1.一種提高大功率LDMOS器件穩(wěn)定性的內(nèi)匹配設(shè)計(jì)方法，其特征在于，在傳統(tǒng)LC組成的“T”型網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的管芯版圖上增加多晶電阻R。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高大功率LDMOS器件穩(wěn)定性的內(nèi)匹配設(shè)計(jì)方法，其特征在于，所述多晶電阻R串接在管芯與靠近管芯的電感L之間，即從管芯向外的第一結(jié)構(gòu)為R-L-C-L。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種提高大功率LDMOS器件穩(wěn)定性的內(nèi)匹配設(shè)計(jì)方法，其特征在于，所述多晶電阻R上還并聯(lián)有電容C，即從管芯向外的第一結(jié)構(gòu)為R-C-L-C-L。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種提高大功率LDMOS器件穩(wěn)定性的內(nèi)匹配設(shè)計(jì)方法，其特征在于，如果提升的阻抗值較小，可在第一結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上繼續(xù)增加LC結(jié)構(gòu)，即R-C-L-C-L-C-L。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種提高大功率LDMOS器件穩(wěn)定性的內(nèi)匹配設(shè)計(jì)方法，其特征在于，如果提升的阻抗值較小，可在第一結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上繼續(xù)增加LC結(jié)構(gòu)，即R-L-C-L-C-L。