本公開(kāi)涉及存儲(chǔ)器，具體而言，涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法。

背景技術(shù)：

1、目前，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(dynamic?random?access?memory，dram)的工藝流程中，通常需要形成電容孔，并在電容孔中形成電容結(jié)構(gòu)的下電極。電容孔可以采用圖形化工藝形成，在圖形化過(guò)程中通過(guò)使用光阻劃分外圍區(qū)域(peri?area)和電容陣列區(qū)域(arrayarea),其中，被光阻覆蓋的區(qū)域?yàn)橥鈬鷧^(qū)域，從而在光刻過(guò)程中，外圍區(qū)域由于受到光阻的覆蓋而不被刻蝕，僅在電容陣列區(qū)域中形成電容孔。

2、然而，外圍區(qū)域與電容陣列區(qū)域的交界處由于圖形差異較大，容易產(chǎn)生刻蝕負(fù)載效應(yīng)(loading?effect)，從而導(dǎo)致電容陣列區(qū)域的邊緣出現(xiàn)形狀變形等問(wèn)題，導(dǎo)致電容陣列區(qū)域的良率與其他區(qū)域存在較大差異。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開(kāi)的主要目的在于提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法。

2、為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)方面，提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，包括以下步驟：提供具有第一表面的第一基體，在平行于第一表面的方向上，第一基體具有相鄰的第一區(qū)域和第二區(qū)域，第一基體包括金屬圖案層和覆蓋金屬圖案層的絕緣層，金屬圖案層中的電容觸點(diǎn)位于第一區(qū)域中；沿垂直于第一表面的方向，去除位于第一區(qū)域的靠近第一表面的部分絕緣層，位于第一區(qū)域的剩余絕緣層未暴露出金屬圖案層，得到具有臺(tái)階結(jié)構(gòu)的第二基體，第二基體具有相鄰的第三區(qū)域和第四區(qū)域，臺(tái)階結(jié)構(gòu)具有位于第三區(qū)域的第一臺(tái)階面以及位于第四區(qū)域的第二臺(tái)階面，第二臺(tái)階面的高度大于第一臺(tái)階面的高度；在第二基體上形成堆疊結(jié)構(gòu)，并形成貫穿堆疊結(jié)構(gòu)至臺(tái)階結(jié)構(gòu)的接觸孔陣列，接觸孔陣列包括位于第三區(qū)域的第一接觸孔以及位于第四區(qū)域的第二接觸孔，第一接觸孔暴露出位于第三區(qū)域的電容觸點(diǎn)，第二接觸孔暴露出位于第四區(qū)域的絕緣層，得到第三基體，第三基體具有相鄰的第五區(qū)域和第六區(qū)域，且第三基體具有位于第五區(qū)域的第三臺(tái)階面以及位于第六區(qū)域的第四臺(tái)階面，第一接觸孔分布于第三臺(tái)階面，第二接觸孔分布于第四臺(tái)階面；在第一接觸孔中形成下電極，并順序形成電容介質(zhì)層和上電極，以使電容介質(zhì)層位于下電極與上電極之間，得到電容結(jié)構(gòu)。

3、可選地，沿垂直于第一表面的方向，去除位于第一區(qū)域的靠近第一表面的部分絕緣層，位于第一區(qū)域的剩余絕緣層未暴露出金屬圖案層，得到具有臺(tái)階結(jié)構(gòu)的第二基體，包括：在位于第二區(qū)域的第一表面上設(shè)置掩膜版；基于掩膜版刻蝕第一基體，以去除第一區(qū)域中靠近第一表面的部分絕緣層且不暴露電容觸點(diǎn)；去除掩膜版。

4、可選地，在第二基體上形成堆疊結(jié)構(gòu)，包括：在第二基體上交替形成犧牲層和支撐層，以形成堆疊結(jié)構(gòu)，犧牲層與支撐層具有不同的刻蝕選擇比，其中，在第二基體上交替形成犧牲層和支撐層，包括：在第二基體的表面沉積犧牲層材料，以形成第一犧牲層；在第一犧牲層的表面沉積支撐層材料，以形成第一支撐層；在第一支撐層的表面沉積犧牲層材料，以形成第二犧牲層；在第二犧牲層的表面沉積支撐層材料，以形成第二支撐層。

5、可選地，絕緣層的厚度為36～48nm；和/或第二臺(tái)階面與第一臺(tái)階面的高度差為18～30nm。

6、可選地，在第一接觸孔中形成下電極，包括：在接觸孔陣列中沉積導(dǎo)電材料，部分導(dǎo)電材料覆蓋第一接觸孔的內(nèi)表面以形成下電極，部分導(dǎo)電材料覆蓋第二接觸孔的內(nèi)表面以形成偽電極。

7、可選地，在第一接觸孔中形成下電極之后，在順序形成電容介質(zhì)層和上電極之前，制作方法還包括：對(duì)第二支撐層進(jìn)行圖形化處理，以去除第二支撐層中與第六區(qū)域?qū)?yīng)的部分，且圖形化的第二支撐層具有與第五區(qū)域?qū)?yīng)的第四刻蝕窗口；去除第二犧牲層；對(duì)第一支撐層進(jìn)行圖形化處理，以去除第一支撐層中與第六區(qū)域?qū)?yīng)的部分，且圖形化的第一支撐層具有第四刻蝕窗口對(duì)應(yīng)的第五刻蝕窗口；去除第一犧牲層和偽電極，得到支撐結(jié)構(gòu)。

8、可選地，制作方法還包括：在第三基體上形成覆蓋電容結(jié)構(gòu)的初始絕緣介質(zhì)層，初始絕緣介質(zhì)層包括對(duì)應(yīng)第五區(qū)域的第一初始絕緣介質(zhì)層和對(duì)應(yīng)第六區(qū)域的第二初始絕緣介質(zhì)層；形成貫穿第一初始絕緣介質(zhì)層并與電容結(jié)構(gòu)連接的第一接觸結(jié)構(gòu)，并得到第一絕緣介質(zhì)層。

9、可選地，金屬圖案層還包括位于第六區(qū)域中的金屬連線，制作方法還包括：形成貫穿第二初始絕緣介質(zhì)層和位于第三基體的第六區(qū)域的剩余絕緣層、并與金屬連線連接的第二接觸結(jié)構(gòu)，并得到第二絕緣介質(zhì)層和具有臺(tái)階結(jié)構(gòu)的第四基體，第一絕緣介質(zhì)層和第二絕緣介質(zhì)層構(gòu)成絕緣介質(zhì)層，其中，第四基體包括金屬圖案層和設(shè)置于金屬圖案層上的絕緣層，絕緣層暴露出金屬圖案層中的電容觸點(diǎn)和金屬連線；第四基體具有相鄰的第七區(qū)域和第八區(qū)域，金屬圖案層中的電容觸點(diǎn)位于第七區(qū)域中，金屬圖案層中的金屬連線位于第八區(qū)域中，臺(tái)階結(jié)構(gòu)具有位于第七區(qū)域的第五臺(tái)階面以及位于第八區(qū)域的第六臺(tái)階面，第六臺(tái)階面的高度大于第五臺(tái)階面的高度，第五臺(tái)階面包括位于第七區(qū)域的絕緣層和電容觸點(diǎn)形成的表面，第六臺(tái)階面包括位于第八區(qū)域的絕緣層和金屬連線形成的表面。

10、根據(jù)本公開(kāi)的另一方面，提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：具有臺(tái)階結(jié)構(gòu)的第四基體，第四基體包括金屬圖案層和設(shè)置于金屬圖案層上的絕緣層，絕緣層暴露出金屬圖案層中的電容觸點(diǎn)；第四基體具有相鄰的第七區(qū)域和第八區(qū)域，金屬圖案層中的電容觸點(diǎn)位于第七區(qū)域中，臺(tái)階結(jié)構(gòu)具有位于第七區(qū)域的第五臺(tái)階面以及位于第八區(qū)域的第六臺(tái)階面，第六臺(tái)階面的高度大于第五臺(tái)階面的高度，第五臺(tái)階面包括位于第七區(qū)域的絕緣層和電容觸點(diǎn)形成的表面；位于第七區(qū)域上的支撐結(jié)構(gòu)以及穿設(shè)于支撐結(jié)構(gòu)的第一接觸孔，第一接觸孔暴露出位于第七區(qū)域的電容觸點(diǎn)；電容結(jié)構(gòu)，包括下電極、電容介質(zhì)層和上電極，下電極覆蓋第一接觸孔的內(nèi)壁，電容介質(zhì)層覆蓋下電極的表面，上電極覆蓋電容介質(zhì)層的表面。

11、可選地，絕緣層還暴露出金屬圖案層中的金屬連線，金屬圖案層中的金屬連線位于第八區(qū)域中，第六臺(tái)階面包括位于第八區(qū)域的絕緣層和金屬連線形成的表面，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括：絕緣介質(zhì)層，位于第四基體上并覆蓋電容結(jié)構(gòu)，絕緣介質(zhì)層包括對(duì)應(yīng)第七區(qū)域的第一絕緣介質(zhì)層和對(duì)應(yīng)第八區(qū)域的第二絕緣介質(zhì)層；第一接觸結(jié)構(gòu)，貫穿第一絕緣介質(zhì)層并與電容結(jié)構(gòu)連接；第二接觸結(jié)構(gòu)，貫穿第二絕緣介質(zhì)層和位于第四基體的第八區(qū)域的絕緣層、并與金屬連線連接。

12、應(yīng)用本公開(kāi)的技術(shù)方案，提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，由于該方法在提供底部具有第一區(qū)域和第二區(qū)域的第一基體(第一基體具有相鄰的第一區(qū)域和第二區(qū)域，第一基體包括金屬圖案層和覆蓋金屬圖案層的絕緣層，金屬圖案層中的電容觸點(diǎn)位于第一區(qū)域中)后，先去除第一區(qū)域中靠近第一表面的部分絕緣層且位于第一區(qū)域的剩余絕緣層未暴露出金屬圖案層，得到具有臺(tái)階結(jié)構(gòu)的第二基體(第二基體具有相鄰的第三區(qū)域和第四區(qū)域，臺(tái)階結(jié)構(gòu)具有位于第三區(qū)域的第一臺(tái)階面以及位于第四區(qū)域的第二臺(tái)階面，第二臺(tái)階面的高度大于第一臺(tái)階面的高度)，然后在第二基體上形成堆疊結(jié)構(gòu)，并形成貫穿堆疊結(jié)構(gòu)至臺(tái)階結(jié)構(gòu)的接觸孔陣列，從而通過(guò)在形成用于設(shè)置下電極的接觸孔陣列之前，先使得基體相鄰的兩個(gè)區(qū)域(即第二基體的第三區(qū)域與第四區(qū)域)存在厚度差異，在刻蝕形成接觸孔陣列時(shí)，堆疊結(jié)構(gòu)中分別與第三區(qū)域和第四區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域(例如電容陣列區(qū)域和外圍區(qū)域)在交界處產(chǎn)生的刻蝕過(guò)載效應(yīng)能夠被有效消除，進(jìn)而避免了刻蝕形成的接觸孔在靠近交界處產(chǎn)生的圖形變形問(wèn)題；同時(shí)，上述厚度差異可以保證接觸孔不會(huì)刻蝕到位于第四區(qū)域中的金屬圖案層(金屬連線)，從而可以避免形成下電極工藝中，下電極材料與金屬連線接觸而造成的短路。