1.一種高邊NMOS驅(qū)動(dòng)電路，包括
由至少兩個(gè)并聯(lián)連接的電容組成的升壓電路；
第一晶體三極管，其第一端通過(guò)第一電阻連接一電壓值高于10V的第一電壓源，其第二端連接所述升壓電路的第一端，其控制端通過(guò)第二電阻連接所述第一電阻和其第一端；
第二晶體三極管，其第一端連接所述升壓電路的第一端，其第二端接地，其控制端通過(guò)第三電阻連接所述第一晶體三極管的控制端，同時(shí)通過(guò)一電容接地；
第三晶體三極管，其第一端連接所述第二晶體三極管的控制端，其控制端通過(guò)第四電阻連接一0~5V的方波輸出源；
第四晶體三極管，其第一端連接所述第三晶體三極管的第二端，其第二端接地，其控制端通過(guò)第五電阻連接一用于控制所述高邊NMOS開關(guān)的0~5V的開關(guān)信號(hào)源；以及
第五晶體三極管，其第一端連接所述高邊NMOS的控制端，其第二端連接一電壓基準(zhǔn)源，其控制端通過(guò)一阻容網(wǎng)絡(luò)構(gòu)成的充放電回路連接所述升壓電路的第二端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高邊NMOS驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述第二和第三電阻的連接點(diǎn)與第一晶體三極管的控制端之間還連接有第一肖特基二極管和第六電阻的并聯(lián)電路；所述第四晶體三極管的第一端與第二晶體三極管的控制端之間還連接有第二肖特基二極管和第七電阻的并聯(lián)電路。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高邊NMOS驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述阻容網(wǎng)絡(luò)包括第三肖特基二極管、第四肖特基二極管、第八電阻、第九電阻、第十電阻、第十一電阻、第十二電阻、第一電容、第二電容和第一穩(wěn)壓管；所述第三肖特基二極管的陰極連接所述升壓電路的第二端，其陽(yáng)極通過(guò)串聯(lián)連接的第八電阻、第九電阻和第十電阻連接所述第五晶體三極管的控制端；所述第四肖特基二極管的陽(yáng)極連接所述升壓電路的第二端，其陰極通過(guò)串聯(lián)連接的第十一電阻和第十二電阻連接第九電阻和第十電阻的連接點(diǎn)；所述第一電容、第二電容和第一穩(wěn)壓管的并聯(lián)連接電路連接在第八電阻和第九電阻的連接點(diǎn)以及第十一電阻和第十二電阻的連接點(diǎn)之間；所述第八電阻和第九電阻的連接點(diǎn)除連接所述第一穩(wěn)壓管的陽(yáng)極外，還連接所述電壓基準(zhǔn)源。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高邊NMOS驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述第五晶體三極管的第一端和第二端之間還連接有第三電容和第十三電阻構(gòu)成的串聯(lián)電路。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高邊NMOS驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述第一晶體三極管的第一端還通過(guò)第四電容接地。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高邊NMOS驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述第三和第四晶體三極管的控制端還分別通過(guò)一阻容并聯(lián)網(wǎng)絡(luò)接地。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高邊NMOS驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述第一晶體三極管為P溝道MOS管，所述第二至第四晶體三極管為N溝道MOS管，所述第一至第四晶體三極管的第一端為漏極，第二端為源極，控制端為門極。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的高邊NMOS驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述第五晶體三極管選自三極管和金屬氧化物晶體管。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高邊NMOS驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述方波輸出源包括一555定時(shí)器芯片及兩個(gè)電阻兩個(gè)電容構(gòu)成一多諧振蕩器以生成0~5V的方波信號(hào)，所述555定時(shí)器的輸出端作為方波輸入源的輸出端。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的高邊NMOS驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述第一電壓源為連接在所述555定時(shí)器的輸出端的直流倍壓電路。