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      導(dǎo)電膏及使用該導(dǎo)電膏的陶瓷基板的制作方法_3

      文檔序號:8386347閱讀:來源:國知局
      外層的生巧片的上面,使用本發(fā)明的導(dǎo)電膏印刷表面導(dǎo)體。需要說 明的是,本發(fā)明的導(dǎo)電膏的印刷中,可W在最外層的生巧片上進(jìn)行印刷并干燥后,層疊到剩 余的層疊體上,從而制作燒制前的層疊體,也可W在最外層W外的層疊體上層疊最外層的 生巧片后進(jìn)行印刷并干燥,從而制作燒制前的層疊體。
      [0化3]作為本發(fā)明所使用的低溫?zé)铺沾缮善闹谱鞣椒?,例如,在含有氧化侶成分 30~50重量%和含有Si〇2、B203、412〇3、堿±金屬氧化物的玻璃成分70~50重量%的玻 璃?陶瓷材料中混合有機(jī)粘結(jié)劑、增塑劑和溶劑,從而制作漿料,并將該漿料通過刮刀法在 有機(jī)薄膜上進(jìn)行片成形,從而得到低溫?zé)铺沾缮善8鶕?jù)需要,將該片形成規(guī)定形狀, 并形成通孔等。
      [0化4] 同時印刷工序結(jié)束后,進(jìn)入層疊?壓接工序,層疊各層的生巧片,將該層疊體在例 如60~150°C、0. 1~30MPa(優(yōu)選為1~lOMPa)的條件下進(jìn)行加熱壓接而一體化。
      [0化5]然后,進(jìn)入約束燒制工序,在生巧片的層疊體的雙面上層疊氧化侶約束生巧片, 在該狀態(tài)下,在加壓該層疊體的同時,在升溫速度;l〇°C/分鐘、燒制峰值溫度;800~ 1000°C(優(yōu)選約900°C)、保持20分鐘的條件下,在空氣氣氛中燒制,將生巧片的層疊體與 內(nèi)層?表面導(dǎo)體、通路導(dǎo)體共燒后,通過噴砂處理等從燒制基板的兩面除掉氧化侶約束生巧 片的殘留物,從而制造低溫?zé)铺沾啥鄬与娐坊?。通過約束燒制法,可W制造基板的燒制 收縮小且基板尺寸精度優(yōu)良的陶瓷基板。
      [0056] 實施例
      [0057] W下,說明本發(fā)明的實施例及比較例。需要說明的是,該些為示例,不限定本發(fā)明 的范圍。
      [005引[實施例1~14,比較例1~句
      [0化9]將Ag粉末、玻璃粉末、銷族金屬添加劑及作為剩余部分的有機(jī)載體(W己基纖維 素為樹脂成分,W醋醇為溶劑成分的有機(jī)載體)捏合W得到表1所記載的含量,制作用于在 低溫?zé)铺沾缮善瑢盈B體上形成表面導(dǎo)體的導(dǎo)電膏。需要說明的是,對于Ag粉末,使用 球形粉,另外,除實施例8W外,使用混合平均二次粒徑不同的兩種Ag粉末而得到的粉末。 與膏組合物的其它成分捏合前的Ag粉末的平均二次粒徑使用日機(jī)裝制激光衍射?散射式 粒度分析計MT-3000通過激光衍射法測定。玻璃粉末的平均粒徑與Ag粉末的二次粒徑一 樣,通過激光衍射法測定,其平均粒徑值50)為0.8~2.Sum。另外,作為銷族金屬添加劑 使用的氧化Ru微粉及化微粉的BET比表面積均為100~150mVg。
      [0060]接著,在形成多層陶瓷基板的各層的基板用生巧片上,分別穿孔用于形成通孔的 貫穿孔,并且填充上述導(dǎo)電膏,此外,根據(jù)需要形成電感器、電容器等元件,并設(shè)置連接各元 件的導(dǎo)體圖案部分,層疊合計13張基板用生巧片。然后,使用上述導(dǎo)電膏在1張?zhí)沾缮?片上通過絲網(wǎng)印刷法印刷表面導(dǎo)體使得膜厚達(dá)到25ym,并進(jìn)行層疊使得該基板的印刷背 面與上述制作的層疊體表面接觸,從而制作陶瓷生巧片層疊體。
      [0061]接著,為了進(jìn)行用于確保尺寸精度的約束燒制,在上述印刷后的陶瓷生巧片層疊 體的與印刷面垂直的方向的外側(cè)的兩面狂面,最外層兩面)上,層疊W氧化侶為主要成分 的約束用生巧片,從而形成約束層。
      [0062]將層疊有上述約束層的生巧片層疊體放入通常的上下沖頭平坦的模具中,在 700kg/cm2下加壓7分鐘,然后載置在承燒板上,在不設(shè)置蓋子的情況下進(jìn)行脫粘結(jié)劑處理。 脫粘結(jié)劑處理中,升溫速度設(shè)定為20°C/分鐘,在260°C下進(jìn)行4小時。接著,在上述生巧 片層疊體上也重疊承燒板,并進(jìn)行燒制。此時,燒制溫度設(shè)定為920°C,該溫度下的燒制時間 設(shè)定為4小時。
      [0063]上述燒制后,通過噴砂處理和水洗除去所得到的燒制基板(多層陶瓷基板)的約 束用生巧片燒制物,接著,利用掃描型電子顯微鏡觀察該基板上的表面導(dǎo)體表面的約束層 的殘渣,由此計算該表面導(dǎo)體的形成面積中的露出金屬的面積(除去了約束層的面積)比 例(殘渣除去率)。關(guān)于約束層的殘渣除去性,將上述殘渣除去率為95%W上的情況評價 為0,將小于95 %的情況評價為X。需要說明的是,該殘渣除去率為95 %W上時,成為焊料 濕潤性、鍛敷性良好的基板。
      [0064] 接著,對上述多層陶瓷基板依次化學(xué)鍛(酸性液)Ni、PtAu,在80°C下干燥6分 鐘,從而形成表面導(dǎo)體的鍛膜。表2中表示通過電子顯微鏡的觀察評價鍛膜形成后的鍛敷 性的結(jié)果。將無鍛敷不均、鍛敷性良好的情況評價為〇,將約束層在鍛敷面的一部分或整體 上明顯存在、鍛敷性不良的情況評價為X。另外,在所得到的鍛膜上,利用包含Sn巧6.5% ) Ag(3. 0% )化(0. 5% )的焊料接合底面端子,并根據(jù)該焊料的拉拔強度測定值計算基板接 合強度劣化率(底面端子/安裝基板)。圖1中表示計算結(jié)果。拉拔強度測定試驗中,將在 大氣下(latm)重復(fù)進(jìn)行兩次260°C的熱處理的值作為初始值,將之后在濕度98%的大氣下 (2atm)進(jìn)行60小時的121°C的處理的值作為劣化值。
      [0065] 接著,在該鍛膜上接合侶制的引線,利用拉拔測試裝置PTR-1000 (冊ESCA公司制, 產(chǎn)品名),W0. 1mm/秒的速度向上方拉引線,并分別重復(fù)進(jìn)行20次引線接合性的評價(接 合試驗)。引線接合性的評價通過觀察破壞模式而進(jìn)行,將未發(fā)現(xiàn)多層陶瓷基板中的剝離且 引線的中部被切斷的正常的破壞模式評價為〇,將在鍛膜與表面導(dǎo)體的界面處剝離的破壞 模式評價為X-1,將在表面導(dǎo)體與陶瓷基板的界面處剝離的破壞模式評價為X-2。表2中 表示結(jié)果。圖2及圖3中表示上述接合試驗中的拉拔強度測定結(jié)果。
      [0066] [表 1]
      [0067]
      【主權(quán)項】
      1. 一種導(dǎo)電膏,其含有在膏組合物中的含有率為60~95質(zhì)量%的Ag粉末、相對于Ag 粉末的質(zhì)量為〇. 5~5質(zhì)量%的硼硅酸類玻璃粉末、其余為鉑族金屬添加劑和有機(jī)載體,用 于印刷在低溫?zé)铺沾缮髌瑢盈B體上并通過約束燒制而形成表面導(dǎo)體,其特征在于, 所述鉑族金屬添加劑至少含有Ru和Rh兩種金屬,該鉑族金屬添加劑的Ru和Rh的各 自的含量相對于所述Ag粉末的質(zhì)量以金屬成分換算為0. 05~5質(zhì)量%的Ru和0. 001~ 〇. 1質(zhì)量%的Rh。
      2. 如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電膏,其中, 所述玻璃粉末的軟化點為710~890°C。
      3. 如權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)電膏,其中, 所述Ag粉末在與其它膏組合物成分的捏合前包含平均二次粒徑不同的兩種Ag粉末。
      4. 如權(quán)利要求3所述的導(dǎo)電膏,其中, 相對于所述Ag粉末的質(zhì)量,20質(zhì)量%以上為平均二次粒徑20~60ym的Ag粉末,其 余為平均二次粒徑3~10ym的Ag粉末。
      5. -種陶瓷基板,其通過對印刷有權(quán)利要求1~4中任一項所述的導(dǎo)電膏作為表面導(dǎo) 體的低溫?zé)商沾缮髌瑢盈B體進(jìn)行約束燒制而得到。
      【專利摘要】本發(fā)明提供一種耐鍍敷性優(yōu)良,鍍敷處理后也具有對陶瓷基板和鍍膜的良好的粘附性,且在共燒的情況下能夠除去燒制后的約束層而不殘留在表面導(dǎo)體上的約束燒制用的導(dǎo)電膏及使用該導(dǎo)電膏的陶瓷基板。一種導(dǎo)電膏,其含有在膏組合物中的含有率為60~95質(zhì)量%的Ag粉末、相對于Ag粉末的質(zhì)量為0.5~5質(zhì)量%的硼硅酸類玻璃粉末、其余為鉑族金屬添加劑和有機(jī)載體,上述鉑族金屬添加劑至少含有Ru和Rh兩種金屬,該鉑族金屬添加劑的Ru和Rh的各自的含量相對于上述Ag粉末的質(zhì)量以金屬成分換算為0.05~5質(zhì)量%的Ru和0.001~0.1質(zhì)量%的Rh。
      【IPC分類】H01B1-22, H01B1-00, H05K3-46, H01B5-14, H05K1-09, H05K3-12
      【公開號】CN104704932
      【申請?zhí)枴緾N201380052100
      【發(fā)明人】佐藤稔, 河田智明, 平野雅裕, 小野住重和
      【申請人】Tdk株式會社, 田中貴金屬工業(yè)株式會社
      【公開日】2015年6月10日
      【申請日】2013年10月2日
      【公告號】US20150282309, WO2014054671A1
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