1.一種基于晶體管堆疊結(jié)構(gòu)的矩陣功率放大器，其特征在于，包括依次連接的輸入匹配網(wǎng)絡(luò)、功率分配網(wǎng)絡(luò)、堆疊矩陣放大網(wǎng)絡(luò)、功率合成網(wǎng)絡(luò)和輸出匹配網(wǎng)絡(luò)，以及分別與所述堆疊矩陣放大網(wǎng)絡(luò)對稱連接的第一偏置電路和第二偏置電路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于晶體管堆疊結(jié)構(gòu)的矩陣功率放大器，其特征在于，所述堆疊矩陣放大網(wǎng)絡(luò)包括至少兩路并行的堆疊結(jié)構(gòu)，所述堆疊結(jié)構(gòu)至少由兩個晶體管按照源極漏極相連堆疊構(gòu)成；
所述每路堆疊結(jié)構(gòu)的最底層的晶體管的柵極連接兩并聯(lián)電阻后均分別連接到所述第一偏置電路的柵極旁路電容和所述第二偏置電路的柵極旁路電容，所述最底層晶體管的源極接地，且所述最底層晶體管的柵極通過所述功率分配網(wǎng)絡(luò)連接到所述輸入匹配網(wǎng)絡(luò)；
所述每路堆疊結(jié)構(gòu)的其余層的晶體管的柵極通過電阻均分別連接到所述第一偏置電路的柵極分壓電阻和第二偏置電路的柵極分壓電阻，且所述其余層的晶體管的柵極分別連接兩路由柵極補償電阻與柵極補償電容連接接地組成的補償電路；
所述每路堆疊結(jié)構(gòu)的最上層的晶體管的漏極通過所述功率合成網(wǎng)絡(luò)分別連接到所述輸出匹配網(wǎng)絡(luò)與所述第一偏置電路和所述第二偏置電路的漏極饋電電感。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于晶體管堆疊結(jié)構(gòu)的矩陣功率放大器，其特征在于，所述每路堆疊結(jié)構(gòu)在相鄰的柵極節(jié)點上的補償電路通過柵極隔離電阻串接。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于晶體管堆疊結(jié)構(gòu)的矩陣功率放大器，其特征在于，所述堆疊矩陣放大網(wǎng)絡(luò)的每層中堆疊的晶體管的偏置電壓不等分，最底層晶體管的偏置電壓最低，最上層晶體管的偏置電壓最高，其余晶體管的偏置電壓介于兩者之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于晶體管堆疊結(jié)構(gòu)的矩陣功率放大器，其特征在于，所述第一偏置電路和所述第二偏置電路均由柵極旁路電容、柵極分壓電阻、漏極饋電電感和漏極旁路電容構(gòu)成。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于晶體管堆疊結(jié)構(gòu)的矩陣功率放大器，其特征在于，所述堆疊矩陣放大網(wǎng)絡(luò)包括四路并行的堆疊結(jié)構(gòu)，所述堆疊結(jié)構(gòu)由三個晶體管按照源極漏極相連堆疊構(gòu)成。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基于晶體管堆疊結(jié)構(gòu)的矩陣功率放大器，其特征在于，低壓偏置電源分別連接到所述第一偏置電路和所述第二偏置電路的柵極旁路電容上；高壓偏置電源分別連接到所述第一偏置電路和所述第二偏置電路的漏極饋電電感和漏極旁路電容上。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于晶體管堆疊結(jié)構(gòu)的矩陣功率放大器，其特征在于，所述輸入匹配網(wǎng)絡(luò)與輸出匹配網(wǎng)絡(luò)均由隔直電容、匹配電容和匹配電感構(gòu)成。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于晶體管堆疊結(jié)構(gòu)的矩陣功率放大器，其特征在于，所述功率分配網(wǎng)絡(luò)與功率合成網(wǎng)絡(luò)均由六段微帶線結(jié)構(gòu)構(gòu)成。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9任一項所述的基于晶體管堆疊結(jié)構(gòu)的矩陣功率放大器，其特征在于，所述堆疊矩陣放大網(wǎng)絡(luò)為有源放大網(wǎng)絡(luò)，所述輸入匹配網(wǎng)絡(luò)、功率分配網(wǎng)絡(luò)、功率合成網(wǎng)絡(luò)和輸出匹配網(wǎng)絡(luò)均為無源網(wǎng)絡(luò)。