本發(fā)明屬于印制線路板制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及到一種能夠增強(qiáng)層壓表面結(jié)合力的印制電路板內(nèi)層圖形的制作方法。

背景技術(shù)：

隨著PCB的設(shè)計(jì)更加復(fù)雜化，更加需要最終PCB的高多層化，而印制電路板銅線路表面必須具有足夠的附著力才能進(jìn)行多層層壓，以制作高多層印制線路板。傳統(tǒng)印制線路板銅表面附著力提升的方法為蝕刻法，其工作原理為：通過(guò)黑化處理或棕化處理的溶液體系蝕刻印制線路的銅表面，增加銅表面的粗糙度從而通過(guò)物理咬合或結(jié)合化學(xué)結(jié)合力的方式提高銅線路與層壓樹(shù)脂的附著力。其中，“黑化處理”是在銅線路上形成針狀的氧化銅結(jié)晶，由于這種方法中氧化銅為黑色故稱(chēng)之為“黑化處理”，這種黑化處理中銅線路上不會(huì)形成粘結(jié)層，由于銅的氧化物與樹(shù)脂的相容性較純銅好，以此提高印制線路與銅之間的附著力；“棕化處理”也是通過(guò)粗化銅表面，增加銅面的表面積，同時(shí)在板面沉積一層均勻、有粘合性質(zhì)的有機(jī)金屬薄膜，以提高銅面與半固化片(層壓樹(shù)脂)之間的結(jié)合力。

隨著線路逐漸向高密度化、以及信號(hào)傳輸向高頻化發(fā)展，特別是近年來(lái)4G、5G通信技術(shù)的發(fā)展，使得印制線路板線寬開(kāi)始進(jìn)入了10μm的范疇，信號(hào)傳輸進(jìn)入20GHz領(lǐng)域。傳統(tǒng)黑化處理和棕化處理的限制愈益明顯，由于棕化處理與黑化處理會(huì)增加銅表面的粗糙度，然而粗糙線路對(duì)于信號(hào)傳輸?shù)耐暾援a(chǎn)生了極大的影響，已逐漸無(wú)法滿足實(shí)際的應(yīng)用需求。特別是高頻信號(hào)傳輸過(guò)程中產(chǎn)生的“趨膚效應(yīng)”，使得高頻信號(hào)在長(zhǎng)線程傳輸中信號(hào)損失嚴(yán)重。

現(xiàn)有技術(shù)中印制電路板行業(yè)在多層印制電路板的圖形制作過(guò)程中采用二次圖形法，其中內(nèi)層圖形工序的流程主要為：前處理→鉆孔→內(nèi)層圖形轉(zhuǎn)移→沉銅加厚→電鍍錫鉛→去膜處理→內(nèi)層蝕刻→退錫鉛→得到目通過(guò)的圖形。然后黑化處理、棕化處理或白化處理增強(qiáng)層壓表面結(jié)合力以進(jìn)行層壓工序。在上述過(guò)程中，電鍍錫鉛采用傳統(tǒng)的氟硼酸鹽體系，因而在退錫鉛中產(chǎn)生的錫鉛化合物對(duì)環(huán)境污染大。近年來(lái)，人類(lèi)對(duì)健康和環(huán)境問(wèn)題越來(lái)越重視，歐洲國(guó)家相繼發(fā)布了RoHS(關(guān)于在電子電器設(shè)備中禁止使用某些有害物質(zhì))指令和WEEE(消費(fèi)性產(chǎn)品中禁止特定有害物質(zhì))指令。中國(guó)政府同樣也頒布了《電子信息產(chǎn)品污染防治管理辦法》，要求爭(zhēng)取在年月日以前我國(guó)出口的主要電子產(chǎn)品全部實(shí)現(xiàn)無(wú)鉛化；此外，電鍍工藝 要求高、耗時(shí)長(zhǎng)，工序復(fù)雜，導(dǎo)致了印制電路板制造成本昂貴。

因此，開(kāi)發(fā)出一種非蝕刻型增強(qiáng)層壓結(jié)合力且兼具環(huán)保和經(jīng)濟(jì)效益的印制電路板內(nèi)層圖形的制作方法勢(shì)在必行，這種印制電路板內(nèi)層圖形的制作方法適合于高頻線路與精細(xì)線路的未來(lái)發(fā)展。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中多層印制電路板制作工藝層壓表面結(jié)合力有待提高的問(wèn)題，本發(fā)明公開(kāi)了一種印制電路板內(nèi)層圖形的制作方法，該方法在蝕刻形成線路的同時(shí)能夠達(dá)到增強(qiáng)層壓表面結(jié)合力的目的，本發(fā)明通過(guò)通過(guò)在圖形轉(zhuǎn)移形成的線路銅層和導(dǎo)通孔內(nèi)銅層上化學(xué)鍍形成純錫層，所述純錫層同時(shí)作為抗蝕層和白化增強(qiáng)層使用；同時(shí)，本發(fā)明使用純錫層代替?zhèn)鹘y(tǒng)的錫鉛層，具有環(huán)保效益；進(jìn)一步地，本發(fā)明采用的化學(xué)鍍錫有別于傳統(tǒng)蝕刻法通過(guò)增加銅表面的粗糙度以增強(qiáng)層壓表面結(jié)合力，避免了粗糙線路對(duì)信號(hào)傳輸完整性的影響。

鑒于上文所述，本發(fā)明提供以下技術(shù)方案：

一種層壓表面結(jié)合力增強(qiáng)型印制電路板內(nèi)層圖形的制作方法，其特征在于，至少包括以下步驟：

步驟A：提供一經(jīng)過(guò)前處理的覆銅板，將所述覆銅板經(jīng)過(guò)鉆孔處理形成內(nèi)層孔，并在所述內(nèi)層孔內(nèi)實(shí)現(xiàn)金屬化制得導(dǎo)通孔；然后通過(guò)壓膜、曝光、顯影處理，使得所述覆銅板表面形成負(fù)相干掩膜圖形；在所述覆銅板上通過(guò)電鍍加厚圖形轉(zhuǎn)移后形成的線路銅層和導(dǎo)通孔內(nèi)銅層；

步驟B：通過(guò)化學(xué)鍍?cè)诓襟EA制得的導(dǎo)通孔內(nèi)銅層和線路銅層上形成純錫層作為抗蝕刻層；

步驟C：對(duì)步驟B所得基板進(jìn)行去膜處理以清除膜層使得銅層露出，再進(jìn)行蝕刻去除多余銅層，最終在印制電路板上制得目標(biāo)圖形；本發(fā)明中，所述步驟C中采用堿性蝕刻去除多余銅層。

優(yōu)選地，本發(fā)明的步驟B中純錫層的厚度為0.3μm～1.0μm。

優(yōu)選地，本發(fā)明的步驟B中化學(xué)鍍純錫層采用如下處理體系：

所述處理體系包括以下三個(gè)獨(dú)立溶液：

溶液一：含有Sn²⁺的酸性錫置換液；

溶液二：氧提供體溶液；其中，氧提供體為過(guò)氧化物；

溶液三：有機(jī)硅烷溶液；

作為優(yōu)選方式，所述組分一(酸性錫置換液)各組分含量如下：酸的濃度為30～80g/L、Sn²⁺的濃度為10～40g/L、配位劑及輔助配位劑的總濃度為20～100g/L，根據(jù)實(shí)際需要和工藝要求，還可以加入添加劑，所述添加劑包括：適量穩(wěn)定劑、適量抗氧化劑和微量表面活性劑，上述各組分混合后形成的酸性錫置換液的pH值為0.8～2.0；

酸性錫置換液中的二價(jià)錫鹽，是置換錫的來(lái)源，本發(fā)明中，所述Sn²⁺可以由氯化亞錫、烷基磺酸錫或硫酸亞錫提供，其與銅的反應(yīng)過(guò)程為：

2Cu+Sn²⁺→2Cu⁺+Sn

含有Sn²⁺的酸性錫置換液中的酸用來(lái)維持鍍液的酸性，適宜的酸度有助于形成顆粒規(guī)則、排列較緊密的鍍層，此外還有助于防止Sn²⁺的水解和可能存在的Sn⁴⁺的水解，以免鍍液渾濁，游離態(tài)的酸還能提高鍍液的均鍍性；

本發(fā)明中，所述酸可以為甲酸、乙酸、檸檬酸、羥基乙酸、乳酸、蘋(píng)果酸、酒石酸、磷酸、鹽酸、磺酸和對(duì)甲苯磺酸中任一種或其任意組合；

本發(fā)明中，所述配位劑以及輔助配位劑，主要用于降低銅離子的電位，使得線路板上銅錫的置換反應(yīng)得以順利進(jìn)行。其中：

所述配位劑為硫脲、酒石酸、檸檬酸和氨羧絡(luò)合物中任一種或者其任意組合；

所述輔助配位劑為酒石酸、檸檬酸、丙二酸或葡萄糖酸；輔助配位劑主要用于抑制Sn²⁺的水解，增加溶液的穩(wěn)定性，并改善鍍層外觀；

本發(fā)明中，所述添加劑包括穩(wěn)定劑、抗氧化劑和表面活性劑中任一種或者其任意組合，抗氧化劑主要用來(lái)抑制Sn²⁺被氧化為有毒的Sn⁴⁺，防止Sn⁴⁺的水解產(chǎn)物錫酸的生成和出現(xiàn)膠狀的沉淀物，優(yōu)選地，所述穩(wěn)定劑為有機(jī)羧酸，所述抗氧化劑為苯二酚類(lèi)或氨羧類(lèi)化合物；表面活性劑有助于提高化學(xué)鍍錫層附著力，抑制針孔產(chǎn)生，使鍍層平滑致密，提高耐蝕性，非離子型表面活性劑更適合錫的置換，優(yōu)選地，所述表面活性劑為烷基酚聚氧乙烯類(lèi)、脂肪酸聚氧乙烯類(lèi)、聚氧烯烴共聚類(lèi)或多元醇類(lèi)中任一種。

本發(fā)明中，所述溶液二(氧提供體溶液)中氧提供體指可提供氧的物質(zhì)，用以氧化錫層， 使得金屬錫層變成其氫氧化物，本發(fā)明采用過(guò)氧化物。

本發(fā)明中，所述溶液三(有機(jī)硅烷溶液)為有機(jī)硅烷的水溶性醇溶液，作為優(yōu)選方式，其質(zhì)量百分比為2～5％，且有機(jī)硅烷的C原子數(shù)在4～20之間時(shí)效果佳。

基于上述化學(xué)鍍處理體系，本發(fā)明的步驟B中化學(xué)鍍具體操作如下：

將步驟A制得覆銅板經(jīng)過(guò)所述酸性錫置換液處理，以在銅層表面形成一層薄錫層；優(yōu)選地，處理溫度為40℃～80℃，處理時(shí)間為0.5～5分鐘；

其中，在將步驟A制得的覆銅基板經(jīng)過(guò)酸性錫置換液處理之前還應(yīng)依次進(jìn)行堿性清潔和酸性清潔。

進(jìn)一步地，還包括將制得的覆蓋有薄錫層的線路板經(jīng)過(guò)所述氧提供體溶液處理，使得表面錫層氧化或羥基化；然后再將表面錫層氧化或羥基化的基板經(jīng)過(guò)所述有機(jī)硅烷溶液處理，形成與表面氧化或羥基化的錫層互連的有機(jī)硅烷層；

優(yōu)選地，氧提供體溶液處理溫度為35℃～45℃，處理時(shí)間為15～35秒；

優(yōu)選地，有機(jī)硅烷溶液處理溫度為25℃～35℃，處理時(shí)間為20～100秒。

將經(jīng)過(guò)上述處理操作印制電路板在加熱的條件下進(jìn)行層壓，有機(jī)硅烷和有機(jī)樹(shù)脂之間發(fā)生化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行互連，以此便可將無(wú)機(jī)錫層和有機(jī)層之間互聯(lián)成一體，達(dá)到增加附著力的效果。

相比于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明具有以下有益效果：

1、本發(fā)明提供了一種印制電路板內(nèi)層圖形的制作方法，以化學(xué)鍍薄錫代替電鍍錫鉛，構(gòu)建了前處理→鉆孔→內(nèi)層圖形轉(zhuǎn)移→沉銅加厚→化學(xué)鍍錫→去膜處理→內(nèi)層蝕刻→得到目的圖形為基本工序的印制電路板內(nèi)層圖形制作方法，減少了退錫鉛、白化增強(qiáng)層壓表面結(jié)合力等工序，在蝕刻形成線路的同時(shí)能夠達(dá)到增強(qiáng)層壓表面結(jié)合力的目的。

2、本發(fā)明使用純錫層代替?zhèn)鹘y(tǒng)的錫鉛層，減少了對(duì)環(huán)境的污染，本發(fā)明符合歐洲頒布的RoHS(關(guān)于在電子電器設(shè)備中禁止使用某些有害物質(zhì))指令、WEEE(消費(fèi)性產(chǎn)品中禁止特定有害物質(zhì))指令以及中國(guó)政府頒布的《電子信息產(chǎn)品污染防治管理辦法》；此外，本發(fā)明降低了對(duì)電鍍工藝的依賴(lài)性，開(kāi)發(fā)出了低成本、高可靠、環(huán)境友好的印制電路板內(nèi)層圖形的制作方法。

3、本發(fā)明通過(guò)在印制電路板的銅線路表面覆蓋一層錫層，并通過(guò)一種氧提供溶液提高將錫氧化，提高與樹(shù)脂的粘合力，此外，有機(jī)硅烷處理后使得錫銅表面吸附一層有機(jī)硅烷。有機(jī)硅烷一方面與錫銅產(chǎn)生化學(xué)鍵的作用，另外一方面與有機(jī)樹(shù)脂發(fā)生化學(xué)作用，從而保證在不提高線路粗糙度的情況下有效地提高線路的附著力，為精細(xì)線路信號(hào)與高頻信號(hào)傳輸提供了可行的解決方案。

附圖說(shuō)明

圖1為利用本發(fā)明制作印制線路板圖形的流程示意圖；

圖1中的圖1-a為印制電路板導(dǎo)通孔的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖1中的圖1-b為印制電路板貼覆負(fù)相干膜的示意圖；

圖1中的圖1-c為印制電路板電鍍加厚形成的線路銅層和電鍍加厚形成的導(dǎo)通孔內(nèi)銅層的示意圖；

圖1中的圖1-d為印制電路板化學(xué)鍍純錫層的示意圖；

圖1中的圖1-e為印制電路板去膜處理后的示意圖；

圖1中的圖1-f為印制電路板蝕刻銅層示意圖；

其中，1為銅層，2為印制電路板絕緣基材，3為負(fù)相干膜掩膜圖形，4為加厚形成的線路銅層和電鍍加厚形成的導(dǎo)通孔內(nèi)銅層；5為純錫層。

圖2為本發(fā)明化學(xué)鍍純錫層的流程示意圖，其中，5為純錫層，501為無(wú)機(jī)錫層，6為有機(jī)硅烷層。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合說(shuō)明書(shū)附圖及具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明：

實(shí)施例1：

化學(xué)鍍純錫層的處理體系：

制備堿性清潔溶液：稱(chēng)取10克磷酸氫二鈉、10克檸檬酸三鈉和10克碳酸鈉，加入到200ml去離子水中，攪拌溶解，加熱至40℃恒溫待用；

制備酸性清潔溶液：按照5％的濃硫酸和5％的濃縮除油液的比例配制成200ml酸性清潔 溶液，加熱至40℃恒溫待用。

溶液一(酸性錫置換液)的制備：

稱(chēng)取3克對(duì)苯二酚加入燒杯中，用少量去離子水溶解；另取燒杯加入20克鹽酸，再加入少量去離子水，攪拌均勻后加入5克氯化亞錫，混合均勻形成氯化亞錫溶液；在攪拌條件下將所述氯化亞錫溶液加入對(duì)苯二酚溶液中，再依次加入4克檸檬酸和18克硫脲于該燒杯中，根據(jù)需要可加入適量其他添加劑，調(diào)節(jié)溶液的pH值至1.2，加去離子水至250ml，配制得酸性錫置換液；

溶液二制備：量取適量質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30％的雙氧水溶液，置于燒杯中待用；

溶液三的制備：將甲醇和去離子水互溶形成溶液，所述溶液中甲醇質(zhì)量分?jǐn)?shù)為95％，然后加入醋酸調(diào)節(jié)pH為4.5～5.5，攪拌下加入γ-(2,3-環(huán)氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷，使上述有機(jī)硅烷的濃度達(dá)到2％。

實(shí)施例2：

一種層壓表面結(jié)合力增強(qiáng)型印制電路板內(nèi)層圖形的制作方法，包括以下步驟：

步驟A：

在雙面覆銅基板上采用激光鉆孔的方法開(kāi)設(shè)內(nèi)層孔(如圖1-a所示，其中，1為銅層，2為印制電路板絕緣基材)，并通過(guò)等離子清洗機(jī)清洗孔的內(nèi)部的毛刺、膠渣、鉆污；將經(jīng)過(guò)鉆孔處理和圖形轉(zhuǎn)移的覆銅基板放置在化學(xué)鍍產(chǎn)線上，通過(guò)一系列化學(xué)處理在絕緣孔璧及板銅面上，沉積一層厚薄均勻(優(yōu)選為0.5～1.0μm)的金屬銅，再將其放置在電鍍生產(chǎn)線上通過(guò)電鍍的方式將孔壁和板面銅加厚至目標(biāo)厚度(優(yōu)選為10～20μm)，實(shí)現(xiàn)內(nèi)層孔金屬化，形成導(dǎo)通孔；

將上述處理所得基板貼覆光致干膜后(如圖1-b所示，其中3為負(fù)相干膜掩膜圖形)，采用激光直接成像或者照相底版成像的方法使沒(méi)有圖形部分的干膜發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)，干膜參與光化學(xué)反應(yīng)的物質(zhì)主要為光聚合單體和光引發(fā)劑，在紫外線照射下，光引發(fā)劑吸收紫外線能量產(chǎn)生游離基，游離基進(jìn)一步引發(fā)光聚合單體交聯(lián)生成體型聚合物，這種體型聚合物不溶于后續(xù)的顯影液，而未曝光部分沒(méi)有發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)，因此可以經(jīng)過(guò)顯影去除未發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)的干膜，在基板上實(shí)現(xiàn)圖形轉(zhuǎn)移；

通過(guò)化電鍍加厚所述覆銅板上的線路銅層和導(dǎo)通孔的銅層(如圖1-c所示，其中，4為電鍍加厚形成的線路銅層和電鍍加厚形成的導(dǎo)通孔內(nèi)銅層)；

步驟B：通過(guò)化學(xué)鍍?cè)诓襟EA制得的金屬化通孔和線路銅上形成純錫層5作為抗蝕刻層(如圖1-d所示，其中，5為純錫層)；具體操作如下：

將步驟A制得覆銅基板依次經(jīng)過(guò)實(shí)施例1制得的堿性清潔溶液、酸性清潔溶液和酸性錫置換液的處理，以在銅層表面形成一層薄錫層；優(yōu)選地，在酸性錫置換液中處理溫度為60℃，處理時(shí)間為40秒；

步驟C：對(duì)步驟B所得基板進(jìn)行去膜處理以清除膜層使得線路銅質(zhì)露出(如圖1-e所示)，再進(jìn)行堿性蝕刻去除多余銅質(zhì)(如圖1-f所示)，最終在印制電路板上制得目標(biāo)圖形。

實(shí)施例3：

一種層壓表面結(jié)合力增強(qiáng)型印制電路板內(nèi)層圖形的制作方法，包括以下步驟：

步驟A：

在雙面覆銅基板上采用激光鉆孔的方法開(kāi)設(shè)內(nèi)層孔，并通過(guò)等離子清洗機(jī)清洗孔的內(nèi)部的毛刺、膠渣、鉆污；將經(jīng)過(guò)鉆孔處理和圖形轉(zhuǎn)移的覆銅基板放置在化學(xué)鍍產(chǎn)線上，通過(guò)一系列化學(xué)處理在絕緣孔璧及板銅面上，沉積一層厚薄均勻(優(yōu)選為0.5～1.0μm)的金屬銅，再將其放置在電鍍生產(chǎn)線上通過(guò)電鍍的方式將孔壁和板面銅加厚至目標(biāo)厚度(優(yōu)選為10～20μm)，實(shí)現(xiàn)內(nèi)層孔金屬化，形成導(dǎo)通孔；

將上述處理所得基板貼覆光致干膜后，采用激光直接成像或者照相底版成像的方法使沒(méi)有圖形部分的干膜發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)，干膜參與光化學(xué)反應(yīng)的物質(zhì)主要為光聚合單體和光引發(fā)劑，在紫外線照射下，光引發(fā)劑吸收紫外線能量產(chǎn)生游離基，游離基進(jìn)一步引發(fā)光聚合單體交聯(lián)生成體型聚合物，這種體型聚合物不溶于后續(xù)的顯影液，而未曝光部分沒(méi)有發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)，因此可以經(jīng)過(guò)顯影去除未發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)的干膜，在基板上實(shí)現(xiàn)圖形轉(zhuǎn)移；

在所述覆銅板上通過(guò)電鍍加厚圖形轉(zhuǎn)移后形成的線路銅層和導(dǎo)通孔內(nèi)銅層；

步驟B：通過(guò)化學(xué)鍍?cè)诓襟EA制得的金屬化通孔和線路銅上形成純錫層5作為抗蝕刻層；具體包括以下操作：

步驟B1：將步驟A制得覆銅板依次經(jīng)過(guò)實(shí)施例1制得的堿性清潔溶液、酸性清潔溶液和 酸性錫置換液的處理，以在銅層表面形成一層薄錫層；優(yōu)選地，在組分3中處理溫度為60℃，處理時(shí)間為40秒；

步驟B2：將步驟B1制得覆蓋有薄錫層的線路板經(jīng)過(guò)實(shí)施例1制得氧提供體溶液處理，使得表面錫層氧化或羥基化；優(yōu)選地，處理溫度為40℃，處理時(shí)間為25秒；

步驟B3：將步驟B2制得線路板經(jīng)過(guò)實(shí)施例1中制得有機(jī)硅烷溶液處理，形成有機(jī)硅烷層，以實(shí)現(xiàn)表面錫層氧化或羥基化(無(wú)機(jī)錫層)和有機(jī)硅烷之間互連；優(yōu)選地，處理溫度為30℃，處理時(shí)間為60秒；

步驟C：對(duì)步驟B所得基板進(jìn)行去膜處理以清除膜層使得線路銅質(zhì)露出，然后進(jìn)行堿性蝕刻去除多余銅質(zhì)，最終在印制電路板上制得目標(biāo)圖形。

將本實(shí)施例的印制電路板在250℃下與聚酰亞胺薄膜壓合1小時(shí)后取出，用拉力測(cè)試儀來(lái)檢測(cè)其抗剝離強(qiáng)度，本實(shí)施例制得的化學(xué)鍍純錫層印制電路板測(cè)得的剝離強(qiáng)度為6.7N/cm。

實(shí)施例4：

一種普通印制電路板內(nèi)層圖形的制作方法，包括以下步驟：

步驟A：

取與實(shí)施例3相同尺寸的雙面覆銅基板進(jìn)行同實(shí)施例3的鉆孔處理，具體操作為：在雙面覆銅基板上采用激光鉆孔的方法開(kāi)設(shè)內(nèi)層孔，并通過(guò)等離子清洗機(jī)清洗孔的內(nèi)部的毛刺、膠渣、鉆污，將經(jīng)過(guò)前處理和鉆孔處理的覆銅板放置在化學(xué)鍍產(chǎn)線上，通過(guò)一系列化學(xué)處理在絕緣孔璧及板銅面上，沉積一層厚薄均勻(優(yōu)選為0.5～1.0μm)的金屬銅，再將其放置在電鍍生產(chǎn)線上通過(guò)電鍍的方式將孔壁和板面銅加厚至目標(biāo)厚度(優(yōu)選為10～20μm)，實(shí)現(xiàn)內(nèi)層孔金屬化，形成導(dǎo)通孔；

將上述處理所得基板貼覆光致干膜后，采用激光直接成像或者照相底版成像的方法使沒(méi)有圖形部分的干膜發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)，再經(jīng)過(guò)顯影去除未發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)的干膜，獲得與照相底版一致的電路圖形基板，本實(shí)施例制得的電路圖形基板上與實(shí)施例2中電路圖形基板相同；

同實(shí)施例3，通過(guò)電鍍加厚所述覆銅板上的線路銅和金屬化通孔的銅層至達(dá)到對(duì)應(yīng)參數(shù)；

步驟B：將步驟A制得覆銅基板依次經(jīng)過(guò)實(shí)施例1制得的堿性清潔溶液和酸性清潔溶液的處理，不經(jīng)過(guò)酸性錫置換液處理，得到作為對(duì)比例的印制電路板；

步驟C：對(duì)步驟B所得基板進(jìn)行去膜處理以清除膜層使得線路銅質(zhì)露出，再進(jìn)行堿性蝕刻去除多余銅質(zhì)，最終在印制電路板上制得目標(biāo)圖形。

通過(guò)將本實(shí)施例的印制電路板在250℃下與聚酰亞胺薄膜壓合1小時(shí)后取出，用拉力測(cè)試儀來(lái)檢測(cè)其抗剝離強(qiáng)度，本實(shí)施例制得的純銅線路印制電路板測(cè)得的剝離強(qiáng)度為4.3N/cm。

通過(guò)實(shí)施例2與實(shí)施例3的對(duì)比結(jié)果，本發(fā)明實(shí)施例2的抗剝離強(qiáng)度與普通純銅線路印制電路板相比較高，而且本發(fā)明制得的印制電路板能夠滿足高頻印制精細(xì)線路的要求。

實(shí)施例5：

一種層壓表面結(jié)合力增強(qiáng)型印制電路板內(nèi)層圖形的制作方法，包括以下步驟：

步驟A：

在雙面覆銅基板上采用激光鉆孔的方法開(kāi)設(shè)內(nèi)層孔，并通過(guò)等離子清洗機(jī)清洗孔的內(nèi)部的毛刺、膠渣、鉆污，將經(jīng)過(guò)前處理和鉆孔處理的覆銅板放置在化學(xué)鍍產(chǎn)線上，通過(guò)一系列化學(xué)處理在絕緣孔璧及板銅面上，沉積一層厚薄均勻(優(yōu)選為0.5～1.0μm)的金屬銅，再將其放置在電鍍生產(chǎn)線上通過(guò)電鍍的方式將孔壁和板面銅加厚至目標(biāo)厚度(優(yōu)選為10～20μm)，實(shí)現(xiàn)內(nèi)層孔金屬化，形成導(dǎo)通孔；

將上述處理所得基板涂覆光致干膜后，采用激光直接成像或者照相底版成像的方法使沒(méi)有圖形部分的干膜發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)，再經(jīng)過(guò)顯影去除未發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)的干膜，獲得與照相底版一致的電路圖形基板；

通過(guò)電鍍加厚所述覆銅板上的線路銅和金屬化通孔的銅層；

步驟B：通過(guò)化學(xué)鍍?cè)诓襟EA制得的金屬化通孔和線路銅上形成純錫層作為抗蝕刻層(如圖2所示)；具體包括以下操作：

步驟B1：將步驟A制得覆銅板依次經(jīng)過(guò)實(shí)施例1制得的堿性清潔溶液、酸性清潔溶液和酸性錫置換液的處理，以在銅層表面形成一層薄且均勻的純錫層5；優(yōu)選地，在酸性錫置換液中處理溫度為60℃，處理時(shí)間為40秒；

步驟B2：將步驟B制得覆蓋有純錫層5的線路板經(jīng)過(guò)所述氧提供體溶液處理，使得表面錫層氧化或羥基化形成無(wú)機(jī)錫層501；優(yōu)選地，處理溫度為40℃，處理時(shí)間為25秒；

步驟B3：將步驟C制得線路板經(jīng)過(guò)所述有機(jī)硅烷溶液處理形成有機(jī)硅烷層6，由于有機(jī) 硅烷具有雙親性，因此可以實(shí)現(xiàn)表面無(wú)機(jī)錫層501(錫層氧化或羥基化)和有機(jī)硅烷層6之間互連；優(yōu)選地，處理溫度為30℃，處理時(shí)間為60秒；

步驟C：對(duì)步驟B所得基板進(jìn)行去膜處理以清除膜層使得線路銅質(zhì)露出，再進(jìn)行堿性蝕刻去除多余銅質(zhì)，最終在印制電路板上制得目標(biāo)圖形；

步驟D：將本發(fā)明實(shí)施得到的至少兩個(gè)印制電路板按順序疊板并進(jìn)行壓合處理得到多層印制電路板，其中，任意兩個(gè)相鄰的印制電路板之間均為半固化片。

綜上所述，本發(fā)明提供了一種印制電路板同時(shí)蝕刻線路和層間增強(qiáng)的制作方法，在保證印制電路板可靠性的同時(shí)，減少了傳統(tǒng)圖形電鍍蝕刻方法制作印制電路板的工序，降低了印制電路制造成本。

以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式而已，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思得前提下，可以作出各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的專(zhuān)利保護(hù)范圍之內(nèi)。