少這些部件的不利影響，將磁傳感器116布置在遠(yuǎn)離這些部件并且在第一電池室110附近的位置。在圖3B示出的示例中，磁傳感器116被配設(shè)在主基板200的右下部分。注意，如上所述，除了電池201之外，AC適配器也可以連接到第一電池室110。把持單元130也可以連接到第一電池室110。
[0066]在電池201的內(nèi)部，例如，配設(shè)有兩個(gè)圓筒形電池單元(cell)202。電池單元202的外裝部件由諸如鐵或不銹鋼等的磁體構(gòu)成。磁體引起磁體周圍的磁場(chǎng)的變形。由磁體引起的磁場(chǎng)變形的現(xiàn)象被稱為“軟鐵作用(soft iron effect)”。軟鐵作用對(duì)磁傳感器116的磁檢測(cè)值有不利影響。軟鐵作用使由磁傳感器116檢測(cè)到的磁場(chǎng)變形。由此，由磁傳感器116檢測(cè)到的磁場(chǎng)的方向很可能改變。
[0067]因此，在第一至第三實(shí)施例中，使用校正值確定單元118b和檢測(cè)值校正單元118c來(lái)校正磁檢測(cè)值，以減少由磁場(chǎng)的變形引起的磁檢測(cè)值的改變(第二改變)。具體而言，在磁傳感器116的磁檢測(cè)值中包括的三個(gè)方向上的值(X值、y值以及z值)被分別校正。更具體而言，磁傳感器116的磁檢測(cè)值與用于減少因軟鐵作用引起的磁場(chǎng)的改變的轉(zhuǎn)換矩陣(第二校正值)相乘。由此，能夠減少軟鐵作用引起的磁傳感器116的磁檢測(cè)值的改變。
[0068]軟鐵作用引起的磁場(chǎng)的變形依據(jù)于磁體的類型、磁體的大小、磁體的形狀、從磁傳感器116到磁體的距離等。因此，通過(guò)改變連接到第一電池室110的電源的類型，軟鐵作用引起的磁場(chǎng)的變形也改變。因此，在第一實(shí)施例中，根據(jù)由電源檢測(cè)單元118a確定的電源的類型來(lái)改變轉(zhuǎn)換矩陣(第二校正值)。
[0069]引起第一改變的磁場(chǎng)也因軟鐵作用而變形。因此，通過(guò)改變連接到第一電池室110的電源的類型，由磁傳感器116檢測(cè)到的磁場(chǎng)的位移量也改變。因此，在第一實(shí)施例中，根據(jù)由電源檢測(cè)單元118a確定的電源的類型，來(lái)切換與對(duì)磁傳感器116的磁檢測(cè)值有不利影響的磁場(chǎng)相等的偏移值(第一校正值)。
[0070]注意，在具有大體積的部件被配設(shè)在磁傳感器116附近的情況下，由于該部件對(duì)軟鐵作用的影響非常大，因此忽略其他部件對(duì)軟鐵作用的影響是沒(méi)有問(wèn)題的。在圖3B示出的示例中，第一電池室110被配設(shè)在磁傳感器116附近。因此，連接到第一電池室110的電源對(duì)軟鐵作用的影響大。忽略其他部件對(duì)軟鐵作用的影響是沒(méi)問(wèn)題的。
[0071]校正值確定單元118b基于選擇的操作模式和連接到第一電池室110的電源的類型，來(lái)確定用于校正磁傳感器116的磁檢測(cè)值的第一校正值(偏移值)以及第二校正值(轉(zhuǎn)換矩陣)。檢測(cè)值校正單元118c基于由校正值確定單元118b確定的第一校正值(偏移值)和第二校正值(轉(zhuǎn)換矩陣)，來(lái)校正磁傳感器116的磁檢測(cè)值。
[0072]在第一實(shí)施例中，檢測(cè)值校正單元118c使用圖4示出的公式(校正公式)，來(lái)校正磁傳感器116的磁檢測(cè)值。
[0073]在圖4中，附圖標(biāo)記211表示校正前的磁檢測(cè)值，而附圖標(biāo)記210表示校正后的磁檢測(cè)值。校正后的磁檢測(cè)值210是具有與三個(gè)軸方向相對(duì)應(yīng)的三個(gè)檢測(cè)值(X值、y值以及z值)的三行一列的矩陣。校正前的磁檢測(cè)值211也是具有與三個(gè)軸方向相對(duì)應(yīng)的三個(gè)檢測(cè)值(X值、y值以及z值)的三行一列的矩陣。
[0074]在圖4中，附圖標(biāo)記212表示由校正值確定單元118b確定的偏移值(第一校正值)，而附圖標(biāo)記213表示由校正值確定單元118b確定的轉(zhuǎn)換矩陣(第二校正值)。偏移值212是具有與三個(gè)軸方向相對(duì)應(yīng)的三個(gè)值(X值、y值以及z值)的三行一列的矩陣。由校正值確定單元118b確定的轉(zhuǎn)換矩陣213是三行三列的矩陣。
[0075]如圖4所示，在第一實(shí)施例中，從校正前的磁檢測(cè)值211減去偏移值212。減法的結(jié)果(三行一列的矢量)與由校正值確定單元118b確定的轉(zhuǎn)換矩陣213相乘。由此，計(jì)算校正后的磁檢測(cè)值210。通過(guò)將由校正值確定單元118b確定的轉(zhuǎn)換矩陣213與減法結(jié)果相乘，能夠旋轉(zhuǎn)由減法結(jié)果表示的矢量，并且擴(kuò)大及減少由減法結(jié)果表示的矢量。
[0076]如果適當(dāng)?shù)闹当挥米饔尚Ｕ荡_定單元118b確定的偏移值212以及由校正值確定單元118b確定的轉(zhuǎn)換矩陣213，則作為校正后的磁檢測(cè)值210，能夠獲得很好地表示了地磁的值。結(jié)果，能夠高精度地檢測(cè)攝像方位。
[0077]在第一實(shí)施例中，預(yù)先決定連接到第一電池室110的電源的類型與選擇的操作模式的組合，以及第一校正值(偏移值)與第二校正值(轉(zhuǎn)換矩陣)之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系。具體而言，指示該對(duì)應(yīng)關(guān)系的信息被預(yù)先存儲(chǔ)在第二存儲(chǔ)器113 (或第一存儲(chǔ)器112)中。作為指示該對(duì)應(yīng)關(guān)系的信息，能夠使用函數(shù)和表格。校正值確定單元118b從第二存儲(chǔ)器113 (或第一存儲(chǔ)器112)讀出指示該對(duì)應(yīng)關(guān)系的信息。校正值確定單元118b基于對(duì)應(yīng)關(guān)系，確定與選擇的操作模式以及連接到第一電池室110的電源的類型的組合相對(duì)應(yīng)的第一校正值(偏移值)以及第二校正值(轉(zhuǎn)換矩陣)。
[0078]注意，可以基于連接到第一電池室110的電源的類型，而不考慮選擇的操作模式，來(lái)確定用于校正磁傳感器116的磁檢測(cè)值的第一校正值(偏移值)以及第二校正值(轉(zhuǎn)換矩陣)。具體而言，可以預(yù)先決定連接到第一電池室110的電源的類型與第一校正值(偏移值)和第二校正值(轉(zhuǎn)換矩陣)之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系?？梢曰谠搶?duì)應(yīng)關(guān)系，確定與連接到第一電池室110的電源的類型相對(duì)應(yīng)的第一校正值(偏移值)以及第二校正值(轉(zhuǎn)換矩陣)。
[0079]由于軟鐵作用依據(jù)于部件的形狀和大小，因此難以實(shí)時(shí)計(jì)算第一校正值(偏移值)和第二校正值(轉(zhuǎn)換矩陣)。然而，可以預(yù)先確定第一校正值(偏移值)和第二校正值(轉(zhuǎn)換矩陣)。例如，只需針對(duì)連接到第一電池室110的電源的各個(gè)類型，預(yù)先確定轉(zhuǎn)換矩陣即可。具體而言，只需在各電源連接到第一電池室110的狀態(tài)下測(cè)量軟鐵作用，并且基于測(cè)量結(jié)果高精度地確定轉(zhuǎn)換矩陣即可。由此，能夠預(yù)先針對(duì)連接到第一電池室110的電源的各個(gè)類型，準(zhǔn)備不同的適當(dāng)?shù)霓D(zhuǎn)換矩陣。
[0080]類似于轉(zhuǎn)換矩陣，針對(duì)連接到第一電池室110的電源的各個(gè)類型，也能夠預(yù)先確定偏移值。由磁傳感器116檢測(cè)的磁場(chǎng)的位移量也依據(jù)于選擇的操作模式。因此，期望針對(duì)連接到第一電池室110的電源的類型與選擇的操作模式的組合中的各個(gè)，確定適當(dāng)?shù)钠浦?。由磁傳感?16檢測(cè)的磁場(chǎng)的位移量具有電子裝置100的個(gè)體差異。因此，期望使用電子裝置100來(lái)確定偏移值。
[0081]圖5是用于例示電子裝置100針對(duì)電池的各個(gè)類型確定偏移值的處理(偏移值確定處理)的流的示例的流程圖。例如在制造期間或在電子裝置100出廠期間，進(jìn)行圖5的流程圖的處理。
[0082]首先，在S101中，在將基準(zhǔn)電源連接到第一電池室110之后，操作者指示電子裝置100開(kāi)始偏移值確定處理?；鶞?zhǔn)電源可以是連接到第一電池室110的電池，或者可以是連接到第一電池室110的AC適配器。
[0083]在S102中，CPU 118將電子裝置100的狀態(tài)設(shè)置為基準(zhǔn)狀態(tài)(例如，空閑狀態(tài))。換言之，電子裝置100的操作模式被設(shè)置為基準(zhǔn)模式。注意，基準(zhǔn)狀態(tài)不限于空閑狀態(tài)。
[0084]在S103中，CPU 118從磁傳感器116獲取在空閑狀態(tài)下的磁檢測(cè)值。注意，可以多次采樣磁檢測(cè)值，并且獲取多次采樣的磁檢測(cè)值的平均數(shù)。由此，能夠獲得從中移除了由電源電路109等引起的細(xì)微噪聲的磁檢測(cè)值(平均數(shù))。
[0085]在S104中，CPU 118將電子裝置100的操作模式設(shè)置為靜止圖像拍攝模式。在S105中，CPU 118從磁傳感器116獲取當(dāng)電子裝置100的操作模式被設(shè)置為靜止圖像拍攝模式時(shí)的磁檢測(cè)值。
[0086]在S106中，CPU 118將電子裝置100的操作模式設(shè)置為運(yùn)動(dòng)圖像拍攝模式。在S107中，CPU 118從磁傳感器116獲取當(dāng)電子裝置100的操作模式被設(shè)置為運(yùn)動(dòng)圖像拍攝模式時(shí)的磁檢測(cè)值。
[0087]在S108中，CPU 118將電子裝置100的操作模式設(shè)置為L(zhǎng)V模式。在S109中，CPU118從磁傳感器116獲取當(dāng)電子裝置100的操作模式被設(shè)置為L(zhǎng)V模式時(shí)的磁檢測(cè)值。
[0088]在S110中，CPU 118將電子裝置100的狀態(tài)返回基準(zhǔn)狀態(tài)(例如，空閑狀態(tài))。注意，S110中的處理可以被省略。
[0089]在S111中，CPU 118基于在S103中獲得的磁檢測(cè)值與在S105中獲得的磁檢測(cè)值之間的差，計(jì)算與基準(zhǔn)電源和靜止圖像拍攝模式的組合對(duì)應(yīng)的偏移值。CPU 118基于在S103中獲得的磁檢測(cè)值與在S107中獲得的磁檢測(cè)值，計(jì)算與基準(zhǔn)電源和運(yùn)動(dòng)圖像拍攝模式的組合對(duì)應(yīng)的偏移值。CPU 118基于在S103中獲得的磁檢測(cè)值與在S109中獲得的磁檢測(cè)值之間的差，計(jì)算與基準(zhǔn)電源和LV模式的組合對(duì)應(yīng)的偏移值。
[0090]在S112中，CPU 118基于在Sill中計(jì)算的偏移值，計(jì)算(轉(zhuǎn)換處理)與所有其他類型的電源和操作模式的組合對(duì)應(yīng)的偏移值。由此，能夠減少操作者的工作工時(shí)及工作時(shí)間。注意，在圖5中，使用磁檢測(cè)值的測(cè)量結(jié)果，計(jì)算與一種類型的電源和操作模式的組合對(duì)應(yīng)的偏移值。計(jì)算與所有其他類型的電池和操作模式的組合對(duì)應(yīng)的偏移值。然而，偏移值的計(jì)算不限于此?？梢允褂么艡z測(cè)值的測(cè)量結(jié)果，計(jì)算與所有其他類型的電源和操作模式的所有或部分組合對(duì)應(yīng)的偏移值。
[0091]在S113中，CPU 118將在Sill和S112中計(jì)算出的所有偏移值存儲(chǔ)在第二存儲(chǔ)器113 (或第一存儲(chǔ)器112)中。
[0092]圖6是用于例示預(yù)先存儲(chǔ)在第二存儲(chǔ)器113 (或第一存儲(chǔ)器112)中的電源信息的示例的圖。在圖6示出的示例中，根據(jù)可連接到第一電池室110的電源的類型，假設(shè)不同的八種電源信息。各電源信息包括針對(duì)不同電源中的各個(gè)準(zhǔn)備的第一校正值(偏移值)，以及第二校正值(轉(zhuǎn)換矩陣)。
[0093](1)第一電源信息是在連接到第一電池室110的鋰離子電池是連接到第一電池室110的電源的情況下使用的電源信息。第一電源信息包括適合于該情況的第一校正值(偏移值)以及一個(gè)第二校正值(轉(zhuǎn)換矩陣)。作為第一校正值(偏移值)，針對(duì)四個(gè)操作模式(靜止圖像拍攝模式、運(yùn)動(dòng)圖像拍攝模式、LV模式以及TFT ON模式)中的各個(gè)準(zhǔn)備了適當(dāng)?shù)闹怠?br>[0094](2)第二電源信息是在連接到第一電池室110的AC適配器是連接到第一電池室110的電源的情況下使用的電源信息。第二電源信息包括適合于該情況的第一校正值(偏移值)以及一個(gè)第二校正值(轉(zhuǎn)換矩陣)。作為第一校正值(偏移值)，針對(duì)四個(gè)操作模式(靜止圖像拍攝模式、運(yùn)動(dòng)圖像拍攝模式、LV模式以及TFT ON模式)中的各個(gè)準(zhǔn)備了適當(dāng)?shù)闹怠?br>[0095](3)第三電源信息是在連接到第二電池室121的鋰離子電池是連接到第一電池室110的電源的情況下使用的電源信息。第三電源信息包括適合于該情況的第一校正值(偏移值)和一個(gè)第二校正值(轉(zhuǎn)換矩陣)。作為第一校正值(偏移值)，針對(duì)四個(gè)操作模式(靜止圖像拍攝模式、運(yùn)動(dòng)圖像拍攝模式、LV模式以及TFT ON模式)中的各個(gè)準(zhǔn)備了適當(dāng)?shù)闹怠?br>[0