技術總結
本發(fā)明公開了一種提高大功率LDMOS器件穩(wěn)定性的內匹配設計方法，在傳統(tǒng)LC組成的“T”型網(wǎng)絡結構的管芯版圖上增加多晶電阻R，本發(fā)明通過在現(xiàn)有的管芯版圖上增加多晶電阻R，使得芯片內部形成負反饋，降低增益，可使器件維持在穩(wěn)定增益范圍，提高了整體工作穩(wěn)定性，進一步達到改善匹配結構提高穩(wěn)定性的目的，可用于射頻微波大功率器件的內匹配封裝中。

技術研發(fā)人員：杜寰;任建偉;叢密芳;李科;黃啟俊;高潮
受保護的技術使用者：揚州江新電子有限公司
文檔號碼：201611043887
技術研發(fā)日：2016.11.24
技術公布日：2017.05.10