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      一種形成有天線槽的電子產(chǎn)品金屬殼體及其制備方法_2

      文檔序號:9768350閱讀:來源:國知局
      式,例如可以用無油壓縮氣體吹干,溫度為20-30°C,時間為5-10min,此為本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知,在此不再贅述。
      [0036]本發(fā)明的方法中,對于油墨噴涂處理的條件沒有特別的限定,可以為本領(lǐng)域常用的各種油墨噴涂處理的條件。優(yōu)選情況下,步驟(I)中,油墨噴涂處理的方式包括:噴涂UV油墨形成厚度為40-60um的油墨層,然后在110-120°C下烘烤20_30min,并在紫外線下曝光l_2min0
      [0037]本發(fā)明的方法中,本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解的是,電子產(chǎn)品金屬殼體的正面是指組裝為成品電子產(chǎn)品時露在空氣中的電子產(chǎn)品金屬殼體的一面,背面則是與正面相對的一面。
      [0038]本發(fā)明的方法中,優(yōu)選情況下,步驟(2)中,形成天線槽的過程包括:在經(jīng)步驟(I)處理所得產(chǎn)品的背面形成天線槽狹縫,使得至少去除背面油墨層和背面硬質(zhì)陽極氧化層,然后去除狹縫對應(yīng)部位的金屬層至露出正面硬質(zhì)陽極氧化層的內(nèi)側(cè)。
      [0039]本發(fā)明的方法中,為了減少對電子產(chǎn)品金屬殼體結(jié)構(gòu)的破壞,保證電子產(chǎn)品金屬殼體的正面不會出現(xiàn)凸痕,進(jìn)一步提高牢固度及硬度,優(yōu)選情況下,步驟(2)中,在經(jīng)步驟
      (I)處理所得產(chǎn)品的背面通過鐳雕形成天線槽狹縫,使得去除背面油墨層、背面硬質(zhì)陽極氧化層和部分金屬層,去除的部分金屬層的厚度為金屬層總厚度的0-40%,進(jìn)一步優(yōu)選為20-30%。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解的是,當(dāng)去除的部分金屬層的厚度為金屬層總厚度的
      0-10%時,為正常鐳雕;當(dāng)去除的部分金屬層的厚度為金屬層總厚度的10-40%時,為深度鐳雕(本發(fā)明中,需要說明的是,當(dāng)去除的部分金屬層的厚度為金屬層總厚度的10%時,為正常鐳雕)。
      [0040]本發(fā)明的方法中,對于鐳雕的方法沒有特別的限定,可以為本領(lǐng)域常用的各種鐳雕方法,例如可以用鐳雕機(jī)進(jìn)行鐳雕。優(yōu)選情況下,形成的天線槽狹縫的寬度為
      0.05-0.1mm0
      [0041]本發(fā)明的方法中,優(yōu)選情況下,步驟(2)中,通過蝕刻去除狹縫對應(yīng)部位的金屬層。對于蝕刻的條件沒有特別的限定,可以為本領(lǐng)域常用的各種蝕刻條件。優(yōu)選情況下,蝕刻液為酸性蝕刻液。對于酸性蝕刻液沒有特別的限定,可以為本領(lǐng)域常用的各種酸性蝕刻液,例如可以為三氯化鐵類酸性蝕刻液、氯化銅類酸性蝕刻液或鹽酸類酸性蝕刻液等。優(yōu)選地,步驟(2)中,蝕刻的條件包括:溫度為20-30°C,時間為30-40min,蝕刻液為含有三氯化鐵和鹽酸的水溶液,以IL蝕刻液計(jì),三氯化鐵的含量為800-1000g,鹽酸的含量為35-75g。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解的是,蝕刻的時間應(yīng)與鐳雕時去除的部分金屬層的厚度有關(guān),鐳雕時去除的部分金屬層的厚度越大,則蝕刻的時間應(yīng)越短,反之,鐳雕時去除的部分金屬層的厚度越小,則蝕刻的時間應(yīng)越長。
      [0042]本發(fā)明的方法中,以電子產(chǎn)品金屬殼體的背面所對應(yīng)的天線槽的開口為上部開口,天線槽的剖面結(jié)構(gòu)為上部開口大下部開口小的梯形結(jié)構(gòu)。其中,當(dāng)鐳雕天線槽狹縫為深度鐳雕時,經(jīng)蝕刻后形成的天線槽的上部開口的寬度為3-6mm,下部開口的寬度為
      1-1.6mm;當(dāng)鐳雕天線槽狹縫為正常鐳雕時,經(jīng)蝕刻后形成的天線槽的上部開口的寬度為10-15mm,下部開口的寬度為2_3mm。
      [0043]本發(fā)明的方法中,金屬層中可能會含有其他的金屬雜質(zhì),如銅、錳等。因此,本發(fā)明的方法還可以包括,步驟(2)中,在蝕刻后進(jìn)行水洗,在水洗后進(jìn)行剝黑膜,去除裸露的黑色雜質(zhì)層,并再次進(jìn)行水洗。對于水洗的方法沒有特別的限定,可以為本領(lǐng)域常用的各種水洗方法,例如可以為用去離子水清洗2-3次。
      [0044]本發(fā)明的方法中,對于去除油墨層的方式?jīng)]有特別的限定,可以為本領(lǐng)域常用的各種脫漆方式,只要能夠去除油墨層即可。優(yōu)選情況下,去除油墨層的方式為用中性脫漆劑去除油墨層。對于中性脫漆劑沒有特別的限定,可以為本領(lǐng)域常用的各種中性脫漆劑,例如可以為普通溶劑型脫漆劑、氯化烴類脫漆劑和水性脫漆劑中的一種或多種。
      [0045]本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解的是,本發(fā)明的方法還包括在去除油墨層之后、進(jìn)行填膠處理之前進(jìn)行水洗并烘干。對于烘干的方法沒有特別的限定,可以為本領(lǐng)域常用的烘干方法,優(yōu)選情況下,烘干的條件包括:溫度為80-120°C,時間為5-10min。
      [0046]進(jìn)一步優(yōu)選地,對于填充非導(dǎo)電材料的方法和非導(dǎo)電材料沒有特別的限定,可以分別為本領(lǐng)域常用的各種填充非導(dǎo)電材料方法和非導(dǎo)電材料。優(yōu)選情況下,非導(dǎo)電材料為UV膠水、熱固化膠水和常溫硬化膠中的一種或多種。
      [0047]本發(fā)明的方法中,優(yōu)選情況下,金屬層為鋁合金層。
      [0048]本發(fā)明的方法中,優(yōu)選情況下,電子產(chǎn)品金屬殼體為手機(jī)金屬外殼或平板電腦金屬外殼。
      [0049]第三方面,本發(fā)明提供了上述方法制備得到的電子產(chǎn)品金屬殼體。
      [0050]實(shí)施例
      [0051]以下的實(shí)施例將對本發(fā)明作進(jìn)一步的說明,但并不因此限制本發(fā)明。
      [0052]以下實(shí)施例中,0.5mm厚的5系鋁材購自福建省南平鋁業(yè)有限公司。
      [0053]無鎳封孔劑、微量鎳封孔劑和無重金屬封孔劑均購自深圳歐得美科技有限公司。
      [0054]氯化烴溶劑脫漆劑購自東莞市四輝表面處理科技有限公司。
      [0055]UV膠水購自日本愛賽克公司(ASEC),型號為AS-210604C。
      [0056]鐳雕機(jī)購自深圳市光大激光技術(shù)有限公司,型號為FM20D。
      [0057]實(shí)施例1
      [0058]本實(shí)施例用于說明本發(fā)明的形成有天線槽的手機(jī)鋁合金殼體及其制備方法。
      [0059](I)堿蝕處理:將招合金層I厚度為0.5mm的5系招材切割成5cm*3.5cm的招合金片,60°C下,將鋁合金片在濃度為40g/L的氫氧化鈉溶液中堿蝕1.5min,然后用去離子水清洗2次;
      [0060](2)出光處理:25°C下,將步驟⑴得到的鋁合金片在出光液(以IL出光液計(jì),65重量%的濃硝酸的量為300ml)中出光2min,然后用去離子水清洗2次;
      [0061](3)氧化處理:將步驟(2)得到的鋁合金片放入氧化槽中,其中,10°C下,采用正向方波脈沖,占空比為80%,頻率為800Hz,電流密度為5A/dm2,將氧化槽中的鋁合金片通電硬質(zhì)氧化40min(以IL氧化液計(jì),98重量%的硫酸的量為200g,草酸的量為15g,余量為水),然后用去離子水清洗2次;
      [0062](4)封孔處理:25°C下用無鎳封孔劑將步驟(3)得到的鋁合金片封孔2.5min,然后用去離子水清洗2次,25°C下用無油壓縮氣體吹干,形成厚度為35 μ m的硬質(zhì)陽極氧化層2 ;
      [0063](5)油墨噴涂處理:在步驟⑷得到的鋁合金片表面噴涂UV油墨形成厚度為50 μ m的油墨層3,然后在115°C下烘烤25min,并在紫外線下曝光1.5min ;
      [0064](6)在步驟(5)得到的鋁合金片的背面用鐳雕機(jī)鐳雕出寬度為0.07mm的深度鐳雕的天線槽狹縫4,去除背面的油墨層、硬質(zhì)陽極氧化層和占鋁合金層總厚度25%的鋁合金層;
      [0065](7) 25°C下,用蝕刻液(以IL蝕刻液計(jì),六水合三氯化鐵的量為900g、37重量%的鹽酸的量為150ml,余量為水)蝕刻狹縫對應(yīng)部位的鋁合金層35min,觀察發(fā)現(xiàn)正面的硬質(zhì)陽極氧化層已全部露出,然后用去離子水清洗2次,并剝除裸露的黑色雜質(zhì)層,再用去離子水清洗2次,得到剖面結(jié)構(gòu)為上部開口大下部開口小的梯形結(jié)構(gòu)的天線槽5,上部開口的寬度為4.5mm,下部開口的寬度為1.25mm ;
      [0066](8)用氯化烴溶劑脫漆劑脫漆去除油墨層,用去離子水清洗2次,100°C下烘烤7min ;<
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