)特征。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，本技術(shù)方案中，在電路基板10的產(chǎn)品區(qū)101蝕刻制作導(dǎo)電線路時(shí)同時(shí)在廢料區(qū)102蝕刻形成多個(gè)第一導(dǎo)氣槽104和多個(gè)第二導(dǎo)氣槽105，而在電路基板10兩側(cè)的導(dǎo)電線路表面壓合第一覆蓋膜16和第二覆蓋膜17之前，事先在第一覆蓋膜16和第二覆蓋膜17中分別開設(shè)至少一個(gè)第一導(dǎo)氣通孔162和第二導(dǎo)氣通孔172，如此，在電路基板10兩側(cè)壓合第一覆蓋膜16和第二覆蓋膜17時(shí)，電路基板10與第一覆蓋膜16之間的氣體可以通過(guò)多個(gè)第一導(dǎo)氣槽104導(dǎo)出，并最終從與第一導(dǎo)氣槽104連通的第一導(dǎo)氣通孔162逸出，電路基板10與第二覆蓋膜17之間的氣體可以通過(guò)多個(gè)第二導(dǎo)氣槽105導(dǎo)出，并最終從與第二導(dǎo)氣槽105連通的第二導(dǎo)氣通孔172逸出。并且，由于每個(gè)第一導(dǎo)氣槽104和第二導(dǎo)氣槽105的寬度較小，多個(gè)第一導(dǎo)氣槽104密切相鄰，多個(gè)第二導(dǎo)氣槽105也密切相鄰，第一覆蓋膜16并不會(huì)塌陷在任何一個(gè)第一導(dǎo)氣槽104之內(nèi)，第二覆蓋膜17也不塌陷在任何一個(gè)第二導(dǎo)氣槽105之內(nèi)，如此則充分保證了第一導(dǎo)氣槽104和第二導(dǎo)氣槽105的導(dǎo)氣性能。因此，本技術(shù)方案避免了在壓合過(guò)程中在覆蓋膜16、17和電路基板10之間產(chǎn)生氣泡，使得覆蓋膜16、17和電路基板緊密接觸，提高了壓合效果和最終的電路板成品性能?？梢岳斫獾氖?，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思做出其它各種相應(yīng)的改變與變形，而所有這些改變與變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。