1.一種封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：
3.如權(quán)利要求2所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述塑封層的頂面與所述隔離層的第一部分的頂面位于相同水平高度。
4.如權(quán)利要求3所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，在垂直方向上，所述隔離層的第一部分的高度等于其第二部分與所述塑封層的高度之和。
5.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：
6.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述塑封層的材料為含無機(jī)填料的熱固型或熱塑型塑封料，所述無機(jī)填料為氧化鋁、氧化鈦、氮化硅、氮化鋁和二氧化硅中的一種或者多種結(jié)合。
7.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述吸聲層的材料為含吸聲填料的有機(jī)材料，或者為具有吸聲特性的無機(jī)材料或金屬材料，所述吸聲填料為具有較高聲學(xué)阻抗的材料。
8.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述封裝結(jié)構(gòu)的厚度范圍為：0.20mm～0.35mm。
9.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述濾波器芯片為聲波濾波器芯片，或者，為固態(tài)組裝型體波濾波器芯片。
10.一種封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法，其特征在于，包括：
11.如權(quán)利要求10所述的封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法，其特征在于，在形成所述塑封材料層之前，還包括：在所述濾波器芯片的側(cè)壁和頂面以及所述濾波器芯片兩側(cè)的基板表面上形成隔離層。
12.如權(quán)利要求11所述的封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法，其特征在于，所述塑封材料層的材料為含無機(jī)填料的熱固型塑封料；形成所述塑封材料層的工藝包括c-mold工藝。
13.如權(quán)利要求10所述的封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法，其特征在于，所述塑封材料層的材料為含無機(jī)填料的熱塑型塑封料；形成所述塑封材料層的工藝包括真空覆膜。
14.如權(quán)利要求11所述的封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法，其特征在于，去除所述塑封材料層的工藝包括研磨工藝，且在去除所述塑封材料層的部分高度的過程中，還同步去除了所述隔離層的部分高度。
15.如權(quán)利要求10所述的封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法，其特征在于，在形成所述塑封層之后，還包括：
16.如權(quán)利要求10或11所述的封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法，其特征在于，在形成所述吸聲層之前或之后，還包括：沿所述塑封層兩側(cè)區(qū)域邊緣切割所述塑封層和所述基板，以得到至少一個(gè)單顆濾波器芯片的封裝結(jié)構(gòu)，在每個(gè)所述單顆濾波器芯片的封裝結(jié)構(gòu)中，所述塑封層的邊緣與所述吸聲層及隔離層的邊緣齊平。
17.如權(quán)利要求10所述的封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法，其特征在于，形成所述吸聲層的工藝包括真空覆膜或真空鍍膜。
18.如權(quán)利要求10所述的封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法，其特征在于，所述濾波器芯片為聲波濾波器芯片，或者，為固態(tài)組裝型體波濾波器芯片。