為在第2絕緣層4上形成貫通孔5的方法，可W使用通過鉆削加工的方法、通過 激光加工的方法。在通過激光加工形成貫通孔5的情況下，可W使用碳酸氣體激光裝置或 YAG激光裝置等。
[0062] 在該樣得到的配線基板材料1中，在第2絕緣層4中的貫通孔5的內(nèi)壁面、第2絕 緣層4的表面中的貫通孔5的周邊區(qū)域、W及貫通孔5的底部即導(dǎo)電層3中的通過貫通孔 5露出的部分等上，殘留有在形成貫通孔5時(shí)產(chǎn)生的殘?jiān)?。
[0063]在本發(fā)明的除渣處理方法中，進(jìn)行對(duì)上述配線基板材料1中的被處理部分照射紫 外線的紫外線照射處理工序、對(duì)經(jīng)過了該紫外線照射處理工序的配線基板材料1施加物理 性振動(dòng)的物理性振動(dòng)處理工序。
[0064] 在本發(fā)明中，能夠在例如大氣等的含氧的氣體環(huán)境下進(jìn)行紫外線照射處理工序。
[00化]在紫外線照射處理工序中，使向配線基板材料1照射的紫外線為波長220nmW下， 優(yōu)選的是190nmW下。在紫外線的波長超過220nm的情況下，難朗尋起因于樹脂等的有機(jī) 物質(zhì)的殘?jiān)纸獬ァ?br>[0066] 作為波長220nmW下的紫外線的光源，可W使用氣準(zhǔn)分子燈（峰值波長172nm)、低 壓水銀燈（185nm亮線）、惰性氣體巧光燈等。向配線基板材料1照射的紫外線的照度例如 是10~lOOOmW/cm2。此外，考慮紫外線的照度或殘?jiān)臍埩魻顟B(tài)等適當(dāng)設(shè)定配線基板材料 1的紫外線的照射時(shí)間，例如是30秒~180分。
[0067] 圖3是表示作為波長220nmW下的紫外線的光源使用的準(zhǔn)分子燈的一例的結(jié)構(gòu)的 概略的說明用剖視圖，圖3(a)是表示沿著放電容器的長度方向的截面的橫剖視圖，圖3化） 是圖3 (a)的A-A線剖視圖。
[0068] 該準(zhǔn)分子燈10具備兩端被氣密地封閉并在內(nèi)部形成有放電空間S的、截面矩形狀 的中空長尺寸狀的放電容器11，在該放電容器11的內(nèi)部，封入有例如氣氣、混合了氣和氯 的氣體作為放電用氣體。
[0069] 放電容器11由供真空紫外光良好地透過的氧化娃玻璃、例如合成石英玻璃構(gòu)成， 具有作為電介體的功能。
[0070] 在放電容器11中的長邊面的外表面上，W在長尺寸的方向上延伸的方式對(duì)置配 置有一對(duì)格狀的電極、即作為高電壓供給電極發(fā)揮功能的一方的電極15及作為接地電極 發(fā)揮功能的另一方的電極16,由此，成為在一對(duì)電極15、16間夾著作為電介體發(fā)揮功能的 放電容器11的狀態(tài)。
[0071] 該樣的電極例如可W將由金屬構(gòu)成的電極材料通過糊料涂敷或通過印刷、蒸鍛而 形成在放電容器11上。
[007引在該準(zhǔn)分子燈10中，如果對(duì)一方的電極15供給點(diǎn)燈電力，則經(jīng)由作為電介體發(fā) 揮功能的放電容器11的壁在兩電極15、16間生成放電，由此，形成準(zhǔn)分子并發(fā)生從該準(zhǔn)分 子放射真空紫外光的準(zhǔn)分子放電，但為了高效率地利用通過該準(zhǔn)分子放電產(chǎn)生的真空紫外 光，在放電容器11的內(nèi)表面上設(shè)有由氧化娃粒子和氧化侶粒子構(gòu)成的紫外線反射膜20。該 里，在使用氣氣作為放電用氣體的情況下，釋放在波長172nm處具有峰值的真空紫外線，在 使用混合了氣和氯的氣體作為放電用氣體的情況下，釋放在波長175nm處具有峰值的真空 紫外線。
[0073] 紫外線反射膜20例如遍及放電容器11的長邊面的與作為高電壓供給電極發(fā)揮功 能的一方的電極15對(duì)應(yīng)的內(nèi)表面區(qū)域和與該區(qū)域連續(xù)的短邊面的內(nèi)表面區(qū)域的一部分而 形成，通過在放電容器11的長邊面的與作為接地電極發(fā)揮功能的另一方的電極16對(duì)應(yīng)的 內(nèi)表面區(qū)域中不形成紫外線反射膜20而構(gòu)成光射出部（開口部）18。
[0074] 紫外線反射膜20的膜厚優(yōu)選的是例如10~100ym。
[0075] 由于氧化娃粒子及氧化侶粒子自身具有有較高的折射率的真空紫外光透過性，所 W紫外線反射膜20具有到達(dá)了氧化娃粒子或氧化侶粒子的真空紫外光的一部分被粒子的 表面反射并且另一部分折射而入射到粒子的內(nèi)部、進(jìn)而入射到粒子的內(nèi)部中的光的許多透 過（一部分被吸收）并在再次被射出時(shí)被折射的、該種反復(fù)發(fā)生反射、折射的"擴(kuò)散反射"的 功能。
[0076] 此外，紫外線反射膜20由氧化娃粒子及氧化侶粒子、即陶瓷構(gòu)成，從而具有不產(chǎn) 生雜質(zhì)氣體、而且能夠承受放電的特性。
[0077] 構(gòu)成紫外線反射膜20的氧化娃粒子可W使用例如使氧化娃玻璃W粉末狀成為細(xì) 小的粒子該樣的氧化娃粒子等。
[007引氧化娃粒子的如W下該樣定義的粒子徑處于例如0. 01~20ym的范圍內(nèi)，中屯、粒 徑（算術(shù)平均粒子徑的峰值）例如優(yōu)選的是0. 1~10ym，更優(yōu)選的是0. 3~3ym。
[0079] 此外，具有中屯、粒徑的氧化娃粒子的比例優(yōu)選的是50%W上。
[0080] 構(gòu)成紫外線反射膜20的氧化侶粒子算術(shù)平均粒子徑處于例如0. 1~10ym的范 圍內(nèi)，中屯、粒徑（算術(shù)平均粒子徑的峰值）優(yōu)選的是例如0. 1~3ym，更優(yōu)選的是0. 3~ 1ym。
[0081] 此外，具有中屯、粒徑的氧化侶粒子的比例優(yōu)選的是50%W上。
[0082] 此外，在本發(fā)明中，也可W在配線基板材料1的被處理部分濕潤的狀態(tài)下進(jìn)行紫 外線照射處理工序。在此情況下，作為紫外線照射處理工序的前處理工序，優(yōu)選的是在配線 基板材料1的被處理部分不濕潤的狀態(tài)下改善該被處理部分的浸潤性的浸潤性改善處理 工序、和將經(jīng)過了該浸潤性改善處理工序的配線基板材料1的被處理部分濕潤的濕潤處理 工序。
[0083] 浸潤性改善處理工序可W通過在該被處理部分沒有濕潤的狀態(tài)下對(duì)配線基板材 料的被處理部分照射紫外線的干式紫外線照射處理、大氣壓等離子處理、減壓等離子處理、 電暈放電處理等進(jìn)行，但優(yōu)選的是干式紫外線照射處理。
[0084] 該干式紫外線照射處理在例如大氣下等的含氧的氣體環(huán)境下進(jìn)行。
[0085] 在干式紫外線照射處理中，向配線基板材料照射的紫外線優(yōu)選的是波長220nmW 下、特別是190nmW下。在紫外線的波長超過220nm的情況下，難W可靠地改善配線基板材 料的被處理部分的浸潤性。作為波長220nmW下的紫外線的光源，可W使用氣準(zhǔn)分子燈（峰 值波長172nm)、低壓水銀燈（185nm亮線）、惰性氣體巧光燈等。作為被用作波長220nmW 下的紫外線的光源的準(zhǔn)分子燈的具體例，可W舉出在上述紫外線照射處理中使用的圖3所 示的準(zhǔn)分子燈。
[0086] 向配線基板材料1照射的紫外線的照度例如是10~200mW/cm2。此外，考慮紫外 線的照度或配線基板材料1的材質(zhì)等而適當(dāng)設(shè)定配線基板材料1的紫外線的照射時(shí)間，例 如是10~60秒。
[0087] 濕潤處理工序例如通過使配線基板材料1浸潰到水中來進(jìn)行。該里，浸潰時(shí)間例 如是10~60秒。
[008引此外，也可W在使配線基板材料浸潰在水中的狀態(tài)下使該水發(fā)生超聲波振動(dòng)。由 此，水在短時(shí)間內(nèi)進(jìn)入到配線基板材料的貫通孔內(nèi)，所W能夠縮短浸潰時(shí)間。
[0089] 此外，也可W在使配線基板材料浸潰所需的時(shí)間后，例如通過空氣刮刀將存在于 配線基板材料的被處理部分處的剩余的水除去。
[0090] 物理性振動(dòng)處理工序例如可W通過超聲波振動(dòng)處理進(jìn)行。超聲波振動(dòng)處理中的超 聲波的頻率優(yōu)選的是20~70曲Z。在該頻率超過70曲Z的情況下，難W破壞起因于無機(jī)物 質(zhì)的殘?jiān)蛊鋸呐渚€基板材料脫離。
[0091] 在該樣的超聲波振動(dòng)處理中，作為超聲波的振動(dòng)介質(zhì)，可W使用水等的液體及空 氣等的氣體。
[0092] 如果具體地說明，則在使用水作為振動(dòng)介質(zhì)的情況下，可W將配線基板材料1例 如浸潰到水中，通過在該狀態(tài)下使該水發(fā)生超聲波振動(dòng)來進(jìn)行超聲波振動(dòng)處理。在使用液 體作為超聲波的振動(dòng)介質(zhì)的情況下，超聲波振動(dòng)處理的處理時(shí)間例如是10~600秒。
[0093] 此外，在使用空氣作為振動(dòng)介質(zhì)的情況下，通過一邊使壓縮空氣超聲波振動(dòng)一邊 向配線基板材料1噴吹，能夠進(jìn)行超聲波振動(dòng)處理。該里，壓縮空氣的壓力優(yōu)選的是0. 2MPa W上。此外，通過壓縮空氣進(jìn)行的超聲波振動(dòng)處理的處理時(shí)間例如是5~60秒。
[0094] 在本發(fā)明的除渣處理方法中，可W在進(jìn)行物理性振動(dòng)處理工序之前交替地重復(fù)進(jìn) 行上述濕潤處理工序及紫外線照射處理工序。
[0095] 濕潤處理工序及紫外線照射處理工序的重復(fù)次數(shù)考慮各濕式紫外線照射處理工 序中的紫外線的照射時(shí)間等而適當(dāng)設(shè)定，例如是1~5次。
[0096] 根據(jù)該樣的方法，由于配線基板材料的被處理部分能夠確保濕潤的狀態(tài)，所W在 各濕式紫外線照射處理工序中，將起因于有機(jī)物質(zhì)的殘?jiān)黈較高的效率分解。結(jié)果，能夠縮 短各濕式紫外線照射處理工序中的紫外線照射時(shí)間的總和。
[0097] 此外，上述紫外線照射處理工序及物理性振動(dòng)處理工序也可該順序分別各進(jìn) 行1次，但也可W交替地重復(fù)進(jìn)行紫外線照射處理工序及物理性振動(dòng)處理工序。
[009引紫外線照射處理工序及物理性振動(dòng)處理工序的重復(fù)次數(shù)考慮各紫外線照射處理 工序中的紫外線的照射時(shí)間等而適當(dāng)設(shè)定，例如是1~5次。
[0099] W下，關(guān)于本發(fā)明的除渣處理方法，舉分別進(jìn)行兩次紫外線照射處理工序及物理 性振動(dòng)處理工序的情況為例進(jìn)行說明。
[0100] 如圖4(a)所示，在除渣處理前的配線基板材料1中，在配線基板材料1的被處理 部分例如導(dǎo)電層3上殘留有殘?jiān)?。該殘?jiān)?由起因于樹脂等的有機(jī)物質(zhì)的殘?jiān)╓下也 稱作"有機(jī)物殘?jiān)?）7、和起因于該有機(jī)物殘?jiān)?中含有的填料等的無機(jī)物質(zhì)的殘?jiān)╓下 也稱作"無機(jī)物殘?jiān)?）8構(gòu)成。
[0101] 通過在含氧的氣體環(huán)境下對(duì)該樣的配線基板材料1的被處理部分照射波長220nm W下的紫外線，氣體環(huán)境氣體中的氧反應(yīng)而生成臭氧或活性氧。并且，有機(jī)物殘?jiān)?的一部 分通過紫外線的能量及隨著紫外線的照射產(chǎn)生的臭氧或活性氧而被分解、氣化。此外，在配 線基板材料1通過濕潤處理工序而處于濕潤的狀態(tài)的情況下，通過對(duì)配線基板材料1的被 處理部分照射波長220nmW下的紫外線，從而水發(fā)生反應(yīng)而生成OH基等。并且，有機(jī)物殘 渣7的一部分通過紫外線的能量及通過對(duì)水照射紫外線產(chǎn)生的OH基等被分解、氣化。
[0102] 結(jié)果，如圖4(b)所示，從配線基板材料1除去有機(jī)物殘?jiān)?的一部分。此時(shí)，無機(jī) 物殘?jiān)?的一部分通過有機(jī)物殘?jiān)?的一部分被除去而露出。此外，露出的無機(jī)物殘?jiān)?、 例如氧化娃或氧化侶等的無機(jī)物殘?jiān)?通過被照射紫外線而變脆。認(rèn)為該是因?yàn)?，無機(jī)物 殘?jiān)?受到紫外線而收縮，從而在該無機(jī)物殘?jiān)?中發(fā)生應(yīng)變。
[0103] 接著，通過對(duì)配線基板材料1實(shí)施物理性振動(dòng)處理，露出的無機(jī)物殘?jiān)?通過由振 動(dòng)帶來的機(jī)械作用被破壞，從該配線基板材料1脫離。此外，還認(rèn)為通過無機(jī)物殘?jiān)?的收 縮、或當(dāng)對(duì)各殘?jiān)丈渥贤饩€時(shí)發(fā)生的熱膨脹的差等而在有機(jī)物殘?jiān)?與無機(jī)物殘?jiān)?之 間產(chǎn)生微小的間隙，無機(jī)物殘?jiān)?通過實(shí)施物理性振動(dòng)處理而從該配線基板材料1脫離。
[0104] 結(jié)果，如圖4(c)所示，從配線基板材料1除去無機(jī)物殘?jiān)?的一部分。
[01化]然后，通過對(duì)配線基板材料1的被處理部分照射波長220nmw下的紫外線，有機(jī)物 殘?jiān)?的其余部分的大部分通過紫外線的能量及隨著紫外線的照射產(chǎn)生的臭氧或活性氧 等而被分解、氣化。結(jié)果，如圖4(d)所示，從配線基板材料1除去有機(jī)物殘?jiān)?的其余部分 的大部分。此時(shí)，無機(jī)物殘?jiān)?的其余部分因有機(jī)物殘?jiān)?的其余部分的大部分被除去而 露出。此外，露出的無機(jī)物殘?jiān)?通過被照射紫外線而變脆。
[0106] 接著，通過對(duì)配線基板材料1實(shí)施物理性振動(dòng)處理，露出的無機(jī)物殘?jiān)?或有機(jī)物 殘?jiān)?的其余部分被由