技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，沿垂直于所述第一表面的方向，去除位于所述第一區(qū)域的靠近所述第一表面的部分絕緣層，位于所述第一區(qū)域的剩余絕緣層未暴露出所述金屬圖案層，得到具有臺(tái)階結(jié)構(gòu)的第二基體，包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述第二基體上形成堆疊結(jié)構(gòu)，包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的制作方法，其特征在于，所述絕緣層的厚度為36～48nm；和/或

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制作方法，其特征在于，在所述第一接觸孔中形成下電極，包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制作方法，其特征在于，在所述第一接觸孔中形成下電極之后，在順序形成電容介質(zhì)層和上電極之前，所述制作方法還包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法還包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述金屬圖案層還包括位于所述第六區(qū)域中的金屬連線，所述制作方法還包括：

9.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述絕緣層還暴露出所述金屬圖案層中的金屬連線，所述金屬圖案層中的金屬連線位于所述第八區(qū)域中，所述第六臺(tái)階面包括位于所述第八區(qū)域的絕緣層和所述金屬連線形成的表面，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括：

技術(shù)總結(jié)
本公開提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法。該制作方法包括以下步驟：提供具有第一表面的第一基體，在平行于第一表面的方向上，第一基體具有相鄰的第一區(qū)域和第二區(qū)域，第一基體包括金屬圖案層和覆蓋金屬圖案層的絕緣層，金屬圖案層中的電容觸點(diǎn)位于第一區(qū)域中；沿垂直于第一表面的方向，去除位于第一區(qū)域的靠近第一表面的部分絕緣層，位于第一區(qū)域的剩余絕緣層未暴露出金屬圖案層，得到具有臺(tái)階結(jié)構(gòu)的第二基體，臺(tái)階結(jié)構(gòu)的第二臺(tái)階面的高度大于第一臺(tái)階面的高度；在第二基體上形成堆疊結(jié)構(gòu)，并形成貫穿堆疊結(jié)構(gòu)至臺(tái)階結(jié)構(gòu)的接觸孔陣列；形成下電極、電容介質(zhì)層和上電極。

技術(shù)研發(fā)人員：劉紀(jì)濤
受保護(hù)的技術(shù)使用者：長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/10