料212包括被絲網印刷到透視黃色半 透明介電聚酰亞胺(PI)膜上的銀墨或膏。在圖4A中銀的線寬為30微米。在圖4B中銀的 線寬為50微米。在圖4C中銀的線寬為70微米。在圖4D中銀的線寬為90微米。網眼間 隔可為約250微米。其它實施方式可包括不同配置的導電材料,例如線寬大于90微米、小 于30微米、在30微米至90微米的范圍內(例如,40微米、60微米、80微米等)、不同的網狀 或網格圖案(例如,間隔更近或者大于250微米、網目更小或更大等)等。另外,代替PI膜 可使用其它膜(例如,其它高溫聚合物膜等),和/或代替銀可使用其它導電材料,例如銅、 不銹鋼、鋁或其它導電材料等。代替絲網印刷還可使用其它工藝來將導電材料施加到膜,例 如噴涂、絲網印刷、濺射(也稱為等離子體氣相沉積或者PVD)、蝕刻、涂覆、帶或不帶膜材料 背襯的金屬絲網的層疊等。
[0048] 在本公開的示例性實施方式中可使用各種各樣的網片(例如,材料、開孔尺寸、開 孔面積、絲徑等)。以下是示例性實施方式可使用的網片的示例:
[0049] 每英寸50個開孔、絲徑為0. 0012英寸并且88. 4%開孔面積的鍍銀不銹鋼網片;
[0050] 每英寸80個開孔、絲徑為0. 0011英寸并且82%開孔面積的鍍銀不銹鋼網片;
[0051] 每英寸100個開孔、絲徑為0. 0011英寸并且79. 2%開孔面積的鍍銀不銹鋼網片;
[0052] 每英寸80個開孔、絲徑為0. 0005英寸并且60. 8%開孔面積的銅網片;
[0053] 每英寸80個開孔、絲徑為0. 0005英寸并且86%開孔面積的銅網片;和/或
[0054] 每英寸230個開孔、絲徑為0. 0014英寸并且46%開孔面積的不銹鋼網片。
[0055] 繼續(xù)參照圖4A至圖4D,選擇性地確定導電網格圖案、線寬和線之間的距離以在具 有良好的屏蔽效果和保持透視膜的能力之間取得平衡。例如,如果網格圖案線過于靠近在 一起和/或過粗,則屏蔽效果可優(yōu)異。但是這樣的話可能由于網格線而無法透視膜,例如網 格線可能阻礙部件的光學檢查和/或查看,因為不包括網格線的膜部分可能過小等。
[0056] 在一些實施方式中,膜可具有高抗縮性以減小在高熱環(huán)境中(例如,在回流焊接 期間等)的收縮。例如,膜優(yōu)選地能夠承受常用于將框架安裝到電路板的回流焊接工藝。
[0057] 圖5示出根據示例性實施方式的用于屏蔽設備的示例封蓋、蓋或上蓋304。如圖5 所示,封蓋304包括基本上透明或清澈的膜。
[0058] 圖6示出包括圖5所示的框架302和封蓋304的示例性屏蔽設備或組件300。封 蓋304結合到框架302的頂側??蚣?02包括被封蓋304覆蓋的開放頂部。在此示例中, 屏蔽設備或組件300可被稱作兩件式屏蔽件、屏蔽設備或組件,其中一件是框架302,另一 件是封蓋304。
[0059] 封蓋304可例如利用粘合劑(例如,導電PSA等)或者其它合適的手段來附接到 框架302??衫煤噶系葘⒖蚣?02安裝到PCB。另選地,可沿著框架302的底側設置粘合 劑,所述粘合劑用于將屏蔽設備300安裝到基板(例如,印刷電路板等)。
[0060] 封蓋304可能初始大于框架302的周界或覆蓋區(qū)。如果是這樣,則封蓋304可被 切割或者以其它方式減小尺寸以與框架302的周界或覆蓋區(qū)的尺寸對應。在一些實施方式 中,封蓋304可調整尺寸以使得覆蓋區(qū)或周界足夠大以覆蓋框架302的開放頂部,但是小于 框架302的覆蓋區(qū)或周界。這繼而可有助于防止封蓋304的任何部分延伸超過或者伸出到 框架302的邊緣外部并且不期望地接觸或者粘到相鄰部件。例如,框架302可具有跨過頂 部邊緣彎曲的側壁。封蓋304可被切割為略小于框架302的周界以防止沿著封蓋304的任 何壓敏粘合劑懸在框架302的邊緣上并且不期望地粘到部件。
[0061] 如圖6所示,框架302包括橫桿316,其可為框架302提供附加支撐,為屏蔽組件 300提供額外屏蔽,為拾取設備支撐拾取表面318等。在其它實施方式中,框架不包括任何 橫桿316。例如,圖1所示的框架102不包括任何橫桿。這可改進透過封蓋104對部件的 光學檢查和/或查看,因為不存在阻礙透過封蓋104的視野的框架橫桿,因此允許透過封蓋 104更好地檢查和/或查看。
[0062] 圖7A是圖6的屏蔽設備或組件300的俯視圖。如圖7A所示,可透過封蓋304看 到組件300的內部,而無需移除封蓋304。
[0063] 圖7B是圖7A所示的屏蔽設備300的一部分的近視圖。如圖7B所示,金屬網片 312被層疊到膜314 (例如,聚酯介電膜、高溫聚合物膜等)的下側,從而沿著膜314的下側 提供導電性,而不會整個消除透視膜314的能力。因此,封蓋304至少有一部分是透視的 (例如,透明的、半透明的、基本上透明的、透亮的、清澈的等)。
[0064] 膜314可包括Myh_irK聚酯膜、其它聚酯膜、聚酰亞胺(PI)膜、聚對苯二甲酸乙二 醇酯(PET)膜、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)膜、高溫聚合物膜、其它膜或者材料等。在示例 性實施方式中,膜314適合于承受(例如,沒有顯著的變形或者收縮等)用于將框架安裝到 PCB的回流焊接工藝的一種或更多種材料(例如,聚酰亞胺(PI)、其它高溫聚合物等)。膜 314可包括介電膜,金屬網片312在層疊到該介電膜的下側之后沿著膜的下側提供導電性。 金屬網片312具有足夠大的開孔尺寸以允許膜被透視,但是金屬網片的開孔尺寸也足夠小 以實現良好的屏蔽效果。網片可被修正以改進屏蔽效果(例如,通過減小開孔尺寸)或者 改進透明度(例如,通過增大開孔尺寸)。
[0065] 圖8A、圖8B、圖8C和圖8D分別是根據示例性實施方式的可附接有至少有一部分 透視的封蓋的示例框架402的俯視圖、正視圖、側視圖和橫截面圖。這些圖(以及本專利申 請的其它地方)中所提供的示例尺寸(毫米(英寸))僅是示例,因為其它實施方式可包括 更大、更小或者形狀不同的不同地配置的框架。
[0066] 圖9是根據本公開的示例性實施方式的針對三個原型屏蔽設備測量的屏蔽效果 (分貝(dB))對頻率(200兆赫至18千兆赫)的線圖,所述屏蔽設備各自包括具有透視部分 的封蓋。提供圖9所示的結果僅是為了說明目的,而非為了限制目的,因為屏蔽設備的其它 示例性實施方式可被不同地配置以使得它們具有不同的屏蔽效果(例如,好于20dB至40dB 屏蔽效果等)。三個原型屏蔽設備包括由冷乳鋼制成的框架,其中框架包括橫桿(例如,圖5 和圖6等)。但是不要求橫桿,因為其它實施方式包括不帶橫桿的框架(例如,圖1和圖8A 等)。第一原型(原型1)包括涂覆有導電透明涂層的光學級聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET) 膜。第二原型(原型2)包括具有菱形圖案的導電網格的透明塑料膜。第三原型(原型3) 包括濺射涂覆有多層導電涂層的清澈聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜。通常,這些結果表 明,利用如本文所公開的包括至少有一部分透視的封蓋的EMI屏蔽設備可獲得一定頻率范 圍上的良好的屏蔽效果(例如,20dB至40dB、大于40dB等)。
[0067] 其它示例性實施方式包括制備板級EMI屏蔽設備或組件的方法。在示例性實施方 式中,方法通常包括利用具有至少部分地透視的(例如,透明的、半透明的、非不透明的等) 至少一個透視部分的封蓋來覆蓋由一個或更多個側壁限定的開放頂部。所述一個或更多個 側壁被配置用于大致圍繞基板上的一個或更多個部件安裝到基板。當所述一個或更多個部 件在由所述一個或更多個側壁和封蓋協作地限定的內部時,所述一個或更多個側壁和所述 封蓋能夠操作以用于屏蔽基板上的所述一個或更多個部件。封蓋的透視部分允許透過封蓋 的透視部分光學檢查和/或查看所述一個或更多個部件,而無需移除封蓋。
[0068] 此示例性方法可包括使用導電壓敏粘合劑將封蓋附接到所述一個或更多個側壁。 所述方法可包括在封蓋附接到所述一個或更多個側壁的同時將所述一個或更多個側壁焊 接到電路板。所述方法還可包括透過封蓋的透視部分光學檢查和/或查看一個或更多個部 件,而無需移除封蓋。所述一個或更多個側壁可包括單個側壁,可包括彼此分離或分立的多 個側壁,或者可包括作為單件式框架的整體部分的多個側壁等。
[0069]另外的示例性實施方式包括與為基板上的一個或更多個部件提供屏蔽有關的方 法。在示例性實施方式中,方法通常包括將封蓋附接到一個或更多個側壁并且將所述一個 或更多個側壁附接到基板,使得一個或更多個部件被設置在由封蓋和所述一個或更多個側 壁協作地限定的內部。封蓋包括至少部分地透視的(例如,透明的、半透明的、非不透明的 等)的至少一個透視部分。所述一個或更多個側壁可包括單個側壁,可包括彼此分離或分 立的多個側壁,或者可包括作為單件式框架的整體部分的多個側壁等。
[0070] 在一些示例性實施方式中,框架可包括一個或更多個外側壁以及一個或更多個內 壁、分隔物或者隔斷??蚣艿膫缺诤蛢炔靠捎蓪щ娖帘尾牧舷薅ā7馍w以及框架的側壁和 內壁可協作地限定多個單獨的EMI屏蔽隔室。當框架被安裝(例如,粘附地附接、焊接到焊 接焊盤等)到基板(例如,印刷電路板等)時,基板上的部件可位于不同的隔室中,使得憑 借禁止EMI進入和/或離開