本發(fā)明涉及通信，特別涉及一種封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法。

背景技術(shù)：

1、濾波器根據(jù)實(shí)現(xiàn)方式的不同可以分為很多種，比如lc濾波器、腔體濾波器、聲學(xué)濾波器、介質(zhì)濾波器等，而在移動(dòng)通信領(lǐng)域，由于便攜式電子設(shè)備的尺寸普遍較小、功率較低，因此需要小體積、高性能的聲學(xué)濾波器。目前，國(guó)內(nèi)主流的封裝工藝是csp(chipscalepackage，芯片級(jí)封裝)，即將壓電芯片、基板、金屬球、樹(shù)脂封裝膜通過(guò)倒裝和樹(shù)脂封裝工藝進(jìn)行csp封裝，以實(shí)現(xiàn)電信號(hào)與機(jī)械信號(hào)的傳輸和器件的封裝保護(hù)。

2、聲表濾波器(surfaceacoustic?wave?filter，sawfilter)是射頻通信領(lǐng)域的核心器件之一，其利用聲波在芯片的正面?zhèn)鬏斠詫?shí)現(xiàn)其功能，因此對(duì)于聲表濾波器芯片的封裝必須要保證芯片正面的叉指換能器(聲表濾波器的工作傳感器)表面不能接觸其他物質(zhì)，即需保證其芯片正面具有足夠的空腔，否則影響信號(hào)傳輸。

3、目前，傳統(tǒng)的csp濾波器多工器的厚度典型值為0.5mm，想要進(jìn)一步減薄至0.35mm需要將濾波器芯片減薄到0.15mm以下。此時(shí)，傳統(tǒng)的減薄后切割工藝(dag)因減薄后翹曲過(guò)大等問(wèn)題無(wú)法滿足需求，需要在基板裂片時(shí)使用減薄前半切工藝(dbg)以獲得更薄的濾波器芯片厚度。另外，隨著濾波器芯片厚度的減薄，從濾波器芯片背面反射回來(lái)的體波對(duì)saw濾波器性能的影響變得越來(lái)越無(wú)法忽視現(xiàn)有的。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于提供一種封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法，以解決現(xiàn)有的濾波器芯片的封裝結(jié)構(gòu)隨著厚度的逐漸減薄所衍生的濾波器芯片背面發(fā)生體波反射導(dǎo)致濾波器性能失效，和晶圓在裂片時(shí)發(fā)生翹曲過(guò)大等問(wèn)題。

2、第一方面，為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種封裝結(jié)構(gòu)，至少可包括：基板；

3、至少一個(gè)濾波器芯片，設(shè)置于所述基板上，所述濾波器芯片的正面朝向所述基板，且與所述基板之間具有間隙；

4、塑封層，覆蓋所述濾波器芯片的側(cè)壁及所述濾波器芯片兩側(cè)的基板表面，以包封所述間隙，使得所述濾波器芯片和所述基板之間形成密封的空腔；

5、吸聲層，橫跨在所述濾波器芯片和所述塑封層上，以覆蓋所述濾波器芯片的背面及所述塑封層的頂面。

6、在一些示例中，所述封裝結(jié)構(gòu)，還可包括：

7、隔離層，所述隔離層包括連續(xù)的第一部分和第二部分，其中，所述第一部分位于所述塑封層與所述濾波器芯片和所述空腔之間，所述第二部分位于所述塑封層和其下方所述基板之間。

8、在一些示例中，所述隔離層還可包括：位于所述塑封層和其下方所述基板之間的第二部分，所述第一部分和所述第二部分直接接觸。

9、在一些示例中，所述塑封層的頂面與所述隔離層的第一部分的頂面可位于相同水平高度。

10、在一些示例中，在垂直方向上，所述隔離層的第一部分的高度可等于其第二部分與所述塑封層的高度之和。

11、在一些示例中，所述封裝結(jié)構(gòu)，還可包括：

12、多個(gè)凸點(diǎn)，位于所述濾波器芯片和所述基板之間。

13、在一些示例中，所述塑封層的材料可為含無(wú)機(jī)填料的熱固型或熱塑型塑封料，所述無(wú)機(jī)填料可為氧化鋁、氧化鈦、氮化硅、氮化鋁和二氧化硅中的一種或者多種結(jié)合。

14、在一些示例中，所述吸聲層的材料可為含吸聲填料的有機(jī)材料，或者可為具有吸聲特性的無(wú)機(jī)材料或金屬材料，所述吸聲填料可為具有較高聲學(xué)阻抗的材料。

15、在一些示例中，所述封裝結(jié)構(gòu)的厚度范圍可為：0.20mm～0.35mm。

16、在一些示例中，所述濾波器芯片可為聲波濾波器芯片，或者，為固態(tài)組裝型體波濾波器芯片。

17、第二方面，基于相同的發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明還提供了一種封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法，至少可包括如下步驟：

18、提供基板；

19、將至少一個(gè)濾波器芯片設(shè)置于所述基板上，所述濾波器芯片的正面朝向所述基板，且與所述基板之間具有間隙；

20、形成塑封材料層，所述塑封材料層覆蓋所述濾波器芯片的側(cè)壁和頂面并延伸覆蓋所述濾波器芯片兩側(cè)的基板表面，以包封所述間隙，使得所述濾波器芯片和所述基板之間形成密封的空腔；

21、去除所述塑封材料層和所述濾波器芯片的部分高度，以露出所述濾波器芯片的剩余部分的背面，并形成僅覆蓋所述濾波器芯片的剩余部分的側(cè)壁及所述濾波器芯片兩側(cè)的基板表面的塑封層。

22、在一些示例中，在形成所述塑封材料層之前，所述封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法還可包括：在所述濾波器芯片的側(cè)壁和頂面以及所述濾波器芯片兩側(cè)的基板表面上形成隔離層。

23、在一些示例中，所述塑封材料層的材料可為含無(wú)機(jī)填料的熱固型塑封料；形成所述塑封材料層的工藝可包括c-mold工藝。

24、在一些示例中，所述塑封材料層的材料可為含無(wú)機(jī)填料的熱塑型塑封料；形成所述塑封材料層的工藝可包括真空覆膜。

25、在一些示例中，去除所述塑封材料層的工藝可包括研磨工藝，且在去除所述塑封材料層的部分高度的過(guò)程中，還可同步去除了所述隔離層的部分高度。

26、在一些示例中，在形成所述塑封層之后，還可包括：形成吸聲層，所述吸聲層覆蓋所述濾波器芯片的背面及所述塑封層的頂面。

27、在一些示例中，在形成所述吸聲層之前或之后，還可包括：沿所述塑封層兩側(cè)區(qū)域邊緣切割所述塑封層和所述基板，以得到至少一個(gè)單顆濾波器芯片的封裝結(jié)構(gòu)，在每個(gè)所述單顆濾波器芯片的封裝結(jié)構(gòu)中，所述塑封層的邊緣與所述吸聲層及隔離層的邊緣齊平。

28、在一些示例中，形成所述吸聲層的工藝可包括真空覆膜或真空鍍膜。

29、在一些示例中，所述濾波器芯片可為聲表面波濾波器芯片，或者，為固態(tài)組裝型體波濾波器芯片。

30、與現(xiàn)有技術(shù)相比，在本發(fā)明提供的濾波器封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法中，包括基板、至少一個(gè)濾波器芯片、塑封層及吸聲層。所述濾波器芯片設(shè)置于所述基板上，所述濾波器芯片的正面朝向所述基板，且與所述基板之間具有間隙；所述塑封層覆蓋所述濾波器芯片的側(cè)壁及所述濾波器芯片兩側(cè)的基板表面，以包封所述間隙，使得所述濾波器芯片和所述基板之間形成密封的空腔；所述吸聲層橫跨在所述濾波器芯片和所述塑封層上，以覆蓋所述濾波器芯片的背面及所述塑封層的頂面。

31、由于本發(fā)明根據(jù)塑封層的材料流動(dòng)性不同，在利用c-mold工藝形成含無(wú)機(jī)填料的熱固型塑封料的塑封層前，先形成將塑封層與濾波器芯片下方的空腔阻隔開(kāi)的隔離層，或利用真空覆膜直接形成含無(wú)機(jī)填料的熱塑型塑封料的塑封層(未形成隔離層)，隨后再通過(guò)整條研磨工藝減薄封裝結(jié)構(gòu)的厚度而后或在其之前進(jìn)行裂片，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)了在無(wú)需改變?yōu)V波器芯片的傳統(tǒng)裂片方式的情況下，便可保證封裝結(jié)構(gòu)的厚度達(dá)到目標(biāo)精度且不發(fā)生晶圓翹曲過(guò)大的問(wèn)題，同時(shí)還避免了所述空腔被塑封層的材料侵入的目的。并且，由于本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)中減薄后的濾波器芯片背面設(shè)置有吸聲層，因此還可避免現(xiàn)有的濾波器芯片的封裝結(jié)構(gòu)隨著厚度的逐漸減薄所衍生的濾波器芯片背面發(fā)生體波反射導(dǎo)致濾波器性能失效的問(wèn)題。